碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)

　　電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵(lì)源必須與后級(jí)處理電路隔離,當(dāng)然需要隔離的應(yīng)用場(chǎng)合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場(chǎng)參數(shù)的電路同樣需要與后級(jí)完全隔離，等等。　　在這些應(yīng)用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實(shí)現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉(zhuǎn)換時(shí)間長(zhǎng)(或動(dòng)態(tài)響應(yīng)慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉(zhuǎn)換增益將隨時(shí)間減小。　　采用圖1所示電
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MOSFET音頻輸出級(jí)的自偏壓電路(04-100)

　　AB類輸出級(jí)精度不高可能有下列幾個(gè)原因：　　·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數(shù)變化引起的MOSFET與雙極管間相對(duì)溫度系數(shù)的失配。　　·輸出器件與檢測(cè)器件間耦合的延遲與衰減。　　·驅(qū)動(dòng)器工作在不同的溫度。　　·調(diào)整單個(gè)放大器偏壓時(shí)存在誤差。　　·老化引起的閾值電壓長(zhǎng)期漂移。　　鑒于上述原因，自然想用控制環(huán)來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設(shè)計(jì)由下列三部分構(gòu)成；偏置電流檢
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選擇適用于POL架構(gòu)中功率轉(zhuǎn)換的 MOSFET

　　對(duì)于電路需要 3.3V 及更低電壓的應(yīng)用，負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器已發(fā)展成為面向這些應(yīng)用的廣受歡迎的解決方案。對(duì)此類電壓水平的需求源自對(duì)更低內(nèi)核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對(duì)這些轉(zhuǎn)換器的電流要求將會(huì)很明顯地增加。　　自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當(dāng)前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統(tǒng)分布式功率架構(gòu) (DPAs) 從單個(gè)“前端轉(zhuǎn)換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應(yīng)用中，48V 的輸
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PDP顯示器電源管理架構(gòu)分析

電漿顯示器在大尺寸的平面顯示器中，盡管在良率、可視角度等方面具有優(yōu)勢(shì)，然其顯示原理倚賴電弧放電，由于放電必...
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NXP推出的高性能小信號(hào)MOSFET SOT883

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號(hào)MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對(duì)眾多應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器模塊、液晶電視電源以及手機(jī)和其他便攜設(shè)備的負(fù)載開關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關(guān)速度和非常低的Rds(on)
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什么是MOSFET

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。　　MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MO
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可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)

　　我們?nèi)绾尾拍苁蛊囻{駛室具備更多的功能，使發(fā)動(dòng)機(jī)具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對(duì)每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導(dǎo)通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。　　發(fā)動(dòng)機(jī)不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個(gè)汽車系統(tǒng)提供動(dòng)力?，F(xiàn)在人們對(duì)汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn)，對(duì)于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
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開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

　　一個(gè)采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達(dá)2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)(pol)電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1v或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
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Maxim推出內(nèi)置低導(dǎo)通阻抗開關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調(diào)節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內(nèi)置開關(guān)可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內(nèi)部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實(shí)現(xiàn)的。在低壓應(yīng)用中，分立的競(jìng)爭(zhēng)方案需要更高電壓實(shí)現(xiàn)完全導(dǎo)通，相比較而言，內(nèi)部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導(dǎo)通阻抗，可以以超過1M
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電源

電源管理和MOSFET推動(dòng)中國功率器件市場(chǎng)發(fā)展

　　全球能源需求的不斷增長(zhǎng)以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中。在整機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)，但由于市場(chǎng)基數(shù)的不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)增長(zhǎng)率將逐年下降。預(yù)計(jì)到2011年時(shí)中國功率器件市場(chǎng)銷售額將達(dá)到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場(chǎng)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件制造

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

　　功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏?、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理　　電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
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功率模塊市場(chǎng)增長(zhǎng) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

　　功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用迄今已有50年歷史，自上世紀(jì)80年代以來，隨著新型功率半導(dǎo)體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應(yīng)用領(lǐng)域。全球各大廠商也不失時(shí)機(jī)地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場(chǎng)高地。　　發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫　　目前，我國功率半導(dǎo)體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀(jì)70年代的水平。有個(gè)別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復(fù)和超快恢復(fù)二極管完全不能制造。因此，我國市場(chǎng)用的功率器件約90%依賴進(jìn)口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率半導(dǎo)體 VD-MOSFET 模擬IC 電源