碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
如何進行OLED電源設計
- 有些設計者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機Vdd解決方案 對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu)，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年，隨著電子消費產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度，被廣泛地應用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字： MOSFET
飛兆半導體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導 FDMA1027 MOSFET
安森美半導體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專門為中等電壓開關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
詳細講解MOSFET管驅(qū)動電路
- 在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 驅(qū)動電路
基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設計優(yōu)化驅(qū)動電路
- 功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 馬達 驅(qū)動電路
中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
- 在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領(lǐng)域中應用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。 從應用領(lǐng)域上看，消費電子領(lǐng)域銷售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計算機領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場的68.9%，是功率器件的重要應用市場。同時，憑借筆記本電腦
- 關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管 消費電子 IC LDO 液晶電視
Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器
- 麥克雷爾公司 （Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM） 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項在 MIC23030/1 中實施的專利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R） 封裝中提供高達4億安的輸出電流，而損耗量僅為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM） 降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達93
- 關(guān)鍵字： 麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET
安森美半導體與中國領(lǐng)先空調(diào)制造商達成設計協(xié)作
- 高能效電源解決方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團）選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機能耗。 安森美半導體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
- 關(guān)鍵字： 安森美 電源 能耗 MOSFET
MagnaChip 為液晶顯示器推出互補型 N-P 通道 MOSFET 系列
- MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）系列。 這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設計的 N 通道功率和 P 通道功率互補 MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設計提供了一個最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
- 關(guān)鍵字： 液晶 MagnaChip MOSFET 顯示器
基于場效應管的直流電機驅(qū)動控制電路設計
- 1 引言 長期以來，直流電機以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點成為大多數(shù)變速運動控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計算機在控制領(lǐng)域，高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應用，直流電機得到廣泛應用。為適應小型直流電機的使用需求，各半導體廠商推出了直流電機控制專用集成電路，構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構(gòu)成的直流電機驅(qū)動器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機驅(qū)動需求
- 關(guān)鍵字： 直流電機 驅(qū)動 PWM MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅 mosfet相關(guān)帖子
碳化硅 mosfet資料下載
碳化硅 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473