碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動器PAM2842
- PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動器,采用臺積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個非常靈活的LED驅(qū)動器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動10個3瓦的LED，或者30個1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時，都能正常工作。因為利用了臺積
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動器 PAM MOSFET LED 臺積電
凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅(qū)動所有 N 溝道功率 MOSFET 級并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負載點需求。應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 穩(wěn)壓器 控制器 MOSFET
Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器
- Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車電池供電，集成了能承受高達80V瞬態(tài)電壓的拋負載保護電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應(yīng)冷啟動情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關(guān)頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo特性和較寬開關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應(yīng)用的理想選擇。
- 關(guān)鍵字： Maxim DC-DC 轉(zhuǎn)換器 MOSFET
中國電動自行車消費需求減弱 沖擊半導(dǎo)體市場
- 據(jù)iSuppli公司，預(yù)計2008年中國市場電動自行車出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過去10年94%的復(fù)合年增長率形成鮮明對比。2008年中國電動自行車產(chǎn)量將達到2110萬輛，營業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國的多數(shù)電動自行車廠商可能遭遇虧損。 圖 2004-2012年中國電動自行車產(chǎn)量與預(yù)測 來源：iSuppli，2008年6月 中國電動自行車廠商目前面臨更加不確定的消費者以及更加嚴格的政府法規(guī)。經(jīng)過10年
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 電動自行車 MOSFET 電池 200808
卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品
- 卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。 該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個器件在正向?qū)〞r具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統(tǒng)的能效。 這兩款產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 卓芯微電子 充電電路 電源管理
汽車電子功率MOSFET技術(shù)
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 汽車電子系統(tǒng) 系統(tǒng)功率
Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器
- Maxim推出高壓、高速MOSFET驅(qū)動器MAX15018/MAX15019，用于驅(qū)動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達125V的輸入電壓，該指標優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。 MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅(qū)動器之間能夠保證2ns (
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 驅(qū)動器 TTL
ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅(qū)動能效
- 意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。 新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
- 關(guān)鍵字： MOSFET ST 意法半導(dǎo)體 晶體管
性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)
- 不同應(yīng)用對功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長饒祖剛表示，性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求，而這些不同功率半導(dǎo)體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。 功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求 功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點外，不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如，在電動車、混合動力汽車這樣的應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件需要
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體器件 低功耗 MOSFET
凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。 這個強大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動器 轉(zhuǎn)換器
凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4447
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4447，該器件用來在同步整流轉(zhuǎn)換器拓撲中驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對上端和下端 MOSFET 柵極進行軌至軌驅(qū)動，并可從一個高達 38V 的電
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動器 轉(zhuǎn)換器
Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。 隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設(shè)備的更長運行時間的期望，
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 芯片 手機 PDA 數(shù)碼相機 MP3 智能電話
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅 mosfet相關(guān)帖子
碳化硅 mosfet資料下載
碳化硅 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473