半導(dǎo)體材料 文章 進入半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)
半導(dǎo)體高管各執(zhí)己見，2008年產(chǎn)業(yè)前景難卜
- 據(jù)KPMGLLP進行的一項調(diào)查，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高管們預(yù)測明年銷售額溫和增長，增幅低于歷史平均水平。在這次調(diào)查中，99%的高管預(yù)計下一會計年度銷售額增長，約有一半(52%)的高管估計增長率會高于10%。與上年相比，這樣的增長率預(yù)測似乎比較溫和。據(jù)KPMGLLP，去年有60%的受訪者認為增長率會高于10%。 KPMG發(fā)現(xiàn)，只有57%的受訪者預(yù)期明年資本支出增加，大大低于2006年的增長72%。KPMG訪問的高管們指出，中國、美國和歐洲將是增長最快的三大地區(qū)市場。未來三年，消費產(chǎn)品、手機和計算機等應(yīng)用市
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 手機 計算機 半導(dǎo)體材料
守望綠色
- 編者按：節(jié)能就是金錢，對于絕大多數(shù)消費品來說節(jié)能已經(jīng)成為重要的市場競爭力之一。實現(xiàn)電子產(chǎn)品的節(jié)能降耗有多種手段，提高制程工藝是一種方法，但這種方法需要緊緊依靠技術(shù)的發(fā)展趨勢并且將提升產(chǎn)品的成本，因此一個切實可行的重要手段就是提升電源管理的水平。 另一個與綠色有關(guān)的話題是電子污染。電子垃圾已經(jīng)成為威脅人類生存的重要敵人。近年來，人們已經(jīng)開始從源頭對電子污染加以嚴格控制，歐盟的RoHS和中國更為嚴格的電子產(chǎn)品安全管理條例，都盡可能阻止重金屬離子對環(huán)境的進一步污染，據(jù)悉，歐盟已經(jīng)計劃在2008年推行更
- 關(guān)鍵字： 0712_A 雜志_專題 美國國家半導(dǎo)體 凌力爾特 安森美 半導(dǎo)體材料
2008中日韓前瞻計劃項目磁性材料是重點
- 日前，國家自然科學(xué)基金委員會在其官方網(wǎng)站發(fā)布了《關(guān)于征集2008年中日韓A3前瞻計劃項目的通知》，全文如下： 根據(jù)2004年12月在上海舉行的第二屆亞洲研究理事會主席會議所達成的共識，國家自然科學(xué)基金委員會(NSFC)、日本學(xué)術(shù)振興會(JSPS)和韓國科學(xué)與工程基金會(KOSEF)共同設(shè)立了A3前瞻計劃項目(Asia3ForesightProgram)，聯(lián)合資助中、日、韓三國科學(xué)家在選定的戰(zhàn)略領(lǐng)域共同開展世界一流水平的合作研究，目的是使亞洲在該領(lǐng)域成為世界有影響的研究中心之一。另外通過這個計劃的
- 關(guān)鍵字： NSFC 磁性材料 半導(dǎo)體材料
華飛微電子：國產(chǎn)高檔光刻膠的先行者
- 光刻膠是集成電路中實現(xiàn)芯片圖形轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵基礎(chǔ)化學(xué)材料，在光刻膠的高端領(lǐng)域，技術(shù)一直為美國、日本廠商等所壟斷;近年來，本土光刻膠供應(yīng)商開始涉足高檔光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)，蘇州華飛微電子材料有限公司就是其中一家。 據(jù)華飛微電子總工程師兼代總經(jīng)理冉瑞成介紹，目前華飛主要產(chǎn)品系列為248nm成膜樹脂及光刻膠，同時重點研發(fā)193nm成膜樹脂及光刻膠和高檔專用UV成膜樹脂及光刻膠。 冉瑞成表示，248nm深紫外(DUV)光刻膠用于8-12英寸超大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵功能材料，目前的供應(yīng)商基本來自美國、日
- 關(guān)鍵字： 光刻膠 集成電路 芯片 半導(dǎo)體材料
FSI突破硅化物形成步驟中的金屬剝離技術(shù)
- FSI 國際有限公司宣布已成功地采用FSI ViPR™技術(shù)在自對準多晶硅化物形成后去除了未反應(yīng)的金屬薄膜。通過實現(xiàn)這一新的工藝，IC制造商可以在鈷、鎳和鎳鉑硅化物集成過程中，大幅度減少化學(xué)品的使用和降低對資金的要求。新訂購的FSI ZETA® Spray Cleaning System噴霧式清洗系統(tǒng)中已經(jīng)采用了FSI ViPR™技術(shù)，并將用于升級最近已經(jīng)在生產(chǎn)現(xiàn)場安裝的系統(tǒng)。 鎳鉑硅化物最早應(yīng)用于65nm邏輯器件，因為它的阻抗更低，從而可實現(xiàn)器件性能的大幅改善。但
- 關(guān)鍵字： FSI IC 硅 半導(dǎo)體材料
奧地利微電子推出微功耗10位150ksps A/D轉(zhuǎn)換器 AS1528/29
- 奧地利微電子發(fā)布 2 款高性價比的 A/D 轉(zhuǎn)換器以擴展其微功耗 A/D 轉(zhuǎn)換器系列，一款是10位超低功耗單通道全差分A/D 轉(zhuǎn)換器AS1528，另一款是雙通道單端超低功耗 A/D 轉(zhuǎn)換器 AS1529。AS1528/29 系列對于有苛刻空間要求的小型電池驅(qū)動設(shè)備和便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，如遙感器或筆式數(shù)字化儀而言，是理想的解決方案。這些器件采用小型 3x3mm TDFN 8 引腳封裝，可在高達 150 ksps 的采樣速度下以超低功耗運行，實現(xiàn)卓越的動態(tài)性能。 與同系列的 12 位AS1524/2
- 關(guān)鍵字： 奧地利微電子 A/D轉(zhuǎn)換器 AS1528/29 半導(dǎo)體材料
iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期
- 市場研究機構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場銷售收入預(yù)期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 芯片 NAND 半導(dǎo)體材料
中國將出臺政策法規(guī)鼓勵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 國家近期將逐步完善半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策，出臺一系列政策法規(guī)，將產(chǎn)業(yè)發(fā)展逐步納入法制化軌道。 據(jù)電子信息產(chǎn)業(yè)部電子信息管理司丁文武副司長介紹，目前，國家有關(guān)部門正在制定進一步鼓勵I(lǐng)C制造業(yè)發(fā)展的政策，新政策有望在今年底之前出臺。此外，國家有關(guān)部門還制定了軟件與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展條例，將軟件與集成電路發(fā)展納入法制軌道，此條例已經(jīng)納入今年國務(wù)院的立法規(guī)劃。 據(jù)了解，國家“十一五”規(guī)劃和相關(guān)的科技規(guī)劃都把發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為重點，國家“十一五”科技規(guī)劃確定的16個重大專項課題中，有2個與集成電路有關(guān)。“十一
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 集成電路 IC 半導(dǎo)體材料
展望未來10年 預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢
- 1947年12月23日第一塊晶體管在貝爾實驗室誕生，從此人類步入了飛速發(fā)展的電子時代。在晶體管技術(shù)日新月異的60年里，有太多的技術(shù)發(fā)明與突破，也有太多為之作出重要貢獻的偉人們，更有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，曾經(jīng)呼風喚雨的公司不再是永遠的霸主。本文筆者大膽預(yù)言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)四大趨勢。 第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。 回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺積電這個純晶圓代工廠的成立，宣告著半導(dǎo)體制造業(yè)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 晶圓 IC 半導(dǎo)體材料
傳輸型耦合介質(zhì)振蕩器的計算機輔助設(shè)計
- 1 引 言 隨著微波半導(dǎo)體技術(shù)和微波集成電路的發(fā)展，微波設(shè)備和系統(tǒng)也趨向于小型化、輕量化、固態(tài)化和集成化。微波系統(tǒng)中的微波源也對其諧振器的小型化、高Q值提出了迫切的要求。微波介質(zhì)諧振器振蕩器(DRO)由于使用高Q值(5 000～10 000)的微波介質(zhì)諧振器作為穩(wěn)頻元件，故具有頻率穩(wěn)定度高、體積小、重量輕、價格低、結(jié)構(gòu)簡單等突出優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代衛(wèi)星通信和其他微波系統(tǒng)中，成為新一代的微波固態(tài)源。 根據(jù)DR對振蕩電路的不同耦合方式和所起的作用，DRO通?？刹捎脙煞N類型的電路來實現(xiàn)：
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體 集成電路 振蕩器 半導(dǎo)體材料
專家分析:我國電子元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀
- ——電子科技大學(xué)教授、元協(xié)科技委委員楊邦朝 一、歷經(jīng)50年的發(fā)展，我國電子元件的完整產(chǎn)業(yè)體系已全面形成。電子元件產(chǎn)業(yè)得到全面、快速的發(fā)展，無論產(chǎn)品種類、規(guī)格、產(chǎn)能和產(chǎn)量、技術(shù)水平都得到很大提高。 二、我國電子元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模，近20多年來的年增速達20%，2006年我國電子元件規(guī)模以上生產(chǎn)企業(yè)近3700家，銷售收入超過6000多億元。我國電子元件的生產(chǎn)已進一步走向現(xiàn)代化和規(guī)?；瑥亩_立了我國電子元件世界生產(chǎn)大國的地位。主要表現(xiàn)在：我國電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界第一的產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 電子元件 電容器 電感器 半導(dǎo)體材料
今年全球半導(dǎo)體收入達到2703億美元
- 據(jù)國外媒體報道，市場調(diào)研機構(gòu)Gartner公布初步調(diào)查結(jié)果稱，今年全球半導(dǎo)體市場的銷售收入比2006年增長了2.9%達到2703億美元。 在全球最高十家半導(dǎo)體制造商中，有二家公司實現(xiàn)了二位數(shù)增長，但有些廠商的收入低于去年。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，今年英特爾的銷售收入從去年的304億美元增長了8.2%達到329億美元，它的市場份額從去年的11.6%上升為12.2%在全球排名第一。 韓國三星電子位居第二，它的銷售收入從去年的201億美元增長了3.5%為208.5億美元，市場份額與去年持平為7.7%;日本
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體 三星 英特爾 半導(dǎo)體材料
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布大中華地區(qū)市場策略及發(fā)展目標
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)發(fā)布2008年大中華地區(qū)市場策略及業(yè)務(wù)發(fā)展目標。恩智浦半導(dǎo)體為大中華地區(qū)排名前三位的半導(dǎo)體廠商, 在這一市場的營收呈穩(wěn)定成長趨勢并將近占其全球業(yè)務(wù)的30%。展望未來， 恩智浦半導(dǎo)體將繼續(xù)加大創(chuàng)新研發(fā)力度，強化資產(chǎn)輕量化制造戰(zhàn)略,，建立更為高效的團隊來實現(xiàn)其于大中華地區(qū)的中期目標。 在創(chuàng)新技術(shù)方面, 恩智浦持續(xù)領(lǐng)先業(yè)界, 與大中華地區(qū)的合作伙伴在過去一年中保持緊密的合作, 包括與三星及北京天碁科技 (T3G)聯(lián)合推出首款TD-SCDMA/HSDP
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 恩智浦 半導(dǎo)體 發(fā)展目標 半導(dǎo)體材料
中國光伏產(chǎn)業(yè)受硅漲價打擊風光不再
- 編者按：德國最大太陽能企業(yè)Conergy公司今年將出現(xiàn)1.5億～2億歐元稅前虧損，對于中國光伏產(chǎn)業(yè)來說，到底傳遞了怎樣的信息?中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展除了需要企業(yè)自身向上游挺進，還需要哪些政策的支持? “中國的太陽能公司境況也好不了太多，行業(yè)新一輪洗牌為時不遠?！贬槍Φ聡畲筇柲芷髽I(yè)Conergy公司今年將出現(xiàn)1.5億～2億歐元稅前虧損的消息，寧波太陽能公司一位高層昨日在接受《第一財經(jīng)日報》采訪時表示。 行業(yè)利潤急劇降低 隨著太陽能產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，作為太陽能電池板主要原料的多晶硅價格，從2
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 太陽能 光伏產(chǎn)業(yè) 多晶硅 半導(dǎo)體材料
可關(guān)斷晶閘管(GTO)
- 門極可斷晶閘管(gate turn-off thyristor,GTO)是一種具有自斷能力的晶閘管。處于斷態(tài)時，如果有陽極正向電壓，在其門極加上正向觸發(fā)脈沖電流后，GTO可由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，已處于通態(tài)時，門極加上足夠大的反向脈沖電流，GTO由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)。由于不需用外部電路強迫陽極電流為0而使之關(guān)斷，僅由門極加脈沖電流去關(guān)斷它；所以在直流電源供電的DC—DC，DC—AC變換電路中應(yīng)用時不必設(shè)置強迫關(guān)斷電路。這就簡化了電力變換主電路，提高了工作的可靠性，減少了關(guān)斷損耗，與SCR相比還可以提高電力電子變換的
- 關(guān)鍵字： GTO 半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料介紹
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]
半導(dǎo)體材料資料下載
半導(dǎo)體材料專欄文章
熱門主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473