內(nèi)存芯片文章進(jìn)入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)

內(nèi)存芯片放顯屏上？透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏

　　據(jù)麻省理工新發(fā)明的透明柔性3D存儲(chǔ)芯片會(huì)成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開發(fā)下一代內(nèi)存，可與閃存競(jìng)爭(zhēng)，用于明天的隨身碟，手機(jī)和電腦，這是科學(xué)家在3月27日?qǐng)?bào)道的。　　在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)(American Chemical Society)第243屆全國(guó)會(huì)議暨博覽會(huì)(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說，一些設(shè)備使用這
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爾必達(dá)突然破產(chǎn) 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨調(diào)整

　　近日，全球第三大內(nèi)存芯片廠商日本爾必達(dá)公司無預(yù)警地向東京地方法院提出破產(chǎn)保護(hù)申請(qǐng)。目前，該公司債務(wù)達(dá)到4480億日元(約合55億美元)，也成為日本制造業(yè)歷史上負(fù)債規(guī)模最大的破產(chǎn)案。　　眼下，這家日本芯片制造商市值幾乎蒸發(fā)殆盡。從2008年第四季度到2011年第四季度里，爾必達(dá)只有兩個(gè)季度實(shí)現(xiàn)贏利。業(yè)界分析普遍認(rèn)為，日元匯率的持續(xù)走強(qiáng)、產(chǎn)品價(jià)格下滑以及泰國(guó)洪災(zāi)是造成PC供貨低迷的多重壓力下。　　不過，曾數(shù)次在資金緊缺的情況下仍然讓爾必達(dá)起死回生的公司CEO坂本幸雄也承認(rèn)，自己的確在過去的某個(gè)時(shí)間
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內(nèi)存芯片識(shí)別方法

內(nèi)存芯片識(shí)別方法1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識(shí)； GM72V*****1**T** GM為L(zhǎng)GS產(chǎn)品； 72為SDRAM；第1，2個(gè)*代表容量，16 ...
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現(xiàn)代內(nèi)存芯片的編號(hào)識(shí)別

現(xiàn)代內(nèi)存芯片的編號(hào)識(shí)別一、現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識(shí)格式如下（這里說的是2000年9月30日后 ...
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日股爾必達(dá)一天大跌97%

　　日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)已申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，該公司股價(jià)在昨日東京股市的交易中大跌97%，創(chuàng)下東京股票交易所取消單日漲跌幅限制以來的最大跌幅。爾必達(dá)的破產(chǎn)是日本兩年來規(guī)模最大的公司破產(chǎn)案。在東京股市昨日的交易中，爾必達(dá)股價(jià)一度跌至4日元，遠(yuǎn)低于周二收盤時(shí)的254日元。將于2015年到期、面值100日元的爾必達(dá)可轉(zhuǎn)債價(jià)格則較2月27日下跌60日元，至14日元。　　爾必達(dá)是日本最后一家計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商，該公司此前已連續(xù)5個(gè)季度虧損。爾必達(dá)于2月27日向東京地區(qū)法院提交了破產(chǎn)保護(hù)申請(qǐng)，其債務(wù)達(dá)到4480億日元
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。　　美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運(yùn)用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì)在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。　　IBM將會(huì)在12月5日于美國(guó)華盛頓舉行的IEEE國(guó)際電子裝置會(huì)議上展示它的TSV制程技術(shù)。　　對(duì)于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片

　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。　　美光將會(huì)開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運(yùn)用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì)在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。　　IBM將會(huì)在12月5日于美國(guó)華盛頓舉行的IEEE 國(guó)際電子裝置會(huì)議上展示它的TSV制程技術(shù)。　　對(duì)于美光而言，混合式記憶體立方
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爾必達(dá)25nm制程4GB內(nèi)存芯片樣品出貨

　　爾必達(dá)日前表示，該公司已成功生產(chǎn)出25nm制程、4GB大小的SDRAM內(nèi)存芯片樣品，即將出貨。早前，爾必達(dá)就宣稱從7月開始發(fā)售限量版的25nm制程2GB內(nèi)存芯片，而新款4G的25nm內(nèi)存芯片將取代現(xiàn)在的30nm制程的4GB DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)線，產(chǎn)品生產(chǎn)效率也將提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更強(qiáng)勁，可以有效降低待機(jī)電流。　　
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蘋果采購日本內(nèi)存芯片減少對(duì)三星依賴

　　據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士稱，蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和Elpida Memory公司。　　消息稱，蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件供應(yīng)商。蘋果目前正在從Elpida和東芝公司采購NAND和RAM芯片，以減少其對(duì)三星電子的內(nèi)存供應(yīng)的依賴。　
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全球8大內(nèi)存芯片廠商虧損連連僅3家盈利

　　北京時(shí)間9月1日消息，彭博社發(fā)文稱，由于PC市場(chǎng)低迷等因素，內(nèi)存芯片制造業(yè)處境艱難，全球八大廠商僅三家盈利，部分較小廠商選擇轉(zhuǎn)行或謀求并購，而分析人士認(rèn)為該行業(yè)最終或?qū)⒑喜⑷霂讉€(gè)大型廠商手中。原文如下：　　債務(wù)、虧損與價(jià)格下跌造成的沉重負(fù)擔(dān)，使內(nèi)存芯片廠商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)承受的壓力越來越大，或?qū)で蠛喜⒒蛲顺鲈摦a(chǎn)業(yè)。　
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內(nèi)存芯片制造商承受壓力加大：尋求合并或退出

　　北京時(shí)間8月31日下午消息，由于負(fù)債累累、不斷虧損、內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)、茂德和力晶科技承受的壓力越來越大，他們或因此尋求合并或退出業(yè)界。　　
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三星第2季內(nèi)存營(yíng)收同比減12%

　　三星電子日前公布，今年第2季(4-6月)半導(dǎo)體部門合并營(yíng)收年減4%至9.16兆億韓圜，略低于前季的9.18兆億韓圜;合并營(yíng)益年減11.3%至1.79兆億韓圜，高于前季的營(yíng)益1.64兆億韓圜;營(yíng)益率達(dá)19.6%，高于前季的17.9%，但低于去年同期的30.9%。三星指出，4-6月內(nèi)存營(yíng)收年減12%至5.89兆億韓圜。　　三星電子曾在1月28日預(yù)期，今年半導(dǎo)體部門資本支出將由去年的12.7兆億韓圜下降至10.3兆億韓圜，其中內(nèi)存相關(guān)資本支出將由去年的9兆億韓圜下滑36%至5.8兆億韓圜。Thomson
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業(yè)界看淡今年下半年芯片市場(chǎng)

　　南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門社長(zhǎng)權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長(zhǎng)權(quán)五哲等南韓半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來說，下半年內(nèi)存芯片市況應(yīng)會(huì)比上半年好，然而近來變量相當(dāng)多。2011年下半可能會(huì)與上半相同，半導(dǎo)體價(jià)格可能會(huì)大幅攀升，也可能沒有任何表現(xiàn)。
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海力士一季度凈利潤(rùn)2.54億美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，今年第一季度海力士實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求低迷導(dǎo)致芯片價(jià)格下滑影響。　　
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技術(shù)落后導(dǎo)致臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商陷入被動(dòng)局面

　　據(jù)美臺(tái)商會(huì)(US-Taiwan Business Council)的一份報(bào)告稱，鎂光公司可能會(huì)收購其參與合資的臺(tái)灣內(nèi)存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報(bào)告稱：“美國(guó)內(nèi)存芯片廠商鎂光與南亞和華亞兩家內(nèi)存芯片公司的關(guān)系一直非常密切。而且鎂光有可能會(huì)采取措施加強(qiáng)其與臺(tái)灣內(nèi)存廠商的聯(lián)盟關(guān)系，因?yàn)榻谟袀餮苑Q臺(tái)灣第二大內(nèi)存芯片廠商南亞很可能會(huì)將其所持有的華亞公司股份出售給鎂光公司?！? 　　
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內(nèi)存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片! 　　根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識(shí)別辦法是: 　　具體含義解釋：　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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