功率半導(dǎo)體 文章 進入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
SiC功率半導(dǎo)體市場分析；廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
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一文讀懂功率半導(dǎo)體
- 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設(shè)備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
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日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導(dǎo)體：提高用電效率、增加電動車續(xù)航里程
- 據(jù)日本共同社日前報道， 日本電子零部件巨頭羅姆（ROHM）將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體，以碳化硅（SiC）為原材料。據(jù)悉，羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率， 若裝在純電動汽車上，續(xù)航里程可提升一成，電池體積也可更小。據(jù)悉，羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實施量產(chǎn)，還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元（約合人民幣114億元），并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示， 碳化硅具備
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株洲中車時代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工
- 據(jù)石峰發(fā)布消息顯示，10月28日，株洲市中車時代功率半導(dǎo)體器件核心制造產(chǎn)業(yè)園項目開工。據(jù)悉，該項目位于株洲市石峰區(qū)軌道交通雙創(chuàng)園內(nèi)，占地約266畝，計劃總投資逾52億元，項目建成達產(chǎn)后，可新增年產(chǎn)36萬片8英寸中低壓組件基材的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品主要面向新能源發(fā)電及工控家電領(lǐng)域。時代電氣9月公告稱，控股子公司株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司，擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項目，包括中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（宜興）一期建設(shè)項目和中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項目（以下簡稱“株洲子項目”），項目投資總額約1,111,869
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英飛凌在匈牙利設(shè)立新廠 擴充大功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)能
- 英飛凌科技（Infineon）于匈牙利采格萊德設(shè)立新廠，用于大功率半導(dǎo)體模塊的組裝和測試，以推動作為全球碳減排關(guān)鍵的汽車電動化進程。此外，英飛凌還進一步擴大了投資，提高大功率半導(dǎo)體模塊的產(chǎn)能，廣泛用于風(fēng)力發(fā)電機、太陽能模塊以及高能效馬達驅(qū)動等應(yīng)用，推動綠色能源的發(fā)展。英飛凌營運長Rutger Wijburg表示，英飛凌遵循的是長期可持續(xù)增長的發(fā)展道路。在低碳化和數(shù)字化趨勢的推動下，英飛凌半導(dǎo)體解決方案的市場需求不斷增長。采格萊德工廠為推動綠色能源的發(fā)展作出了重要貢獻，新工廠的建設(shè)將進一步助力英飛凌滿足日益
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān)，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導(dǎo)體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn)，讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心，具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
- IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關(guān)斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關(guān)斷短路電流。短路能力不是免費的器
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啟方半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體用0.18微米高壓BCD工藝開始量產(chǎn)
- 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)，它將用于模擬信號控制的雙極器件、用于數(shù)字信號控制的CMOS和用于高壓處理的DMOS同時制作在同一個芯片上。這種工藝適用于各種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有高電壓、高可靠性、低電子干擾等優(yōu)點。近年來，隨著電子設(shè)備系統(tǒng)尺寸的縮小和功率效率的提高變得越來越重要，對合適的功率半導(dǎo)體的需求也越來越大，因此對BCD的需求也在增加。啟方半導(dǎo)體為工作電
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東芝新建12吋晶圓廠 擴大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能
- 東芝(Toshiba)日前宣布，將在日本石川縣建造一個新的12吋(300mm)晶圓制造廠，主要用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。該廠預(yù)計于2024財年開始量產(chǎn)，整體供應(yīng)的產(chǎn)能將會是目前的2.5倍。 東芝指出，新晶圓廠的建設(shè)將分兩個階段進行，第一階段的生產(chǎn)計劃在 2024 財年開始。當?shù)谝浑A段的生產(chǎn)滿載時，東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能將是之前的2.5 倍（2021財年）。東芝表示，功率半導(dǎo)體是管理和降低各種電子設(shè)備的功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要組件。目前汽車電子和工業(yè)設(shè)備自動化的需求正在擴大，對低壓MOSFET（金屬氧
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功率半導(dǎo)體：新能源需求引領(lǐng)，行業(yè)快速發(fā)展
- 功率半導(dǎo)體：市場空間大，細分品類多1.1. 簡介：能源轉(zhuǎn)換的核心器件，細分品類眾多功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠耐 受高電壓或承受大電流的半導(dǎo)體分立器件，主要用于改變電子裝置中 電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導(dǎo)體主要起源于 1904 年第一個二極管的誕生，而 1957 年的美國 通用電氣公司發(fā)表的第一個晶閘管，標志著電子電力技術(shù)的誕生； 1970 年代，功率半導(dǎo)體進入快速發(fā)展時期，GTO、BJT 和 MOSFET 的 快速發(fā)展，標志著第二代電子電力器件的誕生。之后 1980
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑
- 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢，引領(lǐng)和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段，汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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英飛凌高層談發(fā)展策略及經(jīng)營理念
- 2021年9月，英飛凌科技宣布位于奧地利菲拉赫的300 mm薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動運營。這座以“面向未來”為座右銘的芯片工廠，總投資額為16億歐元（1歐元約為人民幣7.5元），是歐洲微電子領(lǐng)域同類中最大規(guī)模的項目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體器件工廠之一。英飛凌為何非常重視功率半導(dǎo)體的發(fā)展？其整體發(fā)展思路是什么？
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英飛凌奧地利12 吋功率半導(dǎo)體廠啟用
- 英飛凌科技（Infineon）今日宣布，正式啟用其位于奧地利菲拉赫的 12 吋薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片廠。這座12吋廠采用當今最高的建筑工藝，大量的使用再生能源與節(jié)能設(shè)計，一落成就是座零碳排的現(xiàn)代化廠房，同時它也充分結(jié)合了自動化與數(shù)字化控制的技術(shù)，并使用人工智能方案來進行維護，以達成最高的營運效率。 英飛凌的資深員工，將第一片出廠的晶圓遞交給執(zhí)行長為了實現(xiàn)這座高科技半導(dǎo)體廠房，英飛凌共募集了16 億歐元的投資額，是歐洲微電子領(lǐng)域中最大規(guī)模的投資項目之一，也是現(xiàn)代化程度最高的半導(dǎo)體組件工廠之一。英飛凌
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何
- 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導(dǎo)體－馬達變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅(qū)動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達變頻器 功率半導(dǎo)體 英飛凌
功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]
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