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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計(jì)
- 有些設(shè)計(jì)者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式,產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下,也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器,如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。 手機(jī)Vdd解決方案 對(duì)于手機(jī)Vdd,可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu),可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計(jì)者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年,隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng),功率MOSFET的需求也越來越大。其中,TMOS由于溝道是垂直方向,在相同面積下,單位元胞的集成度較高,因此導(dǎo)通電阻較低,同時(shí)又具有較低的柵-漏電荷密度、較大的電流容量,從而具備了較低的開關(guān)損耗及較快的開關(guān)速度,被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成,為了降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)不降低器件其他性能,如漏源擊穿電壓,最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距,在相同的面積下,增加元胞的集成度。基于此,本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字: MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027,滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,帶有肖特基二極管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
- 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo) FDMA1027 MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出8款新的MOSFET器件,專門為中等電壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中,這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA),安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量,免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列,加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列,包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝,引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容,性價(jià)比具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),不僅能減少物料清單,還能在無(wú)需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具
- 二零零八年十月二十一日--中國(guó)訊 -- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國(guó)紐約證券交易所上市代號(hào):NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時(shí),該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具,可有效的協(xié)助工程師精簡(jiǎn)開關(guān)控制器的設(shè)計(jì)。 該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個(gè)不同型號(hào),全部都
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 控制器 MOSFET
詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路
- 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路
基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路
- 功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實(shí)際...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 結(jié)構(gòu) 開關(guān) 馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)電路
IR推出25W至500W可擴(kuò)展輸出功率D類音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出針對(duì)每通道25W以上D類音頻放大器的IRAUDAMP7參考設(shè)計(jì),適用于包括家庭影院設(shè)備、樂器和汽車娛樂系統(tǒng)等應(yīng)用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W,為單層PCB提供了高度的擴(kuò)展性。 IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)120W 8歐姆D類音頻放大器91%的效率,在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% (均為典型) .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
- 關(guān)鍵字: IR D類音頻放大器 參考設(shè)計(jì) MOSFET
中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
- 在中國(guó)中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置,(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng),是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。 從應(yīng)用領(lǐng)域上看,消費(fèi)電子領(lǐng)域銷售額位列第一位,工業(yè)控制居于第二,計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷售額占整體市場(chǎng)的68.9%,是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí),憑借筆記本電腦
- 關(guān)鍵字: MOSFET 功率晶體管 消費(fèi)電子 IC LDO 液晶電視
Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器
- 麥克雷爾公司 (Micrel Inc.)推出 MIC23030 和 MIC23031,為其 HyperLight Load(TM) 同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項(xiàng)在 MIC23030/1 中實(shí)施的專利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET,可在一個(gè)1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF(R) 封裝中提供高達(dá)4億安的輸出電流,而損耗量?jī)H為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load(TM) 降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)93
- 關(guān)鍵字: 麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET
安森美半導(dǎo)體與中國(guó)領(lǐng)先空調(diào)制造商達(dá)成設(shè)計(jì)協(xié)作
- 高能效電源解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前宣布,佛山市中格威電子有限公司(廣東志高集團(tuán))選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電,實(shí)現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機(jī)能耗。 安森美半導(dǎo)體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦(W)輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導(dǎo)體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作;公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動(dòng)電流源的內(nèi)置700 V MOSFET,而這MOSFET和啟動(dòng)電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
- 關(guān)鍵字: 安森美 電源 能耗 MOSFET
MagnaChip 為液晶顯示器推出互補(bǔ)型 N-P 通道 MOSFET 系列
- MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)系列。 這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計(jì)的 N 通道功率和 P 通道功率互補(bǔ) MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)最優(yōu)化的解決方案,有 DPAK(分立元件封裝)和 SOIC-8(小型集成電路封裝),在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道,從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外,該 N-P 多芯片 MOS
- 關(guān)鍵字: 液晶 MagnaChip MOSFET 顯示器
基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 長(zhǎng)期以來,直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計(jì)算機(jī)在控制領(lǐng)域,高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展,以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應(yīng)用,直流電機(jī)得到廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)小型直流電機(jī)的使用需求,各半導(dǎo)體廠商推出了直流電機(jī)控制專用集成電路,構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機(jī)伺服系統(tǒng)。但是,專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的輸出功率有限,不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求
- 關(guān)鍵字: 直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng) PWM MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)碳化硅 mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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