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	碳化硅(sic)mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路
          
                                                            
            
                    	
          • 采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
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          • 關(guān)鍵字：
                        mosfet  驅(qū)動電路                          
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          功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖
          
                                                            
            
                    	
          • 功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設(shè)計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
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          • 關(guān)鍵字：
                        驅(qū)動電路  mosfet  電路圖                          
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          MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
          
                                                            
            
                    	
          • MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負(fù)載電容充電時能夠保持在安全水平。
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          • 關(guān)鍵字：
                        mosfet  linear                          
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          在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要　　本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  SiC                          
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          用GaN重新考慮功率密度
          
                                                            
            
                    	
          • 用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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          • 關(guān)鍵字：
                        mosfet  氮化鎵  pfc                          
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          什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？
          
                                                            
            
                    	
          • 什么是同步整流器？開關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
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          • 關(guān)鍵字：
                        整流器  mosfet  二極管                          
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          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　接近62%的能源被白白浪費
　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
　　

　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時，通過更高頻率的開關(guān)動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢?，SiC是可以同時實現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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          • 關(guān)鍵字：
                        ROHM  SiC  汽車                          
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          一篇文章讀懂超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)
　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub
　　

　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  超級結(jié)                          
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          走過疑慮 SiC器件終迎春天
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  Cree                          
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          智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來自對手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門”，是怎么玩兒的。　　那些明星元件　　先來細(xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
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          • 關(guān)鍵字：
                        智能電網(wǎng)  MOSFET                          
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          英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點，考慮到成本效益，它
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                        英飛凌  碳化硅                          
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          1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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                        電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707                          
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          英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控
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                        英飛凌  碳化硅                          
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          三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強(qiáng)勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號：E06)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。　　變頻家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)展出
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                        三菱電機(jī)  碳化硅                          
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          碳化硅(sic)mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
           
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();