碳化硅！ 文章 進入碳化硅！技術(shù)社區(qū)
安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠
- 2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅（以下簡稱“SiC”）技術(shù)，這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量，使電動汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里（747英里）旅程，保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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碳化硅器件在UPS中的應用研究
- 本文分析了目前不間斷電源（UPS）在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應用和發(fā)展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹，并著重說明了碳化硅器件在UPS應用中的優(yōu)勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案，最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數(shù)據(jù)的場所，是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構(gòu)建的應用基礎(chǔ)設(shè)施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟等國家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動，我國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模增長迅猛。隨著
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AMP 創(chuàng)新型電動汽車充電解決方案：采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件
- 2022年11月14日，美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù)，將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。 AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長期碳化硅供應協(xié)議
- 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。此次合作將提高半導體供應鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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SEMICON China | 探討熱點與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦
- 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導體與光電及通訊，寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨，怎么能
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碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術(shù)助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
- 綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現(xiàn)電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統(tǒng)，為機載交流發(fā)電機、執(zhí)行機構(gòu)和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護需求。但是，SiC技術(shù)最顯著的貢獻體現(xiàn)在其所肩負實現(xiàn)商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關(guān)的器
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電動汽車東風起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連，隨著新能源汽車的加速滲透，以及自動駕駛技術(shù)的升級演變，車用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動態(tài)是行業(yè)的重要風向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日，碳化硅廠商Wolfspeed公司表示，隨著需求的激增，其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠，以生產(chǎn)為電動汽
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第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進程
- 2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時代要結(jié)束了嗎
- 半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數(shù) (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調(diào)為“同比增長3倍”，而
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功率半導體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關(guān)，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉(zhuǎn)換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現(xiàn)，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士（現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
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碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化
- 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設(shè)計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設(shè)計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗，從而有助于設(shè)計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
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碳化硅助力電動汽車續(xù)航和成本的全方位優(yōu)化
- 受訪人：水原德健 羅姆半導體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場景。當?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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