半導(dǎo)體材料 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)
2012年全球半導(dǎo)體材料市場471億美元
- SEMI Material MarketData Subscription (MMDS)最新研究報告指出，全球半導(dǎo)體材料市場營收在創(chuàng)下連續(xù)三年的佳績后，2012年首度出現(xiàn)微幅下滑，總營收為471億美元，較前年減少2%。 SEMI表示，就市場區(qū)隔來看，晶圓制造以及封裝材料2011年市場分別為242.2億美元及236.2億美元，2012年晶圓制造材料市場為233.8億美元，封裝材料市場則達(dá)237.4億美元，首度超越晶圓制造材料市場。半導(dǎo)體矽晶圓營收不如預(yù)期，成為影響半導(dǎo)體材料營收下滑的因素之一。
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半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素
- 半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。 應(yīng)用材料半導(dǎo)體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到，除了制程演進(jìn)以外，材料技術(shù)更迭也是影響半導(dǎo)體科技持續(xù)突破的關(guān)鍵。 應(yīng)用材料(Applied
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日本電力供應(yīng)短缺致半導(dǎo)體材料漲價聲起
- 日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠，這將讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。分析人士指出，由濱岡核電廠關(guān)閉而引起的日本東北部夏日電力供應(yīng)不足，將導(dǎo)致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料必然漲價，第二、三季的漲幅恐將達(dá)20~30%。
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美研制出新式超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管
- 美國科學(xué)家使用自主設(shè)計的、精確的原子逐層排列技術(shù)，構(gòu)造出了一個超薄的超導(dǎo)場效應(yīng)晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導(dǎo)體的環(huán)境細(xì)節(jié)。發(fā)表于當(dāng)日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導(dǎo)性，加速無電阻電子設(shè)備的研發(fā)進(jìn)程。
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2010年全球半導(dǎo)體材料市場同比增長25％
- 國際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(SEMI)宣布，2010年全球半導(dǎo)體材料市場比上年增長25%，達(dá)到435億5000萬美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長29%的179億美元，封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長21%的206億3000萬美元。SEMI就材料市場擴(kuò)大的理由，列出了前工序中的硅晶圓和后工序中的尖端封裝材料市場均大幅擴(kuò)大。
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2010年全球半導(dǎo)體材料銷售額創(chuàng)下新高
- 由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導(dǎo)體材料市場較2009年增長25%，超過了2007年426.7億美元的高位。 2010年全球半導(dǎo)體材料市場收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場整體增長做出了貢獻(xiàn)。
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2010年全球半導(dǎo)體材料銷售額創(chuàng)下新高
- 由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導(dǎo)體材料市場較2009年增長25%，超過了2007年426.7億美元的高位。 2010年全球半導(dǎo)體材料市場收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場整體增長做出了貢獻(xiàn)。
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半導(dǎo)體材料與設(shè)備業(yè)創(chuàng)新需政策助力
- 從2010年開始，中國集成電路市場步入新一輪成長期，但市場的發(fā)展速度將不會再現(xiàn)前幾年的高速增長態(tài)勢，平穩(wěn)增長將成為未來中國集成電路市場發(fā)展的主旋律。未來3年中國集成電路市場發(fā)展速度將保持在10%以上。因此，國內(nèi)集成電路材料和設(shè)備企業(yè)，應(yīng)該抓住機(jī)遇，努力創(chuàng)新，在重點(diǎn)材料和設(shè)備方面有所突破，滿足國內(nèi)市場需求。
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輝鉬材料異軍突起 或成為新一代半導(dǎo)體材料
- 近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實驗室稱，用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢。研究論文發(fā)表在1月30日的《自然?納米技術(shù)》雜志上。 輝鉬在自然界中含量豐富，通常用于合金鋼或潤滑油添加劑中的成分，在電子學(xué)領(lǐng)域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術(shù)上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽能電池等方面有很大潛
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Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項目
- Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項目。該項目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
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NEULAND開辟可再生能源電力高效利用新途徑
- 隨著全球能源需求的不斷攀升，提高能源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。 為此，德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助，旨在開辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導(dǎo)體的創(chuàng)新功率器件。該項目旨在系統(tǒng)成本不大幅提高的前提下，將可再生能源電力并網(wǎng)損耗降低50%，例如光伏逆變器。
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全球電子化學(xué)品市場前景看好
- 經(jīng)歷了2008年底和2009年初的大幅下挫后，當(dāng)前全球電子化學(xué)品需求已經(jīng)恢復(fù)至下挫前的水平。與此同時，生產(chǎn)商面臨的成本壓力以及市場熱捧新型材料兩大因素正在促使電子化學(xué)品行業(yè)進(jìn)行革新和產(chǎn)業(yè)鏈的整合。這是從國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)于7月中旬在美國舊金山舉辦的2010年SEMICON West國際半導(dǎo)體展上傳出的信息。 微電子公司ATMI公司執(zhí)行副總裁陶得·海因波特曼表示，與2009年相比，當(dāng)前電子化學(xué)品工業(yè)表現(xiàn)景氣，客戶消費(fèi)信心更加充足。在這樣的市場環(huán)境下，全球半導(dǎo)體生產(chǎn)
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斯坦福研究新太陽能技術(shù) 效率提高一倍
- 斯坦福大學(xué)的工程師們正在致力于研發(fā)新技術(shù)，旨在讓目前的太陽能能源系統(tǒng)的效率提升一倍。 這種新的方法被描述為“光子增強(qiáng)熱離子發(fā)射”，克服了傳統(tǒng)的光伏發(fā)電技術(shù)隨著氣溫上升而效率下降的缺點(diǎn)，實現(xiàn)了較高溫度下的能量轉(zhuǎn)換。 研究人員利用一種半導(dǎo)體材料上的銫涂層完成了200攝氏度以上的高溫下正常工作，如果該技術(shù)附加到現(xiàn)有系統(tǒng)中，可以降低部署拋物面天線和熱轉(zhuǎn)換裝置的成本，提高實際效率到50-60%,是目前最高水平的一倍以上。
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SEMI：半導(dǎo)體材料市場反彈至創(chuàng)新的記錄
- 根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預(yù)期2011年的增速減緩。 2010年總的半導(dǎo)體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26，2%)提高到217.1億美元，但仍未超過2008年241.9億美元水平 。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會上公布的數(shù)據(jù)。 在2010年中增長最快是硅片(32%up，達(dá)94.1億美元)，緊接著是光刻膠(2
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東京大學(xué)推出氧化物半導(dǎo)體驅(qū)動液晶面板
- 日本東北大學(xué)研究生院工學(xué)研究科智能元件材料學(xué)專業(yè)教授小池淳一的研究小組開發(fā)出了用于氧化物半導(dǎo)體TFT驅(qū)動的液晶面板、基于Cu-Mn合金的布線工藝，并在有源矩陣型顯示器國際學(xué)會 “AM-FPD 10”(2010年7月5～7日，在東京工業(yè)大學(xué)舉行)上發(fā)表了演講。與目前液晶面板中使用的Al布線相比，Cu布線的電阻要低1/2左右，因而可縮小面板布線的RC延遲。該工藝主要面向大尺寸液晶面板“4K×2K”(4000×2000像素級)以上的高精
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半導(dǎo)體材料介紹
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]
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