碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計與實現(xiàn)
- 引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電,...
- 關(guān)鍵字: SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10
汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢
- 汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進步,并繼續(xù)積極發(fā)展。先進的功率MOS...
- 關(guān)鍵字: 汽車應(yīng)用 MOSFET 電機控制
隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效...
- 關(guān)鍵字: 門極驅(qū)動光耦 隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下
- 進入21世紀以來,隨著摩爾定律的失效大限日益臨近,尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后,有兩位脫穎而出,它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,但直到1955年,才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年,商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進入市場;進入21世紀后,SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si,SiC的優(yōu)點很多:有10倍的電場強度,高3倍的熱導(dǎo)率,寬3倍禁帶寬度,高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC 半導(dǎo)體
電源設(shè)計小貼士46:正確地同步降壓FET時序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階段:低...
- 關(guān)鍵字: FET MOSFET 電源設(shè)計小貼士 德州儀器
高壓MOS缺貨 晶片商搶推高整合LED驅(qū)動器
- 半導(dǎo)體業(yè)者競相開發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下,LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境,因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動IC方案,讓LED照明系統(tǒng)客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。 恩智浦區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示,調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET,因此恩智浦將透過高整合LED驅(qū)動IC方案確??蛻粽莆肇浽礋o虞。 恩智浦(NXP)區(qū)域市場總監(jiān)王永斌表示,20
- 關(guān)鍵字: 恩智浦 LED MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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