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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

          紫光國芯發(fā)布上半年財報:存儲器芯片業(yè)務增幅超過30%

          •   8月18日,紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)對外公布了2016年上半年(1月-6月)財務報告。   財報顯示,紫光國芯2016年上半年營收和利潤實現(xiàn)雙增長,營業(yè)總收入達到6.46億元,比上年同期增長15.76%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.50億元,比上年同期增長12.76%。   盡管全球經(jīng)濟環(huán)境并不是太好,但得益于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,紫光國芯經(jīng)營業(yè)績保持了快速增長的態(tài)勢。        圖片來源:紫光國芯財報   存儲器芯片業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 紫光  存儲器  

          3D NAND風暴來襲,中國存儲器廠商如何接招?

          • 中國正在下大力度推進存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認為是一個有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲器  

          丁文武點評存儲器市場:人才是競爭的關(guān)鍵

          •   在日前舉行的“國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示,目前,存儲器已經(jīng)成為我國進口的最大宗商品,2015年進口額超2100億美金。   與此同時,由于存儲器涉及到信息存儲,信息安全等方面,其已經(jīng)成為信息安全和產(chǎn)業(yè)安全基石。   存儲器在集成電路中的地位以及我國對于存儲器的旺盛需求,讓全國各個地方基金對于發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)具有非常高的積極性。目前,武漢、深圳、福建、合肥、北京等針對存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進行相應的投資與布局。   以武漢為例,武漢已經(jīng)明
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  集成電路  

          解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑

          • 中中國下決心做存儲器芯片,是個特別重大,而又十分艱難的決定,國存儲器業(yè)要取得成功,總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時間的實踐,有一定進展,但是情況也有些變化,這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

          STM32學習筆記-Flash作為存儲器儲存數(shù)據(jù)

          •   說到STM32的FLSAH,我們的第一反應是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。   自己收集了一些資料,現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下,不想看的可以直接調(diào)到后面看怎么操作就可以了。   FLASH分類   根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序,我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存
          • 關(guān)鍵字: STM32  存儲器  

          長江存儲推動國家存儲器戰(zhàn)略落地,魏少軍:三年后最難

          •   針對近期關(guān)于“紫光收購武漢新芯”的市場傳聞,《第一財經(jīng)日報》記者采訪武漢新芯獲悉,3月28日國家存儲器基地在武漢啟動的四個月后,今年7月26日,長江存儲科技有限責任公司(下稱“長江存儲”)正式成立,武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司,而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。   專家觀點   為做大做強中國存儲器產(chǎn)業(yè)開了好頭   “長江存儲的股權(quán)安排從根本上避免了有限資源的分散和潛在的惡性競爭,對于不同存儲器產(chǎn)品的規(guī)劃和發(fā)展也更易于實現(xiàn)優(yōu)
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲  存儲器  

          28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

          •   SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   三星晶圓代工業(yè)務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   SamsungFoundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示,該公司的技術(shù)藍圖顯示,28
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  MRAM  

          老杳:收編新芯,紫光扛起中國存儲器大旗

          •   長江存儲科技有限責任公司成立,清華紫光成為武漢新芯的新東家,正式扛起中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的大旗。   自從國家計劃大力發(fā)展存儲器,大陸已經(jīng)有三地啟動了存儲器發(fā)展計劃,北京紫光最早,不過動作最慢,武漢新芯已經(jīng)啟動FLASH工廠建設,而福建晉華則聯(lián)合 聯(lián)電啟動了DRAM工廠建設,傳聞中合肥也將建設存儲器基地。除紫光外,無論武漢、泉州還是合肥,都是當?shù)卣度刖揞~資金扶植發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。   存儲器是個充分市場競爭的行業(yè),目前全球范圍內(nèi)五強爭霸,韓國的三星、海力士,美國的Intel、美光,此外還包括日本的
          • 關(guān)鍵字: 紫光  存儲器  

          28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

          •   Samsung Foundry準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   三星晶圓代工業(yè)務(Samsung Foundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。   Samsung Foundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該
          • 關(guān)鍵字: FD-SOI  存儲器  

          提高國際競爭力 “誰”來領(lǐng)軍中國半導體產(chǎn)業(yè)?

          • 這話說的有點大,小編不知道怎么寫摘要了,網(wǎng)友們有什么建議。
          • 關(guān)鍵字: 半導體  存儲器  

          存儲器做強做大:三星格局怎么破?

          • 存儲器行業(yè)在全國各地開花,為什么不能嘗試區(qū)域融合?或許拳頭出擊,才最有可能打破行業(yè)壟斷格局。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  存儲  

          全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場消長   在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點便是高效能,應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣列
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  

          打破“缺芯之痛” 存儲器芯片國產(chǎn)化布局加速

          • 大力發(fā)展存儲器不僅是市場需求,同時也是信息安全和產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略需要。
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  芯片  

          海絲起點 內(nèi)存啟航

          •   7月16日,福建省晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線項目(以下簡稱“晉華項目”)開工儀式在泉州晉江舉行。該項目一期投資370億元,是福建省發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略布局,將打造成為國內(nèi)首家具有自主技術(shù)及世界級制造工藝水平的存儲器研發(fā)制造企業(yè)。   當天,包括國家相關(guān)部委、國家集成電路投資基金、中國科學院微電子研究所等單位近百名國內(nèi)外資深專家、業(yè)界重量級嘉賓,以及近200家產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)代表出席開工儀式,共同見證晉江全新千億集成電路產(chǎn)業(yè)起航,奏響“中國內(nèi)存最強音”
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  集成電路  

          全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

          •   許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場消長   在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣點便是高效能,應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。   我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段:   第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣
          • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  
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          存儲器介紹

          什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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