內(nèi)存芯片 文章 進(jìn)入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)
芯片制造轉(zhuǎn)移，價(jià)格大變
- 7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期，因?yàn)樾袠I(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走，根據(jù)各大市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)，2024 上半年依然處于恢復(fù)期，下半年的行情會(huì)比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演，芯片價(jià)格也隨之變化。晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇臺(tái)積電最新財(cái)報(bào)顯示，2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達(dá)到 65%，中國大陸市場(chǎng)則急速拉升至 16
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三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測(cè)試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達(dá)測(cè)試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報(bào)道，三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報(bào)道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測(cè)試過程”，同時(shí)強(qiáng)調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片
- 2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會(huì)議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級(jí)工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會(huì)上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩 三星第三季度營業(yè)利潤或下滑80%
- 10月10日消息，因受到全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩的影響，三星電子的“搖錢樹”業(yè)務(wù)第三季度可能出現(xiàn)巨額虧損，營業(yè)利潤預(yù)計(jì)將較上年同期下降80%。作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績。LSEG SmartEstimate對(duì)19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示，在第三季度，三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元（約合80億美元）。三星營業(yè)利潤大幅下滑的原因是，由于內(nèi)存芯片價(jià)格未能像部分人預(yù)期的那樣迅速回
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三星第二季度營業(yè)利潤或暴跌96% 降至14年來最低水平
- 7月6日消息，據(jù)分析師預(yù)測(cè)，三星電子公司第二季度營業(yè)利潤可能會(huì)較上年同期下滑96%，為14年來最低水平。理由是，盡管供應(yīng)有所減少，但芯片供應(yīng)過剩仍在繼續(xù)導(dǎo)致這家科技巨頭的“搖錢樹”出現(xiàn)巨額虧損。金融研究機(jī)構(gòu)Refinitiv SmartEstimate對(duì)27位分析師進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查顯示，作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機(jī)和電視制造商，三星今年第二季度的營業(yè)利潤可能降至5550億韓元（約合4.26億美元）。如果分析師們的預(yù)測(cè)準(zhǔn)確，這將是三星自2008年第四季度以來的最低營業(yè)利潤，當(dāng)時(shí)三星電子公布了約7400億韓
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無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC問世：功耗低至1毫安
- 臺(tái)積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn)，國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC。存內(nèi)計(jì)算是一種新型架構(gòu)的芯片，相比當(dāng)前的計(jì)算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同， 存內(nèi)計(jì)算是計(jì)算與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一體，可以解決內(nèi)存墻的問題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計(jì)算SoC芯片，擁有高算力存內(nèi)計(jì)算核，相對(duì)于NPU、DSP
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美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機(jī)
- 內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級(jí)內(nèi)存，但有更細(xì)節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。 在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價(jià)就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機(jī)。 不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實(shí)現(xiàn)了35%的存儲(chǔ)密度提升，同時(shí)省電15%。
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芯片巨頭美光：成功繞過了EUV光刻技術(shù)
- 本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！ ?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！ ∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！ ∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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消息稱Intel欲出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)：SK海力士100億美元接手
- 據(jù)外媒最新消息稱，Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)，而接盤者是SK海力士，價(jià)格是100億美元。報(bào)道中提到，這家半導(dǎo)體巨頭將對(duì)自己進(jìn)行重新定位，遠(yuǎn)離一個(gè)具有歷史重要性、但正日益受到挑戰(zhàn)的領(lǐng)域。消息人士稱，這兩家公司正就上述交易展開討論，最快可能會(huì)在周一宣布，前提是雙方之間的談判不會(huì)在最后時(shí)刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細(xì)節(jié)信息，如SK海力士具體將收購什么業(yè)務(wù)等。Intel旗下內(nèi)存芯片部門生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品，主要用于硬盤、拇指驅(qū)動(dòng)器和相機(jī)等設(shè)備。由于閃存價(jià)格下跌的緣故，Intel一直都在考慮退出這項(xiàng)業(yè)務(wù)。雖然
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加州理工開發(fā)出可瞬間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的光量子內(nèi)存芯片
- 據(jù)外媒報(bào)道，加州理工大學(xué)的研究人員們，已經(jīng)開發(fā)出了一款能夠以“光的形式”、“納米級(jí)速度”存儲(chǔ)量子信息的計(jì)算機(jī)芯片。這標(biāo)志著量子計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的一項(xiàng)最新突破，在更小的設(shè)備上實(shí)現(xiàn)更快的信息處理和數(shù)據(jù)傳輸。傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存部件，只能將信息以“0”或“1”的形式存儲(chǔ)。盡管仍處于實(shí)驗(yàn)階段，但量子計(jì)算機(jī)的基本原理還是一樣的，即以“量子比特”來存儲(chǔ)數(shù)據(jù) —— 除了&ld
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2013年全球半導(dǎo)體總收入3181億美元
- 2014年4月25日市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS稱，2013年的全球半導(dǎo)體收入增長了5%，其中表現(xiàn)最好的是內(nèi)存芯片產(chǎn)品。 2013年半導(dǎo)體總收入達(dá)到3181億美元，較2012年的3031億美元增長5%，有效扭轉(zhuǎn)了這個(gè)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。2012年的半導(dǎo)體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。 規(guī)模最大的25家芯片廠商的營收總和達(dá)到2253億美元，占整個(gè)行業(yè)總收入的71%。營收最高的芯片廠商是英特爾，其2013年的營收為470億美元，對(duì)應(yīng)的市場(chǎng)份額為15%。 IHS的副總裁戴爾福特(Dale
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了
- 7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長，由于中國移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開始收獲金錢了。 在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速?zèng)]過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會(huì)刺激內(nèi)存銷售的增長。 兩種趨勢(shì)之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價(jià)能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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