功率半導(dǎo)體 文章 進入功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)
- ●? ?通過高壓開關(guān)矩陣實現(xiàn)一次性測試，進而提高生產(chǎn)效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設(shè)備的安全性；同時確保符合相關(guān)法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導(dǎo)體的?3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導(dǎo)體測試產(chǎn)品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數(shù)測試，從而顯著提升了功率半導(dǎo)體制造商的生產(chǎn)效率。傳統(tǒng)上
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體
- 根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)?！备鶕?jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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安森美選址捷克共和國打造端到端碳化硅生產(chǎn)，供應(yīng)先進功率半導(dǎo)體
- ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當?shù)貛硐冗M的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導(dǎo)體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體市場起飛！
- 近期，市場各方消息顯示，功率半導(dǎo)體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導(dǎo)體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導(dǎo)體等在內(nèi)的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導(dǎo)體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式開工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導(dǎo)體項目也在上半年有最新動態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢
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一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？
- 隨著企業(yè)向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導(dǎo)體。開發(fā)功率半導(dǎo)體解決方案的關(guān)鍵目標在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應(yīng)運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結(jié)構(gòu)緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能，非常適合熱泵應(yīng)用。熱泵的重要性根據(jù)歐盟統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內(nèi)和熱水供暖。熱泵（圖
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英飛凌為麥田能源提供功率半導(dǎo)體，助力提升儲能應(yīng)用效率
- 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導(dǎo)體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導(dǎo)體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅(qū)動器用于工業(yè)儲能應(yīng)用。?同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導(dǎo)體器件。全球光儲系統(tǒng)（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲能應(yīng)
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三菱電機投資氧化鎵功率半導(dǎo)體
- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導(dǎo)體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導(dǎo)體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據(jù)了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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廠商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據(jù)其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設(shè)備，預(yù)估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產(chǎn)出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的需求
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據(jù)官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構(gòu)的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，提升對于能源轉(zhuǎn)型至關(guān)重要的材料的供應(yīng)。該中心占地445英畝，一期建設(shè)預(yù)計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿足對于能源轉(zhuǎn)型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導(dǎo)體的
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基礎(chǔ)知識之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類為功率半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。 根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過
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國創(chuàng)中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測試實驗室在北京亦莊啟用
- 據(jù)國創(chuàng)中心公眾號消息，近日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心車規(guī)功率半導(dǎo)體測試實驗室正式投入運營，為汽車半導(dǎo)體的技術(shù)進步和質(zhì)量提升提供支撐。由于車規(guī)功率半導(dǎo)體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開關(guān)能力、耐高溫特性等特點，因此需要通過嚴格的質(zhì)量認證和測試來確保其質(zhì)量和可靠性。據(jù)悉，目前，該實驗室測試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標準，并持續(xù)完善車規(guī)級碳化硅（SiC）、板級及系統(tǒng)級測試，確保滿足最嚴苛的汽車電子質(zhì)量要求。其中，面向行業(yè)研究熱點之一的SiC，該實驗室能對Si基和SiC基的DIODE、
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漲價函紛飛，功率半導(dǎo)體乘勢而起？
- 2019至2022年間新能源汽車、光伏、半導(dǎo)體等下游需求持續(xù)旺盛，全球范圍內(nèi)晶圓產(chǎn)能不足，功率半導(dǎo)體行業(yè)供不應(yīng)求，曾出現(xiàn)多次漲價，其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來，全球范圍內(nèi)產(chǎn)能逐步釋放，功率半導(dǎo)體市場行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現(xiàn)供需反轉(zhuǎn)并大幅降價；加之消費電子市場疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導(dǎo)體市場近兩年主旋律。然而，自2023年12月至今年1月，媒體報道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍彩電子、揚州晶新、深微公司在內(nèi)的五家本土功率半導(dǎo)體
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2024年，功率半導(dǎo)體怎么走？
- 功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一。中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，貢獻了約 40% 的功率半導(dǎo)體市場。MOSFET 和 IGBT 為功率半導(dǎo)體產(chǎn)品主力。2023 年，半導(dǎo)體正式步入下行周期。在下行的背景下，整個行業(yè)都面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。功率半導(dǎo)體在瑟瑟的寒風(fēng)中，卻顯得與眾不同。本文中，我們將一起看看功率半導(dǎo)體的 2023 以及 2024 的變化情況。MOSFET 的 2023先來看看 MOSFET 的情況。MOSFET 器件具有開關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定
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功率半導(dǎo)體介紹
《功率半導(dǎo)體 器件 與應(yīng)用》基于前兩章的半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導(dǎo)體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應(yīng)晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [ 查看詳細 ]
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