碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

PCIM2024論文摘要｜離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)

梗概隨著全球低碳化的進(jìn)程，可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來(lái)越高，此種背景下，儲(chǔ)能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動(dòng)性，PCS作為儲(chǔ)能系統(tǒng)的核心裝置應(yīng)用廣泛。在工商業(yè)應(yīng)用里，存在單相負(fù)載與三相不平衡負(fù)載，為了滿足單相供電需求以及對(duì)三相不平衡電壓的抑制，三相四線變流器拓?fù)涫欠浅１匾?，常?jiàn)的拓?fù)湫问接幸韵聨追N：a)三橋臂分裂電容式拓?fù)鋌) 平衡橋臂拓?fù)鋱D一分裂電容式拓?fù)洌捎贜線電流流過(guò)母線電容，電容容量需求增大，且直流電壓利用率較低，諧波畸變較大，抑制三相不平衡能力相對(duì)有限，平衡橋臂式拓?fù)渫ㄟ^(guò)硬件電路增強(qiáng)中
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碳化硅，跨入高速軌道

正如業(yè)界預(yù)期的那樣，目前碳化硅正邁入高速增長(zhǎng)階段。觀察市場(chǎng)情況，碳化硅產(chǎn)業(yè)熱鬧不斷：英飛凌、意法半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、三安光電、羅姆等大廠加速擴(kuò)充碳化硅產(chǎn)能；英國(guó)Alan Anderson公司和印度大陸器件公司CDIL簽署合作協(xié)議，安森美與Entegris已開(kāi)展合作，PVA TePle已與Scientific Visual建立合作伙伴關(guān)系；印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics收購(gòu)美國(guó)碳化硅相關(guān)公司Nisene；長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)
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8英寸碳化硅，如火如荼

近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動(dòng)。功率半導(dǎo)體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動(dòng)位于馬來(lái)西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競(jìng)爭(zhēng)力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體晶圓廠，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級(jí)是技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)。業(yè)界人士稱，預(yù)計(jì)從2026年至2027年開(kāi)始，現(xiàn)在的6英寸碳化硅產(chǎn)品都將被8英寸產(chǎn)品替代。當(dāng)前來(lái)看，第三代半導(dǎo)體碳化硅加速邁進(jìn)8英寸時(shí)代，并引得“天下群雄”踴躍進(jìn)軍。據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，英
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印度芯片制造商宣布收購(gòu)碳化硅相關(guān)廠商

據(jù)外媒報(bào)道，8月5日，印度首家半導(dǎo)體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購(gòu)美國(guó)公司Nisene Technology Group Inc。此次收購(gòu)由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics Intelligent Materials Pte Ltd.執(zhí)行。Nisene即將上任的首席執(zhí)行官Ryan Young表示，此次收購(gòu)補(bǔ)充了Polymatech的尖端產(chǎn)品組合，并推動(dòng)了新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。資料顯示，Nisene自20世紀(jì)70
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英飛凌于馬來(lái)西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

●? ?馬來(lái)西亞總理、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項(xiàng)目的生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式?！? ?新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位?！? ?強(qiáng)有力的客戶支持與承諾以及重要的設(shè)計(jì)訂單為持續(xù)擴(kuò)建提供了支撐?！? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。馬來(lái)西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務(wù)大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Han
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英飛凌馬來(lái)西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來(lái)將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來(lái)西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓?！?英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計(jì)劃，投資額達(dá) 20 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個(gè)高價(jià)值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價(jià)值 50 億美元（當(dāng)前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計(jì)劃
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Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計(jì)靈活性

Nexperia近日宣布，公司正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對(duì)低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計(jì)人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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ROHM開(kāi)發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET，非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用！

~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，有助于車載應(yīng)用的高效運(yùn)行和小型化~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢(shì)的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前，3種封裝10種型號(hào)的新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始銷售，未來(lái)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。在汽車領(lǐng)域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產(chǎn)品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
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很基礎(chǔ)的MOS管知識(shí)

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的，所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管（FET），簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場(chǎng)效應(yīng)管”你會(huì)發(fā)現(xiàn)，搜索出來(lái)的基本上是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管”，出來(lái)的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺(jué)，沒(méi)錯(cuò)，JFE
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實(shí)現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革，近幾年全球?qū)矣脙?chǔ)能系統(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長(zhǎng)。2023年，全球家用儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額達(dá)到了87.4億美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到498.6億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)經(jīng)過(guò)了一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)的狂歡后，現(xiàn)在也迎來(lái)了穩(wěn)定增長(zhǎng)期，從未來(lái)看，預(yù)計(jì)在2027年便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)將達(dá)到900億元；AI Server市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，帶來(lái)了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求，現(xiàn)在單機(jī)3KW的Power也成為了標(biāo)配。對(duì)于
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碳化硅半導(dǎo)體--電動(dòng)汽車和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

毋庸置疑，從社會(huì)發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車（EV）和太陽(yáng)能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)行。為了進(jìn)一步推動(dòng)這些可持續(xù)解決方案，
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還分不清結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個(gè)關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因?yàn)楹笳咔度肓私^緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
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碳化硅廠商，忙得不亦樂(lè)乎

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貿(mào)澤開(kāi)售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開(kāi)售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開(kāi)啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見(jiàn)電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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安森美加速碳化硅創(chuàng)新，助力推進(jìn)電氣化轉(zhuǎn)型

新聞要點(diǎn)●? ?最新一代EliteSiC M3e MOSFET能將電氣化應(yīng)用的關(guān)斷損耗降低多達(dá) 50%●? ?該平臺(tái)采用經(jīng)過(guò)實(shí)際驗(yàn)證的平面架構(gòu)，以獨(dú)特方式降低了導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗●? ?與安森美(onsemi) 智能電源產(chǎn)品組合搭配使用時(shí)，EliteSiC M3e 可以提供更優(yōu)化的系統(tǒng)方案并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間●? ?安森美宣布計(jì)劃在 2030 年前加速推出多款新一代碳化硅產(chǎn)品 ? ? ?面對(duì)不斷升級(jí)
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