日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸,具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國電源行業(yè)協(xié)會合辦,由Vishay技術(shù)專家做4場技術(shù)報告,探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
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Vishay 電容器 電感器 MOSFET
前言
為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量,節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下,羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻于節(jié)電,通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬伏的電壓,通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機充電器所提供的約5V的電壓進行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換,每次轉(zhuǎn)換都會發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零,就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
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羅姆 功率元器件 MOSFET
摘要:本文介紹了一種“零電壓開關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓撲,說明了其給系統(tǒng)帶來的優(yōu)勢和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
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穩(wěn)壓器 柵極驅(qū)動 MOSFET 201211
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而,在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域,要想增強這些關(guān)鍵設(shè)計性能,設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高,同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
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飛兆 SiC 晶體管
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列,新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
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美高森美 碳化硅 二極管
在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時將電壓也降低到1/k,力爭更低功耗”的指導(dǎo)原理下,隨著微細加工技術(shù)的發(fā)展,實現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中,微細加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年,需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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羅姆 功率元器件 MOSFET
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉,該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域,連續(xù)砸進1.8億元,正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合,進行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”,是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。
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天域 半導(dǎo)體 碳化硅
摘要:家電是節(jié)能推行過程中重要的一部分。 在本文中,推薦了家電電源的整體解決方案。 通過融合最先進的技術(shù),能夠設(shè)計出頂尖的開關(guān)電源,這引起了系統(tǒng)設(shè)計者極大的興趣。 本文描述每款產(chǎn)品的功能特點和優(yōu)點,并列出評估板的測試結(jié)果。
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飛兆 新能源 MOSFET 201211
摘要:面對越來越嚴格的能效等級,電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴格的電源設(shè)計需求。
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電源管理 DC/DC MOSFET 201211
全球領(lǐng)先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應(yīng)用。
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Microchip PWM MOSFET 單片機
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓撲結(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出...
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反激式 MOSFET 鉗位電路
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產(chǎn)品系列,專門為發(fā)展迅速的汽車市場而設(shè)計,配合汽車電子成分持續(xù)升高,用于燃油經(jīng)濟性、安全、信息娛樂系統(tǒng)及車載通信等先進功能。
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安森美 MOSFET LED
為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量,節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下,羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻于節(jié)電,通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
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羅姆 變壓器 SiC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
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Vishay MOSFET 驅(qū)動器
碳化硅(sic)mosfet介紹
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