存儲器 文章 進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技
- 這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設(shè)計更簡單中國，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)
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嵌入式設(shè)計經(jīng)驗(yàn)分享：存儲器以及BootLoader的一些
- 在大學(xué)的時候很少關(guān)心單片機(jī)內(nèi)部存儲器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用，只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別，甚至只是知道程序下載到ROM中就能運(yùn)行了。其他的如何工作程
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一種新型非易失性存儲器的原理及應(yīng)用
- 縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導(dǎo)地
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
- 行業(yè)專家認(rèn)為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的
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非揮發(fā)性存儲器改寫產(chǎn)業(yè)合作模式
- 標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)格一直是確保記憶體正常運(yùn)作于更廣泛系統(tǒng)中的關(guān)鍵，但隨著技術(shù)進(jìn)展以及記憶體與儲存產(chǎn)業(yè)開始整并，改變了供應(yīng)商及其客戶之間的合作關(guān)系... 美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奧斯汀成立美光儲存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就來自于這種新合作模式的帶動。美光科技儲存軟體工程副總裁Steve Moyer指出，其引爆點(diǎn)就是業(yè)界開始轉(zhuǎn)型至非揮發(fā)性記憶體技術(shù)以及快閃記憶體成為新興的儲存技術(shù)。 &ldq
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存儲器需求動能強(qiáng)勁，第四季DRAM合約價有望再漲逾一成
- 受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動，存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機(jī)延續(xù)強(qiáng)勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預(yù)計將同步上揚(yáng)，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。 供應(yīng)持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 由于今年中國品牌智能手機(jī)表現(xiàn)超乎預(yù)期，服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺系服務(wù)器代工廠
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英特爾因應(yīng)深度學(xué)習(xí)需求 對Xeon Phi進(jìn)行調(diào)整
- 軟、硬件共同設(shè)計趨勢正在席卷整個IT部門，不論是資料分析或是機(jī)器學(xué)習(xí)，每種工作項目的分工都 將更為精細(xì)，硬件廠商也開始針對軟體設(shè)計新的產(chǎn)品。為了維系資料中心的市場霸主地位，英特爾(Intel)瞄準(zhǔn)機(jī)器學(xué)習(xí)的特殊需求，將推出代號為 Knights Mill的多核心處理器。 據(jù)The Next Platform報導(dǎo)，英特爾現(xiàn)有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
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IDC:Q2全球手機(jī)制造廠排行,零部件缺貨導(dǎo)致再洗牌
- IDC昨天公布，2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺，全球智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)制造量較首季僅成長4.8%。且因關(guān)鍵零組件短缺，造成排名的洗牌效應(yīng)。 IDC全球硬件組裝研究團(tuán)隊研究經(jīng)理高鴻翔指出，在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下，2016年第2季全球智能手機(jī)組裝產(chǎn)業(yè)競爭，呈現(xiàn)大陸廠商比重持續(xù)提升(44.1%上升至46.4%)、臺灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態(tài)勢。 由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺，形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
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東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨
- 東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進(jìn)步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍(lán)圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。 這款新型存儲器沿襲48層BiC
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美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲器運(yùn)行速度的努力進(jìn)程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運(yùn)行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo)，所謂的相變化存儲器運(yùn)作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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清華控股徐井宏：走向制造強(qiáng)國須靠扎實(shí)創(chuàng)新
- 略有變化，卻并不意外。隨著2016中國企業(yè)500強(qiáng)榜單的發(fā)布，人們看到，國家電網(wǎng)以20713.49億元的營業(yè)收入首次排名中國企業(yè)500強(qiáng)榜首， 中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。 “剛才我們也在討論，中國500強(qiáng)越來越大，每年中國進(jìn)入世界500強(qiáng)的企業(yè)在增加，但是大部分是央企， 是資源壟斷型、市場壟斷型企業(yè)，我們真正擁有自己關(guān)鍵技術(shù)的企業(yè)寥寥無幾，像華為這
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
存儲器電路
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