半導(dǎo)體 文章 進入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
印度半導(dǎo)體狂吃補藥 中國相關(guān)新政必須提速
- 搶在中國前面,印度公布了半導(dǎo)體獎勵方案。這引起業(yè)界的警惕,中國半導(dǎo)體新政應(yīng)盡快出臺。 近日,印度政府公布了該國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資獎勵方案框架:在印度經(jīng)濟特區(qū)內(nèi)投資的半導(dǎo)體企業(yè),10年內(nèi)可享受20%的成本優(yōu)惠補助,并可享受其他一些獎勵政策。而對特區(qū)外的半導(dǎo)體企業(yè),未來10年,印度將給予它們25%的成本優(yōu)惠。 具體細(xì)節(jié)將在兩周內(nèi)公布,印度此番大手筆的優(yōu)惠幅度令人動容。顯然,印度希望借助政策補助,在半導(dǎo)體上拷貝軟件的成功。在膨脹的野心下,首先它要把半導(dǎo)體投資的熱情吸引過去。此前,全球半導(dǎo)體投資的重心
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印度半導(dǎo)體新政與日月光入侵的幾點思考
- 半導(dǎo)體制造持續(xù)走俏 如果你現(xiàn)在手握巨額資金準(zhǔn)備投資,我建議你投資半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)。這并非妄言,過去的2006年風(fēng)險投資在半導(dǎo)體基礎(chǔ)制造領(lǐng)域引發(fā)了井噴式的集體收購狂潮,看似平靜的半導(dǎo)體基礎(chǔ)制造產(chǎn)業(yè)瞬間成為風(fēng)投的最大寵兒,半導(dǎo)體發(fā)展的穩(wěn)定和保值是最根本原因。 連續(xù)5年的持續(xù)增長讓半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)樹立起堅挺的聲譽,而電子產(chǎn)品對生活的入侵則成為半導(dǎo)體制造的原動力。不管是哪個領(lǐng)域的電子產(chǎn)品占據(jù)市場的主導(dǎo),半導(dǎo)
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飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降時間,能夠迅速開啟/關(guān)斷MOSFET以減小開關(guān)損耗。FOD3180具有高達2A的峰值輸出電流,毋須額外的功率放大線路便可直接驅(qū)動寬范圍的MOSFET。在太陽能逆變器、高性能不間斷電源(UPS)、DC/DC轉(zhuǎn)換器,以
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飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動器
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動器系列的全新產(chǎn)品,能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降時間,能夠迅速開啟/關(guān)斷MOSFET以減小開關(guān)損耗。FOD3180具有高達2A的峰值輸出電流,毋須額外的功率放大線路便可直接驅(qū)動寬范圍的MOSFET。在太陽能逆變器、高性能不間斷電源(UPS)、DC/D
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印度的下一波浪潮是什么?本地電子市場!
- 據(jù)在班加羅爾的風(fēng)險投資家和美國芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商稱,印度具有針對IT后端和半導(dǎo)體芯片設(shè)計服務(wù)這樣的軟件外包目的地的鮮明優(yōu)勢,與此同時,本地電子設(shè)備硬件市場的增長有望得到迅速地發(fā)展。 “印度的數(shù)字經(jīng)濟正開始發(fā)展,并且它將推動本地(硬件)市場,”據(jù)SandalwoodPartners的執(zhí)行總監(jiān)BobKondamoori表示,SandalwoodPartners是印度及亞太地區(qū)極具活力的一家風(fēng)險投資(VC)公司
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LED基本理論知識(1)
- 一、 半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用 (一)LED發(fā)光原理 發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化鎵)、GaP(磷化鎵)、GaAsP(磷砷化鎵)等半導(dǎo)體制成的,其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性,即正向?qū)?,反向截止、擊穿特性。此外,在一定條件下,它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下,電子由N區(qū)注入P區(qū),空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子(少子)一部分與多數(shù)載流子(多子)復(fù)合而發(fā)光,如圖1所示。 假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的,那么注入的電子與價帶空穴直接復(fù)合而發(fā)
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半導(dǎo)體新政忽視設(shè)計企業(yè) “鼎芯”們?nèi)谫Y仍艱難
- 處于審核階段的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新政策,雖然早成業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注焦點,但部分半導(dǎo)體企業(yè)卻并未現(xiàn)出更多期待。相反,它們甚至有些抱怨。 “說實話,我們擔(dān)心新政策出來還是一根雞肋。拿‘18號文’(《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》)的優(yōu)惠措施,我們只能看,根本就沒辦法享受,大部分優(yōu)惠都讓半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)享受了?!鄙虾R患野雽?dǎo)體設(shè)計企業(yè)市場部經(jīng)理有些不滿地對《第一財經(jīng)日報》說。 &nb
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世界半導(dǎo)體市場展望 持續(xù)增長速度稍緩
- WSTS和SIA日前相繼發(fā)表世界半導(dǎo)體市場的秋季預(yù)測報告,WSTS預(yù)測2006年世界半導(dǎo)體市場增長8.6%,SIA預(yù)測增長9.4%。2006年春WSTS預(yù)測增長10.1%,SIA預(yù)測增長9.8%,分別作了向下修正。主要原因是PC市場呈現(xiàn)調(diào)整局面,Intel和AMD的MPU芯片價格下落,致使MOS微芯片市場經(jīng)過4年連續(xù)增長之后,跌入負(fù)增長。但是,綜觀2006年世界電子產(chǎn)品市場,情況還是不錯的,移動電話增長20%,出貨量超過10億部,數(shù)碼相機出貨量增長11%,MP3激增35%,數(shù)字電視更飚升56%,PC也有1
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美國Novalux于CES2007展示半導(dǎo)體激光光源
- 半導(dǎo)體激光開發(fā)公司,美國Novalux一直致力于開發(fā)使用激光光源的顯示產(chǎn)品。該公司日前在國際消費電子展舉辦同時,展示了采用其生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光“NECSEL”的背投電視試制品。這是根據(jù)三菱電機的一款52英寸DLP背投電視改造而來,把超高壓汞燈和色輪(Color Wheel)光源更換成了該公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體激光“NECSEL”。亮度為700cd/m2以上。Novalux把此次的試制品與液晶電視、等離子電視和試制品的原型——DLP背投電視擺在一塊,通過顯示
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中國集成電路芯片制造能力在未來三年里將翻一番
- 一直以來,諸多海外半導(dǎo)體工業(yè)分析人士對中國大陸不斷傳出的投資興建半導(dǎo)體芯片廠的消息多有困惑。據(jù)說按照純粹理性和冷靜的商業(yè)分析,由于PC工業(yè)在走下坡路、網(wǎng)絡(luò)和移動通訊業(yè)趨于飽和,而新的、具有全局影響力的“殺手級應(yīng)用”還未有端倪,因此目前全球電子產(chǎn)品應(yīng)用市場并不需要大量的芯片制造產(chǎn)能來支撐,如果中國大陸的芯片制造產(chǎn)能在未來三年還是像前三年那樣以接近75%的平均年增長率遞增,有人擔(dān)心中國人正在浪費資金和產(chǎn)能,而且有可能拖累全球芯片制造業(yè)的盈利能力。 不幸的是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及其延伸的行業(yè)即使在全球范圍來
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意法半導(dǎo)體大手筆重組
- 2005年初,當(dāng)Pasquale Pistorio在擔(dān)任意法半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官18年之后退休時,Carlo Bozotti接過了這一重任。Pistorio幫助這家法意合資的芯片制造商一躍成為充滿平衡感、精妙之處和多樣性的全球半導(dǎo)體工業(yè)巨人。 接替Pistorio將面臨極大的困難?,F(xiàn)年53歲的Bozotti要面臨重建公司增長、削減公司成本和鼓勵公司創(chuàng)新營銷等接踵而來的重任。簡而言之,Bozotti的工作就是重組這家歐洲最大的芯片制造商,使其在比以往更加以消費者市場為導(dǎo)向的半導(dǎo)體行業(yè)中抓
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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