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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
關(guān)鍵字： GaN 半導(dǎo)體 SiC

淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器，能夠為...
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動器

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)

　　在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長將更加強(qiáng)勁，預(yù)計營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計

SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號采集

基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點(diǎn) 損耗

關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電阻

分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
關(guān)鍵字：晶圓減薄 MOSFET

Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設(shè)計靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DrMOS

HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

摘要：先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
關(guān)鍵字： MOSFET 鎮(zhèn)流器 FRFET 201302

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碳化硅(sic)mosfet介紹

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碳化硅(sic)mosfet電路

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