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未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

　　DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預(yù)計(jì)從2010年開始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。　　不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則一般
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體內(nèi)存芯片

三星電子預(yù)期上半年芯片業(yè)務(wù)利潤(rùn)超35億美元

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子預(yù)期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年?duì)I運(yùn)利潤(rùn)將超過4萬億韓元(35億美元)。　　三星電子是全球最大的內(nèi)存芯片制造商，據(jù)消息人士透露，此前該公司預(yù)期全年芯片業(yè)務(wù)僅會(huì)產(chǎn)生4.4萬億韓元(約合39億美元)營(yíng)運(yùn)利潤(rùn)。三星電子發(fā)言人拒絕就此作出評(píng)論。　　電腦內(nèi)存芯片價(jià)格走高以及個(gè)人電腦需求的復(fù)蘇共同促進(jìn)了三星公司增長(zhǎng)的恢復(fù)，該公司日前表示正考慮提高今年在內(nèi)存芯片方面的資本投入。　　預(yù)計(jì)三星公司下周將公布其第一季度收入預(yù)期。　　周二收盤時(shí)，三星公司股價(jià)報(bào)81.4萬韓元(約合72
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片

DRAMeXchange：未來三年內(nèi)存價(jià)格將持續(xù)攀升

　　DRAMeXchange傳來噩耗稱內(nèi)存芯片的價(jià)格在未來三年內(nèi)將持續(xù)走高。這家市場(chǎng)分析公司將內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據(jù)該公司的分析師表示，2001-2003年，內(nèi)存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復(fù)為持續(xù)盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現(xiàn)虧損期，因此他們預(yù)計(jì)從2010年開始，在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內(nèi)存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。　　不過內(nèi)存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級(jí)別則
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鎂光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

　　繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，鎂光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，鎂光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎，以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。　　2005年，全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增
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東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃新閃存生產(chǎn)廠7月開工

　　日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。　　東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。　　包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長(zhǎng)，推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長(zhǎng)。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì)，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(zhǎng)34%達(dá)到181億美元。　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
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美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升

　　繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對(duì)內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態(tài)稱內(nèi)存芯片業(yè)者不應(yīng)盲目表態(tài)將增加內(nèi)存芯片的產(chǎn)量，而是應(yīng)當(dāng)把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內(nèi)存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹(jǐn)慎，以避免犯下和過去一樣的錯(cuò)誤。　　2005年，全球多家內(nèi)存芯片廠為了擴(kuò)增
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壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢(shì)

　　1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內(nèi)存芯片市場(chǎng)仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示，造成這種局面的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實(shí)施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一方面，由于PC廠商事先預(yù)計(jì)到了這種狀況，因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策略，而這則進(jìn)一步加劇了這種危機(jī)。　　據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，3月18日，打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測(cè)試，但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價(jià)格分別上升了3.97%和4.3
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iSuppli預(yù)計(jì)今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)將增40%

　　2月24日消息，市場(chǎng)研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)增幅將超過40%，也是3年來的首次增長(zhǎng)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長(zhǎng)至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。　　iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周四說，“今年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將繼續(xù)去年第四季度的增長(zhǎng)趨勢(shì)，增長(zhǎng)40%。” 　　推動(dòng)去年第四季度DRAM
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力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃

　　據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計(jì)劃，報(bào)道稱力晶公司計(jì)劃向這間新廠房投資2.93億美元，并將與當(dāng)?shù)卣块T和大陸當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營(yíng)這間芯片廠。　　與臺(tái)積電以及茂德公司類似，力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺(tái)灣當(dāng)局的許可，可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級(jí)別制程的芯片廠，不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實(shí)際行動(dòng)。
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鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別的同類產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設(shè)在Boise的研發(fā)中心開始研制。　　兩家廠商預(yù)計(jì)將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。　　兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節(jié)省30%電能。　　這款42nm 2Gb
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傳歐盟將起訴三星等內(nèi)存芯片廠商操縱價(jià)格

　　消息人士透露，歐盟監(jiān)管機(jī)構(gòu)計(jì)劃對(duì)三星電子、英飛凌、海力士等十家內(nèi)存芯片廠商提供訴訟，指責(zé)這些廠商操控價(jià)格，違背歐盟反壟斷法規(guī)。　　消息人士稱，歐盟委員會(huì)的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內(nèi)存芯片廠商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達(dá)、NEC電子、日立、東芝、三菱電機(jī)和南亞科技。　　去年12月份英飛凌就曾透露，歐盟反壟斷機(jī)構(gòu)從2009年2月就開始對(duì)英飛凌進(jìn)行正式調(diào)查，懷疑英飛凌在歐洲D(zhuǎn)RAM產(chǎn)品市場(chǎng)存在反競(jìng)爭(zhēng)行為。DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片被廣泛應(yīng)用
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臺(tái)內(nèi)存芯片廠商制程轉(zhuǎn)換計(jì)劃傳因設(shè)備交貨期拖延而更變

　　據(jù)內(nèi)存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設(shè)備的交貨日程有所延長(zhǎng)，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠)兩家內(nèi)存芯片制造商今年轉(zhuǎn)向50nm級(jí)別制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃有可能會(huì)后延.而另一家臺(tái)系內(nèi)存芯片廠商瑞晶(力晶與爾必達(dá)的合資廠)計(jì)劃于今年二月份開始的光刻設(shè)備導(dǎo)入計(jì)劃也有可能會(huì)后延兩個(gè)月左右的時(shí)間。　　而南亞和華亞則澄清稱其購(gòu)買的沉浸式光刻設(shè)備將以分期到貨的形式進(jìn)場(chǎng)，并宣稱此前進(jìn)場(chǎng)的設(shè)備已經(jīng)按原計(jì)劃完成了進(jìn)貨。　　按南亞和華亞的計(jì)劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉(zhuǎn)換工作，并將于下半年開始試產(chǎn)40nm
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三星將加大內(nèi)存芯片資本支出并建新生產(chǎn)線

　　據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，全球最大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商三星電子今年可能加大對(duì)內(nèi)存芯片的投資，并建立一條新生產(chǎn)線。　　報(bào)道援引不具名業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的資本支出約為7兆(萬億)韓元(61億美元)。　　三星10月曾表示，今年計(jì)劃在內(nèi)存芯片上支出5.5萬億韓元，占半導(dǎo)體業(yè)務(wù)資本支出的大部分。　　報(bào)道稱，三星還計(jì)劃在國(guó)內(nèi)工廠建立一條新的芯片生產(chǎn)線，這將是該公司多年來首次增設(shè)新生產(chǎn)線。　　三星發(fā)言人拒絕就2010年投資計(jì)劃置評(píng)，并稱尚未決定是否新增生產(chǎn)線。三星在1月29日公布季報(bào)時(shí)，預(yù)計(jì)將就
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南亞科增加今年支出預(yù)算計(jì)劃提升芯片產(chǎn)能

　　據(jù)透露，臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商南亞計(jì)劃增加2010年的資本支出預(yù)算，將其由原計(jì)劃的190億新臺(tái)幣提升到200億新臺(tái)幣(6.27億美元)，據(jù)悉這筆增加的預(yù)算將用于改進(jìn)制程和擴(kuò)展產(chǎn)能之用。南亞計(jì)劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計(jì)算在內(nèi)，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達(dá)到每月11.5-12.5萬片，這個(gè)數(shù)字已達(dá)到了全球內(nèi)存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。　　目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤(rùn)創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤(rùn)有助于海力士吸引其他收購(gòu)方。去年11月，曉星公司撤消了收購(gòu)海力士的收購(gòu)要約。分析師稱，由于PC需求增長(zhǎng)，今年
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內(nèi)存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片! 　　根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識(shí)別辦法是: 　　具體含義解釋：　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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