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半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)
晶閘管(SCR)原理
- 晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應(yīng)是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎(chǔ)上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸?dǎo)晶閘管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個(gè)方向都具有開(kāi)關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門(mén)極可以自行關(guān)斷的門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門(mén)極輔助關(guān)斷晶閘管(g
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IGBT的保護(hù)
- 將IGBT用于變換器時(shí)，應(yīng)采取保護(hù)措施以防損壞器件，常用的保護(hù)措施有： ?。?） 通過(guò)檢出的過(guò)電流信號(hào)切斷門(mén)極控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)過(guò)電流保護(hù)； （2） 利用緩沖電路抑制過(guò)電壓并限制du/dt； ?。?） 利用溫度傳感器檢測(cè)IGBT的殼溫，當(dāng)超過(guò)允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。 下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過(guò)電流及其保護(hù)措施。 前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當(dāng)流過(guò)IGBT的電流過(guò)大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可控的擎住效應(yīng)。實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)使IGBT的漏極電流不超過(guò)額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
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西安半導(dǎo)體業(yè)：抓住市場(chǎng)熱點(diǎn) 完善產(chǎn)業(yè)體系
- 西安是我國(guó)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地之一。雖然遠(yuǎn)離沿海，但西安仍快速抓住了市場(chǎng)熱點(diǎn)，在“十一五”期間，西安在集成電路產(chǎn)業(yè)方面進(jìn)行錯(cuò)位發(fā)展，將重點(diǎn)集中在設(shè)計(jì)、設(shè)備、材料及導(dǎo)航業(yè)上。 多款自主創(chuàng)新芯片量產(chǎn) 西安的第一個(gè)錯(cuò)位發(fā)展領(lǐng)域是集成電路設(shè)計(jì)業(yè)。“因?yàn)樵O(shè)計(jì)是一個(gè)智力型產(chǎn)業(yè)，西安在這方面的資源非常有優(yōu)勢(shì)?！标兾骷呻娐沸袠I(yè)協(xié)會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)藺建文介紹了其中的原因，“在這方面，我們要發(fā)展一些高端的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新產(chǎn)品，這是我們這幾年花精力比較多的方面。”經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展，目前，設(shè)計(jì)業(yè)已初具規(guī)模。
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iSuppli:07年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)收入將增15%
- 據(jù)外電報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，由于第三季度強(qiáng)勁增長(zhǎng)，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)2007年的銷售收入將達(dá)到iSuppli預(yù)測(cè)的15%的增長(zhǎng)率。 iSuppli稱，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)2007年的銷售收入預(yù)計(jì)將從2006年的450億美元增長(zhǎng)到520億美元。這標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入首次突破500億美元。 iSuppli中國(guó)研究機(jī)構(gòu)的高級(jí)分析師Horse Liu稱，第三季度中間市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求幫助半導(dǎo)體廠商實(shí)現(xiàn)了銷售收入目標(biāo)。同時(shí)，盡管人民幣升值和石油價(jià)格上漲，中國(guó)電子產(chǎn)品出口仍然顯著增長(zhǎng)。
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功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
- 功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏?、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
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全球太陽(yáng)能行業(yè)：硅料供需知多少
- 對(duì)太陽(yáng)能電池行業(yè)供需形勢(shì)的判斷需要了解供給和需求兩個(gè)方面，尤其是多晶硅的供給量。未來(lái)多晶硅供應(yīng)增量包括三部分：傳統(tǒng)大廠的擴(kuò)產(chǎn)、新進(jìn)入廠商的產(chǎn)量、物理法等新技術(shù)增加的產(chǎn)量。傳統(tǒng)大廠太陽(yáng)能級(jí)硅料產(chǎn)能在2008年翻番，2010年達(dá)到40350噸;物理法、FBR等新技術(shù)的計(jì)劃年產(chǎn)能也已經(jīng)超過(guò)1萬(wàn)噸;包括中國(guó)、俄羅斯、西班牙等國(guó)的新廠計(jì)劃產(chǎn)能也超過(guò)20000噸，可靠產(chǎn)能超過(guò)6000噸。 硅料供應(yīng)緊張有望緩解 由硅料供應(yīng)可以判斷太陽(yáng)能行業(yè)供給狀況。太陽(yáng)能電池根據(jù)原料來(lái)源可以分為三類：太陽(yáng)能級(jí)多晶硅制造
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多晶硅技術(shù)有瓶頸 太陽(yáng)能發(fā)電短期難大用
- 太陽(yáng)能是最大的無(wú)污染可再生能源，它取之不盡，用之不竭，是今后人類能源利用的重點(diǎn)。但目前太陽(yáng)能發(fā)電只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。這主要在于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池多晶硅的改良西門(mén)子法耗電量太大，而正在探索中的冶金物理法技術(shù)尚不成熟。這需要我國(guó)科技工作者加快研發(fā)步伐，以期在研制太陽(yáng)能電池方面取得突破性進(jìn)展。 太陽(yáng)能基地電能輸送是難題 太陽(yáng)能是無(wú)污染的巨大能源。太陽(yáng)每秒照射到地球上的能量相當(dāng)于500億噸煤，比目前全人類的能耗量還大3.5萬(wàn)倍。太陽(yáng)內(nèi)部的核聚變可以維持幾百億年，相對(duì)于人類的有限
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分析：今明兩年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景不容樂(lè)觀
- 市場(chǎng)調(diào)研公司Gartner日前降低了對(duì)今明兩年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng)預(yù)測(cè)。它警告稱，隨著該產(chǎn)業(yè)走向32納米工藝技術(shù)，處境只會(huì)變得越發(fā)困難。分析師在日前召開(kāi)的年度吹風(fēng)會(huì)上表示，該產(chǎn)業(yè)明年仍可能陷入衰退，取決于宏觀經(jīng)濟(jì)方面的一些因素。另外，Gartner發(fā)布了2007年的初步市場(chǎng)份額數(shù)據(jù)，顯示東芝、高通和海力士半導(dǎo)體是最大的贏家，而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。 “該市場(chǎng)趨于成熟，到了該進(jìn)一步整合的時(shí)候，”Gartner的半導(dǎo)體研究副總裁BryanLewis表示，“如果你不具備一定的規(guī)?；蛘咴黾?/li>
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晶閘管的保護(hù)措施
- 1、 過(guò)電壓保護(hù) 晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及抑制過(guò)電壓的方法。 過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動(dòng)控制功率很小，開(kāi)關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開(kāi)關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開(kāi)關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動(dòng)功率大，開(kāi)關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開(kāi)關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，棄其缺點(diǎn)，20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機(jī)制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
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功率MOSFET的保護(hù)
- 功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞，柵源間電壓不得超過(guò)
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安森美半導(dǎo)體高效電源管理技術(shù)助力節(jié)能環(huán)保
- 當(dāng)今社會(huì)，能源危機(jī)和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界各國(guó)共同面臨的兩大難題。隨著人們環(huán)保和節(jié)能意識(shí)的增加，低功耗設(shè)計(jì)越來(lái)越受到廠商、消費(fèi)者和各國(guó)政府的關(guān)注，高能效的電源設(shè)計(jì)將成為市場(chǎng)的主導(dǎo)。并且，電源設(shè)計(jì)周期加快、低待機(jī)能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)方法，推動(dòng)電源管理設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。無(wú)論是客觀環(huán)境，還是人們的主觀意識(shí)上，“環(huán)保節(jié)能型”設(shè)計(jì)已是電源管理市場(chǎng)發(fā)展的大趨勢(shì)。 “環(huán)保節(jié)能型”設(shè)計(jì)的需求在給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)巨大機(jī)遇的同時(shí)，也帶來(lái)了重大挑戰(zhàn)。在滿足政府及相關(guān)組織提出的節(jié)能環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)
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2006-2011年亞洲半導(dǎo)體生產(chǎn)每年遞增10.8%
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司In-Stat最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，亞洲半導(dǎo)體制造行業(yè)一直在快速提高生產(chǎn)能力，這種趨勢(shì)在未來(lái)幾年還將繼續(xù)下去。這篇研究報(bào)告預(yù)測(cè)稱，亞洲半導(dǎo)體生產(chǎn)能力從2006年至2011年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為10.8%。 分析師稱，隨著集成設(shè)備廠商外包的增長(zhǎng)，純代工廠商將越來(lái)越重要。純代工廠商在開(kāi)發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)方面將保持領(lǐng)先的地位。亞洲地區(qū)DRAM內(nèi)存和閃存生產(chǎn)能力也將強(qiáng)勁增長(zhǎng)。這篇報(bào)告的要點(diǎn)包括：
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電力雙極型晶體管
- 電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡(jiǎn)稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應(yīng)用中卻工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過(guò)基極控制其開(kāi)通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。 一、電力晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體，2個(gè)PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號(hào)和基本工作原理，如圖1所示。 在應(yīng)用中，GT
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功率二極管原理與應(yīng)用
- 1、 功率二極管的基本特性 圖1（a）和圖1(b)所示為功率二極管的電路符號(hào)和靜態(tài)伏安特性。我們已經(jīng)知道，當(dāng)二極管處在正向電壓作用下，管子兩端正偏壓很小(約1V左右)時(shí)便開(kāi)始導(dǎo)通；若二極管兩端加以反向電壓時(shí)，在被擊穿前僅有極小的可忽略不計(jì)的泄漏電流流過(guò)器件；正常工作時(shí)，加在二極管上的反向電壓應(yīng)小于擊穿限定電壓值。 根據(jù)二極管在阻斷狀態(tài)（反向電壓下）時(shí)僅有極小的漏電流和在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)管壓降很低的特點(diǎn)，比較其工作過(guò)程中的電壓和電流的變化，我們可以得到它的理想伏安特性，如圖1（c）所示。該理想特性可用
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半導(dǎo)體材料介紹
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]
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