功率半導體 文章 進入功率半導體技術(shù)社區(qū)
功率半導體用創(chuàng)新技術(shù)發(fā)展踐行綠色環(huán)保理念
- 在諸多科幻作品當中，最多的描述，都來自于對未來世界的憧憬，人們使用各種方便清潔的能源，利用率高，清潔高效，甚至有可能是完全免費的能源。但是在我們可以預見的未來里，我們還將依賴目前使用最廣，能量轉(zhuǎn)換最為方便的—電能。雖然目前的電子設(shè)備正在朝著綠色和低能耗的方向發(fā)展，但在石化能源變?yōu)殡娏Φ耐瑫r，產(chǎn)生的污染也越來越受到重視。在這樣的趨勢下，能夠在電子設(shè)備里降低電路損耗，提高電能使用率方面發(fā)揮自己的作用。 功率半導體的運作介于弱電控制與強電之間，是僅次于大規(guī)模集成
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散熱表現(xiàn)將成功率半導體業(yè)者決勝關(guān)鍵
- 隨著英飛凌宣布并購IR之后，使得全球功率半導體市場的氛圍更顯緊張，但盡管如此，既有的高功率應(yīng)用仍然有著相當高度的進入門檻，相關(guān)的功率半導體業(yè)者仍然持續(xù)推動新技術(shù)到市場上，快捷半導體(Fairchild)即是一例。 ? 快捷半導體臺灣區(qū)總經(jīng)理暨業(yè)務(wù)應(yīng)用工程資深總監(jiān)李偉指出，功率半導體方案的發(fā)展方向并不是提升轉(zhuǎn)換效率而已，散熱表現(xiàn)也是功率半導體相當重要的因素。所以不管是在新一代的功率模組或是高壓切換元件，都將提升散熱的表現(xiàn)的設(shè)計加以導入。 首先是智慧功率模組，該款產(chǎn)品的
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Fairchild全新1200V智能功率模塊在工業(yè)電機控制中所展現(xiàn)的熱性能令人贊嘆
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild今日發(fā)布1200V Motion SPM? 2模塊，該產(chǎn)品適用于開發(fā)高電壓工業(yè)應(yīng)用的客戶。電機耗能占全球能源總耗的40%以上，面對這一局勢，此款新型智能功率模塊產(chǎn)品設(shè)計簡單可靠、熱性能表現(xiàn)卓越，可為使用大型三相變頻電機的系統(tǒng)提供全面保護，實現(xiàn)超高能效，為創(chuàng)造更潔凈、更智能世界這一目標而不斷努力。 Fairchild最新的智能功率模塊 (SPM) 集成了重要的電源管理硅元件，以此節(jié)省電路板空間和散熱片尺寸，打造出緊湊的一體化解決方案
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英飛凌收購PCB制造商Schweizer Electronic 9.4%的股份
- 半導體廠商英飛凌科技股份公司和印刷電路板(PCB)廠商Schweizer Electronic(FSE： SCE)宣布，英飛凌將收購Schweizer9.4%的股份。相關(guān)協(xié)議已簽訂。兩家公司同意嚴格保密合同條款。 此次注資Schweizer，英飛凌凸顯了其與合作伙伴攜手開發(fā)將功率半導體與PCB集成的技術(shù)以及挖掘高功率汽車和工業(yè)應(yīng)用芯片嵌入市場的決心。Schweizer的芯片嵌入技術(shù)可與英飛凌專有的芯片嵌入封裝技術(shù)BLADE™結(jié)合使用，用于計算機和電信系統(tǒng)處理器所需的直流供電(DC/D
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中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運行
- 中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。 這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。 IGBT是一種新型功率半導體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 由
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英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 英飛凌執(zhí)行長Dr. Reinhard Ploss表示，事實證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導向的思維模式邁向系統(tǒng)級別的觀點，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長便可看出。 2013年全球功率
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英飛凌躍居2013年全球功率半導體龍頭
- 英飛凌(Infineon)于2013年的全球功率半導體市場持續(xù)取得領(lǐng)先，蟬聯(lián)龍頭地位，同時在金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)功率電晶體市場首次取得領(lǐng)先。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IHS的研究報告指出，英飛凌以12.3%的市占率連續(xù)11年奪得第一。 英飛凌執(zhí)行長Dr.ReinhardPloss表示，事實證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導向的思維模式邁向系統(tǒng)級別的觀點，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長便可看出。 2013年全球功率半導
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SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結(jié)果。 全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
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AMAT全方位強化功率半導體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)
- 美國應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準近年來需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場，將強化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來還打算支持功率半導體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。 AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還是300mm晶圓相關(guān)設(shè)備，但該公司“也一直在致力于200mm設(shè)備的業(yè)務(wù)”(AMAT元件及系統(tǒng)部門全球服務(wù)總監(jiān)田中豐)。除了銷售新的200mm設(shè)備之外，最近該公司還在開展對客戶擁有的200mm設(shè)備進行升級(改造)的服務(wù)，使這
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