- 韓國內存廠商Hynix日前宣布他們已經完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產品的開發(fā)，這款產品將主要面向移動設備，可在智能手機，平板電腦等移動設備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產。
這款內存芯片產品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。
Hynix宣稱這款芯片產品采用了44nm制程技術制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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Hynix 44nm DDR2 內存芯片
- 據國外媒體報道，臺灣力晶半導體近日表示，經過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現(xiàn)凈利潤。
力晶半導體在其網站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。
力晶半導體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。
分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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力晶 內存芯片 DDR3
- 與臺積電同于1987年成立的新加坡半導體即將走入歷史，被全球晶圓(Global Foundries)合并之后將在亞太區(qū)以新面貌見人。同樣成立將屆23年的臺積電、新加坡特許面對著截然不同的命運，1個是產業(yè)龍頭，另1個則是被資金實力雄厚的對手收購，但面對多變詭譎的產業(yè)前景，卻都各自面臨不同的挑戰(zhàn)與難題。
新加坡特許被收購之后，還是4大晶圓代工廠各據山頭，分別是臺積電、聯(lián)電、全球晶圓與中芯國際，2009年是4大晶圓廠極為特殊的1年，各自發(fā)生了影響未來命運的大事件，展望2010年未可知的將來，4大晶圓廠
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臺積電 晶圓 內存芯片
- 據臺積電公司周一的聲明稱，受上周臺灣地區(qū)發(fā)生6.4級地震事件的影響，臺積電公司半天內產出的晶圓制品均告報廢，受到影響的晶圓制品數量大約是臺積電每天芯片產能的59%。臺積電并稱公司的生產線已經恢復正常工作，而這次地震對臺積電所造成的財政和業(yè)務影響將“非常有限”。
于此同時，臺積電的對手聯(lián)電公司則在一份聲明中稱公司的財政與業(yè)務并未受到這次地震的顯著影響;而內存芯片廠商華亞，以及計算機廠商華碩公司則均聲明稱未受到此次地震事件的顯著影響。
據路透社報道，當地時間上周六晚9：
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臺積電 晶圓 內存芯片
- 據《韓國時報》報道，內存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。
這項開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內存生產，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產。
這篇報道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內存的需求超過了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場擴大領先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
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海力士 DRAM 內存芯片
- 北京時間11月24日早間消息，據國外媒體今日報道，市場研究公司iSuppli表示，今年全球芯片業(yè)營收將下跌12%，遠低于之前預期的20%。
iSuppli高級副總裁德爾·福特(Dale Ford)說，第二季度芯片銷售復蘇“意味著2009年的情況將好于預期”。今年芯片業(yè)境況好于預期的原因是內存芯片以及消費電子和無線產品用芯片的強勁表現(xiàn)。
iSuppli預計，在全球十大芯片廠商中，今年只有三星芯片業(yè)務營收將出現(xiàn)增長。預計今年三星芯片業(yè)務營收將增長1.4%;
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消費電子 內存芯片 無線
- 據臺灣內存業(yè)者透露，由于越來越多的內存芯片廠商都在積極轉向下一代制程技術，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內存芯片的生產成本在明年之內將出現(xiàn)較大幅度的下降。
目前，韓國三星電子的內存芯片產品已經有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經開始小批導入40nm制程。預計到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據業(yè)內領先的地位。
日本爾必達公司則很快會開始啟用其改進版65nm制程，爾必達將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉移到
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三星電子 40nm 56nm 內存芯片
- 據iSuppli公司分析，由于全球內存芯片廠商在2005-2007年間已經耗費了大量資本進行設備投資和產能擴展,因此現(xiàn)有的產能已經可以滿足2012年的市場需求，這便意味著在未來兩年之內全球內存芯片廠商的主要精力將不會放在產能拓展方面。
”2005-2007年間，內存芯片廠商共花費了500億美元的資金來采購新的制造設備和建設新的芯片廠，這筆花費已經占到同期整個內存產業(yè)營收的55%左右。“iSuppli公司的高級內存分析師Mike Howard表示：”由于向這
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內存芯片 光刻 制造設備
- 韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內存芯片制程技術研發(fā)團隊一起合作， 進行新半導體材料，晶體管結構以及高性能低功耗半導體技術的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準備45nm制程芯片的量產，同時作為IBM技 術聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術.
三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內存芯片制程技術研發(fā)團隊的強強組合，將極大推動三星半導體制程技術的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
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三星 內存芯片
- 據國外媒體報道，數家亞洲大型芯片廠商財報預期顯示，本季度有望實現(xiàn)數年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或將結束。
三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預期，分析師對其預期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。
投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標股價由84萬韓元調高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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海力士 DRAM 內存芯片
- 市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。
據國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數字表明DRAM市場確實在復蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內存芯片走出低迷的又一個跡象。
iSuppli表示，過去兩個季度終結了DRAM內存芯片銷
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內存芯片 DRAM
- 北卡羅萊納州立大學的工程師聲稱已經開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數據。
學校的材料科學與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數據存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠實現(xiàn)對過程的控制。
Jagdish Narayan認為，原型產品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
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內存芯片 DRAM
- 10月14日消息，據國外媒體報道，韓國芯片制造商海力士半導體CEO周二表示，全球經濟轉暖加上微軟Windows 7操作系統(tǒng)的發(fā)布，將在2010年上半年拉動內存芯片的需求。海力士首席執(zhí)行官金鐘甲在韓國當地一個科技論壇上表示，“只要經濟不出現(xiàn)二次探底的情況，需求就會好轉。”
金同時表示，海力士將在2010年加大資本投資力度，公司今年在該項目上的開支為1萬億韓元，約合8.555億美元，但他拒絕透露詳情。
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海力士 內存芯片
- 據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會在本月開始投入量產。
此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統(tǒng)計，1Gb DDR3內存芯片的市場份額已經達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場上的主流。
根據海力士的介紹，數據中心、服務器、超級計算機或
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海力士 內存芯片 54nm DDR3
- 據摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱，DDR2芯片的價格未來將繼續(xù)上漲，并很有可能會超過DDR3芯片的售價，不過漲價期應該不會超過6個月，而DDR3芯片則將在這段時間內漸成市場主流。據Wang分析，驅動最近DDR2芯片價格上漲的主要因素是各大內存芯片廠商紛紛將產能轉而投放到DDR3芯片的生產上。三星，海力士，爾必達以及鎂光幾家大廠均在積極抬高DDR3芯片的產能，同時壓低DDR2芯片的產能。
盡管如此，如果中國大陸國慶節(jié)期間DDR2芯片的市場需求不如預期的強勢，那么DDR2芯片的價格仍有
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DDR2 內存芯片 DDR3
內存芯片介紹
簡單地說:內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!
根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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