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功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體專利大飛躍，日企如何競(jìng)爭(zhēng)？
- 功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域，如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù)，以確保日本的優(yōu)勢(shì)地位，并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以避開MOSFET領(lǐng)域的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。
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功率半導(dǎo)體的新機(jī)遇在哪里？
- 隨著功率半導(dǎo)體器件在移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、新能源交通、發(fā)電與配電領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用，“中國(guó)智造”時(shí)代的來(lái)臨給功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇和增長(zhǎng)動(dòng)力。氮化鎵、碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、IGBT、射頻通訊等最新技術(shù)都將推動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展。 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總裁張乃千在“用于4G基站GaN功率放大器”的演講中表示，未來(lái)移動(dòng)通信對(duì)于基站而言，需要的頻率更高，更寬的帶寬，更高效率的功率放大器。由于出色的物理特性，氮化鉀射頻設(shè)備在功率
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重慶萬(wàn)國(guó)打造國(guó)家重要集成電路產(chǎn)業(yè)基地
- 美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱“AOS公司”)成立于2000年，總部位于美國(guó)硅谷，是一家集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試為一體的企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產(chǎn)品)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。目前AOS公司在美國(guó)俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠，在美國(guó)硅谷、臺(tái)灣、上海均設(shè)有研發(fā)中心。產(chǎn)品市場(chǎng)涉及筆記本電腦、液晶電視、手機(jī)、家電、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、照明應(yīng)用、汽車電子等領(lǐng)域。 重慶項(xiàng)目概況 重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體12英寸功率半導(dǎo)體芯
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SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象，有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項(xiàng)目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂，這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法，該方法使用微米級(jí)和亞微米級(jí)的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn)，包
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)蓬勃 并木精密攻研鉆石單晶襯底
- 并木精密寶石株式會(huì)社(Namiki) 多年來(lái)為全球前5大藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)及襯底加工廠， 此次于慕尼黑上海電子展暨國(guó)際電子電路展(SEMICON China展會(huì))上并木精密寶石株式會(huì)社原田裕幸部長(zhǎng)接受了媒體采訪，透露了并木精密寶石在2016年至2020年的發(fā)展策略。 雖然目前藍(lán)寶石市場(chǎng)混亂且未來(lái)應(yīng)用規(guī)模尚不明朗，并木精密寶石因在技術(shù)及成本上具優(yōu)勢(shì)，2016年仍會(huì)維持產(chǎn)能規(guī)模，并持續(xù)加速改善熱場(chǎng)及工藝，使得單臺(tái)長(zhǎng)晶爐產(chǎn)能再提高25%;同時(shí)面向市場(chǎng)上藍(lán)寶石手機(jī)屏幕片應(yīng)用的殷切
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新一代功率半導(dǎo)體氧化鎵，開始提供外延晶圓
- 日本風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)Novel Crystal Technology公司(總部：埼玉縣狹山市)將于2015年10月開始銷售新一代功率半導(dǎo)體材料之一——氧化鎵的外延晶圓(β型Ga2O3)。這款晶圓是日本信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT)、日本東京農(nóng)工大學(xué)和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology公司是從田村制作所分離出來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，定位于“NICT技術(shù)轉(zhuǎn)移企業(yè)”。該公司的目標(biāo)是2016年度實(shí)現(xiàn)銷售額6000萬(wàn)日元，2020年
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英飛凌連續(xù)12年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)第一
- 英飛凌科技股份公司連續(xù)十二次蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)袖。今年年初收購(gòu)美國(guó)國(guó)際整流器公司之后，現(xiàn)在英飛凌以高達(dá)19.2%的市場(chǎng)份額，成為當(dāng)之無(wú)愧的市場(chǎng)領(lǐng)袖。而據(jù)美國(guó)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)IHS公司2014年的調(diào)查結(jié)果，兩家公司2013年的市場(chǎng)份額總和約為17.5%。英飛凌最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手被遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋開7個(gè)百分點(diǎn)。節(jié)能型功率半導(dǎo)體應(yīng)用廣泛，從微波爐，一直到大型風(fēng)電機(jī)組，各式各樣的設(shè)備中都能見到它們的身影。它們有助于高效地發(fā)電、輸電和轉(zhuǎn)換電力。IHS數(shù)據(jù)表明，2014年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)了6.3%，達(dá)到162億美元
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矢野經(jīng)濟(jì)研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng)
- 矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。 ? 全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處：矢野經(jīng)濟(jì)研究所) (點(diǎn)擊放大) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng)，但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。 預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng)，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究
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IC Insights：2015年功率半導(dǎo)體營(yíng)收將創(chuàng)新高
- 功率半導(dǎo)體(Power Transistor)市場(chǎng)將在今年開出紅盤。由于節(jié)能概念風(fēng)行，并快速滲透至汽車、工業(yè)和無(wú)線通訊等領(lǐng)域，因而刺激大量功率半導(dǎo)體需求。IC Insights最新報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體在過去6年因總體經(jīng)濟(jì)動(dòng)蕩、系統(tǒng)廠庫(kù)存調(diào)整幅度較大等因素，銷售額劇烈變化，但今年受惠于嵌入式設(shè)計(jì)需求大爆發(fā)，將開始恢復(fù)穩(wěn)定成長(zhǎng)，并將以6%的年成長(zhǎng)率，創(chuàng)下140億美元年?duì)I收新紀(jì)錄。
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茲發(fā)現(xiàn)Power Integrations再次侵權(quán)Fairchild專利
- 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天宣布 Power Integrations, Inc 因繼續(xù)營(yíng)銷并銷售其LinkSwitch II產(chǎn)品系列而侵犯了Fairchild的美國(guó) 7,259,972 號(hào)專利，盡管在2012年陪審團(tuán)已經(jīng)裁定與這些產(chǎn)品電源轉(zhuǎn)換芯片違反了此專利。 美國(guó)特拉華州的地區(qū)法院陪審團(tuán)在周五裁定，Power Integrations導(dǎo)致消費(fèi)者侵犯了Fairchild的專利權(quán)，并判決給付Fairchild 240萬(wàn)美元的損失賠償。這一賠償數(shù)額約按進(jìn)口到美國(guó)
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工業(yè)、汽車應(yīng)用推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)7%
- 市場(chǎng)好轉(zhuǎn)，功率半導(dǎo)體廠商未來(lái)之間競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，本土功率器件廠商應(yīng)趁機(jī)崛起。
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華人科學(xué)家首獲國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)
- 在第27屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)上，電子科技大學(xué)教授、中國(guó)科學(xué)院院士陳星弼因在高壓功率MOSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)，獲“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為首位獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的華人科學(xué)家。 國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)年會(huì)，自1992年開始舉辦，每年一屆。至今僅有IGBT器件發(fā)明人C. Frank Wheatley和Resurf理論發(fā)明人Harry Vaes獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)。
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2020年新一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至13倍
- 日本富士經(jīng)濟(jì)的一份調(diào)查報(bào)告稱，按銷售金額計(jì)算，功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)規(guī)模到2020年將達(dá)到33009億日元。與2014年的24092億日元相比，將增長(zhǎng)約37%。 其中，增長(zhǎng)率較高的是SiC、GaN、氧化鎵等新一代功率半導(dǎo)體。預(yù)計(jì)到2020年，新一代功率半導(dǎo)體的銷售額將達(dá)到1665億日元，約為2014年(129億日元)的約13倍。富士經(jīng)濟(jì)認(rèn)為，SiC功率元件市場(chǎng)將在2016年正式形成。 此外，富士經(jīng)濟(jì)還公布了功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的全球市場(chǎng)規(guī)模。2014年這一市場(chǎng)的銷售額為1462億日元，預(yù)測(cè)20
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晶電發(fā)表新技術(shù) 插旗功率半導(dǎo)體市場(chǎng)
- LED磊晶大廠晶電(2448)發(fā)表最新技術(shù)，概念燈泡的電源模組采用矽基氮化鎵(GaN-on-Si)功率半導(dǎo)體，可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產(chǎn)成功，晶電將從LED領(lǐng)域跨足功率半導(dǎo)體，拉出市場(chǎng)新戰(zhàn)線。初期這項(xiàng)技術(shù)用于晶電自家LED燈泡，未來(lái)可望延伸至手機(jī)、筆電、甚至冰箱、洗衣機(jī)等的電源。 全球都在開發(fā)功率半導(dǎo)體的新材料，近年較熱門的是矽基氮化鎵(GaN-on-Si，在矽基板上生長(zhǎng)氮化鎵)，包括美國(guó)麻省理工學(xué)院、韓國(guó)三星、日本東芝都在積極研發(fā)。晶電是全球LED磊晶龍頭，原本就擅長(zhǎng)在藍(lán)寶石基板
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用于電動(dòng)汽車的功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)
- 汽車行業(yè)目前正在經(jīng)歷一個(gè)重大的技術(shù)變革時(shí)期，這已經(jīng)是個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)。過去100多年里，內(nèi)燃機(jī)引擎中都在使用燃油泵和活塞，而現(xiàn)在正在被鋰離子電池、逆變器和IGBT所取代。簡(jiǎn)言之，汽車正在變得更加電子化。汽車的第一次電子化可能僅僅被看作是增加其電子含量的演練，或在適應(yīng)現(xiàn)有的非汽車系統(tǒng)(如高壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器)，最終適應(yīng)汽車中的應(yīng)用。然后，采用這種方法將會(huì)大大低估可能面臨的挑戰(zhàn)。在功率和電壓等級(jí)方面，就目前的相似度而言，它們都與相關(guān)的工業(yè)離線應(yīng)用類似。在汽車世界里，空間和重量都受到限制，而且環(huán)境也很惡劣，0ppm(
- 關(guān)鍵字： CooliR 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細(xì)介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細(xì) ]
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