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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電將獨(dú)家供應(yīng)高通2023/2024年5G旗艦芯片
- IT之家 7 月 13 日消息，今天分析師郭明錤發(fā)布推文稱，“我的最新調(diào)查顯示，臺(tái)積電將是高通在 2023 年和 2024 年 5G 旗艦芯片的獨(dú)家供應(yīng)商，這對(duì)兩家公司來(lái)說(shuō)，是一個(gè)超級(jí)雙贏局面?！惫麇Z還表示，“高通一直是三星最重要先進(jìn)制程客戶，高通此舉代表臺(tái)積電先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)將顯著領(lǐng)先三星至少至 2025 年。”按照高通的規(guī)劃，2023 年與 2024 年將迭代幾款驍龍 8、驍龍 8+ 5G 旗艦芯片。從驍龍 8+ Gen 1 芯片開(kāi)始，高通開(kāi)始采用臺(tái)積電工藝生產(chǎn) 5G 旗艦 芯片。高通驍龍 8 Gen
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英特爾正從三星和臺(tái)積電招募高管及資深員工，提高其代工競(jìng)爭(zhēng)力
- IT之家7 月 13 日消息，據(jù) The Register 報(bào)道，為了建立能夠與三星和臺(tái)積電抗衡的晶圓代工業(yè)務(wù)，英特爾正積極從三星和臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手中聘請(qǐng)高管和資深員工。據(jù)領(lǐng)英資料顯示，Suk Lee 目前在英特爾代工業(yè)務(wù)中擔(dān)任生態(tài)系統(tǒng)技術(shù)辦公室的副總裁，在此之前，其在臺(tái)積電工作了 13 年，最后的頭銜是設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理部門副總裁。Michael Chang 在英特爾代工業(yè)務(wù)中擔(dān)任客戶支持副總裁，此前在臺(tái)積電工作了 31 年，最后的頭銜是先進(jìn)技術(shù)解決方案總監(jiān)。去年 6 月，英特爾首次高調(diào)聘用外部人員 Ho
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傳英偉達(dá)削減臺(tái)積電的RTX 40系列GPU訂單，AMD和蘋果也有同樣意愿
- 最近幾個(gè)月以來(lái)，隨著通貨膨脹的沖擊以及經(jīng)濟(jì)前景不明朗等因素的影響，消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)的需求正迅速放緩，無(wú)論是智能手機(jī)、PC還是電視等產(chǎn)品，銷量都出現(xiàn)了不同程度的下滑。因應(yīng)市場(chǎng)環(huán)境的變化，各大廠商也開(kāi)始對(duì)生產(chǎn)進(jìn)行調(diào)整。據(jù)DigiTimes報(bào)道，英偉達(dá)、AMD和蘋果都打算修改在臺(tái)積電（TSMC）的訂單。英偉達(dá)正面臨顯卡市場(chǎng)過(guò)度飽和的狀況，以及下一代GPU需求下降的問(wèn)題，正考慮削減基于Ada Lovelace架構(gòu)的GeForce RTX 40系列GPU的訂單。目前英偉達(dá)的合作伙伴還有大量GeForce RTX 3
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蘋果自研處理器M2 Pro/M3曝光 臺(tái)積電3nm工藝
- 芯研所6月29日消息，據(jù)DigiTimes的消息稱，臺(tái)積電將生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，這兩款芯片將采用臺(tái)積電最新3nm工藝技術(shù)。蘋果已經(jīng)預(yù)定臺(tái)積電3nm工藝產(chǎn)能，專門為生產(chǎn)M2 Pro和M3芯片，其性能相比上代會(huì)更強(qiáng)。按照臺(tái)積電之前公布的計(jì)劃，將于2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)3nm芯片。如果消息屬實(shí)的話，那么M2 Max芯片自然也會(huì)升級(jí)至3nm工藝，最后自然還有 M2 Ultra。M1系列芯片都是采用5nm工藝，而已經(jīng)發(fā)布的M2芯片也是5nm，這多少會(huì)讓外界懷疑M2 Pro和M2 Max芯片是否真的會(huì)用3n
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臺(tái)積電營(yíng)收將超英特爾 短期內(nèi)毫無(wú)反超的可能
- 你還記得英特爾第一次成為全球半導(dǎo)體銷售第一是哪一年么？筆者查閱了資料，應(yīng)該是1992年，那一年英特爾終于超越了日本巨頭NEC占據(jù)了半導(dǎo)體的頭把交椅，而這一坐就是24年。直到2017年三星憑借存儲(chǔ)器價(jià)格高漲連奪兩年第一后，2019年又被英特爾重新奪回，不過(guò)2021年三星再次依靠存儲(chǔ)行業(yè)的暴漲拿回了領(lǐng)頭羊位置，而到2022年年終結(jié)算的時(shí)候，英特爾可能不僅保不住第一的位置，甚至連第二的位置都很難守住。因?yàn)榘凑罩袊?guó)臺(tái)灣媒體的報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）依靠快速增長(zhǎng)的營(yíng)收，正在無(wú)限逼近英特爾，很有可能在三季度實(shí)現(xiàn)在營(yíng)收
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西門子擴(kuò)展多款 IC 設(shè)計(jì)解決方案對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)工藝的支持
- 獲得臺(tái)積電技術(shù)認(rèn)證的西門子EDA 產(chǎn)品包括 Calibre?nmPlatform——用于 IC 簽核的領(lǐng)先物理驗(yàn)證解決方案；以及 Analog FastSPICE? 平臺(tái)——專為納米級(jí)模擬、射頻（RF）、混合信號(hào)、存儲(chǔ)器和定制數(shù)字電路提供快速電路驗(yàn)證。這兩個(gè)產(chǎn)品系列目前均已獲得臺(tái)積電 N4P 和 N3E 工藝認(rèn)證。作為臺(tái)積電 N3E 工藝的定制設(shè)計(jì)參考流程 (CDRF) 的一部分，Analog FastSPICE 平臺(tái)還可支持可靠性感知仿真，包括老化、實(shí)時(shí)自熱效應(yīng)和高級(jí)可靠性功能。 Calibr
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臺(tái)積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開(kāi)幕
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電總裁魏哲家24日出席「臺(tái)積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心」開(kāi)幕啟用典禮，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺(tái)積電設(shè)立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠商合作，總投資金額達(dá)370億日?qǐng)A，日本政府透過(guò)新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）出資190億日?qǐng)A。臺(tái)積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺(tái)積電日本3DIC研究開(kāi)發(fā)中心24日開(kāi)幕啟用，由于日本已開(kāi)放臺(tái)灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離，魏哲家與臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席，說(shuō)明臺(tái)
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是德科技與新思科技共同合作，支持臺(tái)積電 N6RF 設(shè)計(jì)參考流程
- 是德科技（Keysight Technologies Inc.） 是推動(dòng)全球企業(yè)、服務(wù)供應(yīng)商和政府機(jī)構(gòu)網(wǎng)路連接與安全創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商，該公司日前宣布其 Keysight PathWave RFPro 與新思科技（Synopsys）定制化編譯器設(shè)計(jì)環(huán)境已完成整合，以便支持臺(tái)積電（TSMC）最新的 6 納米 RF（N6RF）設(shè)計(jì)參考流程。對(duì)于集成電路（IC）設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，EDA 工具和設(shè)計(jì)方法至關(guān)重要。最新的 TSMC N6RF 設(shè)計(jì)參考流程，為設(shè)計(jì)人員提供重要指引，使其能夠利用臺(tái)積電先進(jìn)的 N6RF 互補(bǔ)
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日本為中國(guó)芯片企業(yè)補(bǔ)貼4760億
- 近日，由臺(tái)積電在日本九州熊本縣的晶圓廠獲得了日本官方給予的4760億日元（折合人民幣約237億元）的補(bǔ)助。而這座工廠的計(jì)劃成本為1.1萬(wàn)億日元，所以此次的補(bǔ)貼占據(jù)了投資計(jì)劃的43%。根據(jù)此前消息，臺(tái)積電計(jì)劃該工廠與2024年12月開(kāi)始投產(chǎn)，預(yù)計(jì)生產(chǎn)28nm~22nm制程工藝，未來(lái)可能會(huì)升級(jí)到12nm~16nm制程工藝。值得一提的是，雖然此次日本官方的補(bǔ)貼占據(jù)了投資計(jì)劃的43%，但臺(tái)積電依舊全資持有該工廠。
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密度僅提升10% 臺(tái)積電2nm工藝擠牙膏：Intel要贏回來(lái)了
- 在技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%?！ ∪欢阅芗肮目粗€不錯(cuò)，但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝?！ ∨_(tái)積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗(yàn)很多。 密度提
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 英特爾
臺(tái)積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%
- 日前，臺(tái)積電全面公開(kāi)了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯(cuò)，但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來(lái)看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺(tái)積電沒(méi)有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗(yàn)很多。
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臺(tái)積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機(jī)
- 臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結(jié)構(gòu)，取代FinFET。期間，臺(tái)積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備，EUV光刻機(jī)少不了要采購(gòu)一大批。臺(tái)積電表示，計(jì)劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機(jī)。此前，Intel曾說(shuō)自己是第一個(gè)訂購(gòu)ASML下一代EUV光刻機(jī)的
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 Intel 三星 ASML EUV光刻機(jī)
臺(tái)積電高管：將在2024年引入阿斯麥最新極紫外光刻機(jī)
- 6月17日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電高管周四表示，該公司將在2024年引入荷蘭廠商阿斯麥的最新一代光刻機(jī)?！ ∨_(tái)積電研發(fā)高級(jí)副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會(huì)上表示，“展望未來(lái)，臺(tái)積電將在2024年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)，為的是開(kāi)發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)創(chuàng)新?！薄 ∶子窠懿⑽赐嘎缎乱淮饪虣C(jī)引入后何時(shí)用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機(jī)能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾公司此前表示，將在2025年之前開(kāi)始使用新一代光刻機(jī)生產(chǎn)芯片，并
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臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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