碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場應(yīng)用
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實(shí)現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計(jì)。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
- 關(guān)鍵字： ST 碳化硅 汽車 工業(yè) SiC
躋身第三代半導(dǎo)體市場 ST助力全球碳中和
- 隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導(dǎo)體在電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)?！ ?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
- 離線反激式電源在變壓器初級側(cè)需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級開關(guān)電源IC
- 2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關(guān)MOSFET的汽車級開關(guān)電源IC，可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET 電動汽車 ACDC 開關(guān)電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關(guān)IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
- 關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車 牽引逆變器
三安集成：碳化硅車規(guī)產(chǎn)品“上車”，湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付
- 新年第一個月，中國首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產(chǎn)出貨并順利通過客戶驗(yàn)證，車規(guī)級二極管接連獲得汽車行業(yè)客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”，湖南三安駛?cè)氚l(fā)展快車道在化石燃料資源和環(huán)境問題面前，各國都發(fā)布了“雙碳”計(jì)劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車，拜登政府也計(jì)劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化，日本則是通過提高行業(yè)燃油經(jīng)濟(jì)性標(biāo)準(zhǔn)以促進(jìn)新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉(zhuǎn)換效率，在充電樁、車載充電
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 車規(guī)產(chǎn)品
用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究
- 系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)級封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
- 電池供電電機(jī)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項(xiàng)棘手且耗時的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
- 關(guān)鍵字： MOSFET
ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標(biāo)準(zhǔn)“Energy Star*3”和安全標(biāo)準(zhǔn)“IEC 62368”等，需要從國際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
- 一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對相對不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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