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安森美
安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)
即將亮相2023北京國(guó)際聽(tīng)力學(xué)大會(huì)，安森美硬核聽(tīng)力方案了解下~
- 輔聽(tīng)耳機(jī)，音頻市場(chǎng)下一個(gè)突破點(diǎn)？助聽(tīng)器無(wú)線(xiàn)化、智能化，安森美有什么絕招？5月26日至5月28日2023年北京國(guó)際聽(tīng)力學(xué)大會(huì)——云集芯片、器件、算法、整機(jī)算法的行業(yè)盛會(huì)鎖定#B31展位聽(tīng)安森美為您娓娓道來(lái)話(huà)不多說(shuō)，先來(lái)劇透一波安森美的硬核展品！智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi）擁有30多年的助聽(tīng)器芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，是行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的助聽(tīng)器芯片供應(yīng)商，將在#B31展位展示一系列先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)數(shù)字助聽(tīng)器/OTC輔聽(tīng)方案，包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍(lán)牙無(wú)線(xiàn)OTC
- 關(guān)鍵字： 北京國(guó)際聽(tīng)力學(xué)大會(huì) 安森美 聽(tīng)力方案
關(guān)于圖像傳感器的像素誤區(qū)
- 圖像傳感器的應(yīng)用日益普及，特別是在安防、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域。很多汽車(chē)現(xiàn)在都配備了至少五個(gè)以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是，圖像傳感器技術(shù)不同于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體技術(shù)，存在著一些錯(cuò)誤認(rèn)知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設(shè)著名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾（Fairchild半導(dǎo)體公司的創(chuàng)始人，F(xiàn)airchild半導(dǎo)體現(xiàn)在是安森美的一部分）指出，集成電路 (IC) 上的晶體管數(shù)量每?jī)赡暝黾右槐丁榱藢杀稊?shù)量的晶體管放置在單個(gè)器件上，縮小晶體管是主要實(shí)現(xiàn)方式。這種趨勢(shì)已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年，但近年晶體管數(shù)量增長(zhǎng)
- 關(guān)鍵字： 安森美 圖像傳感器
使用NCP1623A設(shè)計(jì)緊湊高效的PFC級(jí)的關(guān)鍵步驟
- 本文介紹了快速設(shè)計(jì)由 NCP1623 驅(qū)動(dòng)的 CrM/DCM PFC 級(jí)的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規(guī)格與功率級(jí)設(shè)計(jì)，并以實(shí)際的 100W 通用電源應(yīng)用為例進(jìn)行說(shuō)明，IC控制電路設(shè)計(jì)將在后續(xù)的推文中分享?！?nbsp; 最大輸出功率：100 W● Rms 線(xiàn)路電壓范圍：90 V - 264 V● 調(diào)節(jié)輸出電壓：● 低壓為 250 V（115V 電源）● 高壓為 390 V（230V 電源）NCP1623 具有多個(gè)選項(xiàng)，本文側(cè)重于NCP1623A，它與其他版本的主要
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1623A PFC
貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
- 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤 安森美 EliteSiC 碳化硅
揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
- 眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，接下來(lái)我們來(lái)看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設(shè)計(jì)和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。Die Layout下圖是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(pán)(Source pad)，柵極焊盤(pán)(Gate P
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安森美入選美國(guó)《巴倫周刊》2023 年美國(guó)最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單
- 2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）宣布，公司入選《巴倫周刊》美國(guó)最具可持續(xù)發(fā)展力的100家公司榜單?！栋蛡愔芸吩u(píng)估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會(huì)和管治 (ESG) 方面的230項(xiàng)績(jī)效指標(biāo)，排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動(dòng)評(píng)選以來(lái)，安森美已連續(xù)六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執(zhí)行和披露可持續(xù)發(fā)展及 ESG 目標(biāo)方面的領(lǐng)導(dǎo)力，公司在其年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告中介紹相關(guān)指標(biāo)及其進(jìn)展情況，并根據(jù)全球報(bào)
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封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)：不同模型下的瞬態(tài)響應(yīng)分析
- 在封裝開(kāi)發(fā)中，如何正確使用數(shù)據(jù)表的熱特性參數(shù)以做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。之前我們討論了穩(wěn)態(tài)數(shù)據(jù)和瞬態(tài)數(shù)據(jù)的解讀與多輸入瞬態(tài)模型，今天我們將繼續(xù)分析各種模型下的瞬態(tài)響應(yīng)。多結(jié)器件和瞬態(tài)響應(yīng)上一部分中提到了多輸入瞬態(tài)模型。正如熱系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)描述一樣，也可以構(gòu)建多結(jié)器件的瞬態(tài)描述。如果遵循矩陣方法，唯一區(qū)別是矩陣的每個(gè)元素都是時(shí)間的函數(shù)。對(duì)于器件中的每個(gè)熱源，都會(huì)有一條“自發(fā)熱”瞬態(tài)響應(yīng)曲線(xiàn)；對(duì)于系統(tǒng)中的每個(gè)其他關(guān)注點(diǎn)，都會(huì)存在一條“相互作用”瞬態(tài)響應(yīng)曲線(xiàn)。在同樣的限制性假設(shè)的約束下，線(xiàn)性疊加和互易原理仍然
- 關(guān)鍵字： 安森美 封裝技術(shù)
安森美：傳統(tǒng)工業(yè)市場(chǎng)升級(jí)帶來(lái)電機(jī)控制新機(jī)遇
- 在后疫情時(shí)代，安森美認(rèn)為在大型和手持電器、機(jī)器人、伺服驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域，對(duì)無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC) 需求較大，將會(huì)是重點(diǎn)增長(zhǎng)的幾個(gè)應(yīng)用方向。同時(shí)安森美也預(yù)計(jì)所有氣體動(dòng)力工具/手持電器會(huì)繼續(xù)向電氣化發(fā)展，在伺服和自動(dòng)化等更傳統(tǒng)的工業(yè)應(yīng)用中也會(huì)看到比較大的潛力。特別的，無(wú)刷直流電機(jī)（BLDC）和永磁同步電機(jī)（PMSM）市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，因?yàn)樗鼈冮_(kāi)始滲入更多的傳統(tǒng)工業(yè)市場(chǎng)，如伺服電機(jī)。為了應(yīng)對(duì)這樣的市場(chǎng)需求，安森美(onsemi) 在電機(jī)控制領(lǐng)域主打從器件到系統(tǒng)的靈活性解決方案，即提供針對(duì)無(wú)刷直流(BLDC) 應(yīng)用的
- 關(guān)鍵字： 202303 安森美 電機(jī)控制
安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT FS7
安森美推出仿真工具，助力加速?gòu)?fù)雜電力電子應(yīng)用上市周期
- 2023 年 3 月 22日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），針對(duì)其EliteSiC碳化硅（SiC）產(chǎn)品系列及其應(yīng)用推出一款突破性的仿真工具。全新的Elite Power Simulator在線(xiàn)仿真工具和PLECS模型自助生成工具，使工程師在開(kāi)發(fā)周期的早期階段，通過(guò)對(duì)復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真，獲得有價(jià)值的參考信息。這些工具提供尖端前沿的精確仿真數(shù)據(jù)，從而讓客戶(hù)根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)行EliteSiC產(chǎn)品選型，無(wú)需耗費(fèi)成本和時(shí)間進(jìn)行硬件制造和測(cè)試，為電力電子工
- 關(guān)鍵字： 安森美 仿真工具 復(fù)雜電力電子應(yīng)用
安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺(tái)，性能領(lǐng)先，應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)
- 2023 年 3 月 21日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用能效，將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT FS7開(kāi)關(guān)
安森美最新的800萬(wàn)像素圖像傳感器實(shí)現(xiàn)絕佳的4K視頻質(zhì)量
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），宣布推出一款創(chuàng)新的圖像傳感器--AR0822。該器件的嵌入式高動(dòng)態(tài)范圍（eHDRTM）功能和優(yōu)化的近紅外（NIR）響應(yīng)對(duì)于照明條件惡劣的應(yīng)用至關(guān)重要，如安防監(jiān)控、隨身攝像機(jī)、門(mén)鈴攝像頭和機(jī)器人。該傳感器的低功耗架構(gòu)和運(yùn)動(dòng)喚醒功能旨在大幅降低系統(tǒng)功耗。AR0822是800萬(wàn)像素（MP）的堆疊式1/1.8英寸（對(duì)角線(xiàn)8.81毫米）背照式（BSI）CMOS數(shù)字圖像傳感器，基于2.0?μm像素。它具有3840（H）× 2160（V）的有效像素陣列，能
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安森美擴(kuò)展藍(lán)牙低功耗微控制器(MCU)系列到汽車(chē)無(wú)線(xiàn)應(yīng)用
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日推出采用藍(lán)牙低功耗聯(lián)接的超低功耗車(chē)規(guī)級(jí)無(wú)線(xiàn)微控制器。隨著傳感器數(shù)量和車(chē)載通信的增加，汽車(chē)制造商越來(lái)越傾向于使用無(wú)線(xiàn)連接技術(shù)，以減少布線(xiàn)成本和重量，NCV-RSL15是其理想選擇。另一方面，傳感器部署數(shù)量上升可能會(huì)導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)攻擊次數(shù)隨之增加，加劇安全問(wèn)題。使用這款新型微控制器可解決這類(lèi)安全隱患。雖然胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(TMS)和其他感知應(yīng)用中的傳感器和一般功能清單不斷增長(zhǎng)，但功耗預(yù)算卻沒(méi)有增加。同時(shí)，現(xiàn)在有些應(yīng)用要求電池的使用壽命能達(dá)到10年。NCV-RSL1
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封裝設(shè)計(jì)解惑：如何使用數(shù)據(jù)表中的穩(wěn)態(tài)熱特性參數(shù)
- 在使用數(shù)據(jù)表中的熱特性參數(shù)時(shí)，如何做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。本文將幫助您了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù)：包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計(jì)算，以及如何以實(shí)用的方式將其應(yīng)用于設(shè)計(jì)，這里我們將重點(diǎn)討論在穩(wěn)態(tài)工作條件下的情況。定義環(huán)境溫度 TA所有熱量最終到達(dá)的環(huán)境的溫度，環(huán)境在熱意義上“遠(yuǎn)離”器件。外殼溫度 TC?器件外部“殼體”上代表點(diǎn)的溫度；使用任何基于此值的參數(shù)時(shí)，代表點(diǎn)的位置必須明確定義。結(jié)溫 TJ??半導(dǎo)體器件內(nèi)部最熱點(diǎn)的溫度。ψ-JT熱特性參數(shù)，在結(jié)至外殼頂部 (T
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安森美加入科學(xué)碳目標(biāo)倡議,去碳化工作邁出關(guān)鍵一步
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布已加入科學(xué)碳目標(biāo)倡議 (以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBTi”)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官 Hassane El-Khoury 近期簽署了一份承諾書(shū)并提交至 SBTi，開(kāi)啟了為期 24 個(gè)月的目標(biāo)驗(yàn)證過(guò)程。這是公司去碳化進(jìn)程的關(guān)鍵一步，展示了其在 2040 年前實(shí)現(xiàn)凈零排放這一氣候目標(biāo)的透明度。該承諾書(shū)提交后，公司承諾制定符合 SBTi 標(biāo)準(zhǔn)的短期科學(xué)減排目標(biāo)，以確保將全球氣溫升幅控制在比工業(yè)化前水平高 1.5°C 之內(nèi)，避免超出閾值而加劇氣候變化的影響。?
- 關(guān)鍵字： 安森美 科學(xué)碳目標(biāo)倡議
安森美介紹
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國(guó)亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]
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