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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區(qū)
碳化硅風(fēng)頭正勁，小心！氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)
- 近期，媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進(jìn)化半導(dǎo)體是以國(guó)際首創(chuàng)無(wú)銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬(wàn)天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長(zhǎng)的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”
- 4月7日，中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立，將加快汽車功率芯片的國(guó)產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間，第一財(cái)經(jīng)記者獲悉，汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì)，降本提質(zhì)是國(guó)產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵；三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國(guó)產(chǎn)芯片帶來(lái)機(jī)會(huì) 有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示，一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體，功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET
- 【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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TechInsights：2029 年碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 94 億美元，中國(guó)占一半
- IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報(bào)告稱，隨著電池電動(dòng)汽車的發(fā)展，汽車半導(dǎo)體的需求激增，寬帶隙技術(shù)的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動(dòng)力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場(chǎng)收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率從 12 億美元（IT之家注：當(dāng)前約 82.44 億元人民幣）增長(zhǎng)到 53 億美元（當(dāng)前約 364.11
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碳化硅快充時(shí)代來(lái)臨，800V高壓超充開始普及！
- 一直以來(lái)，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問(wèn)題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進(jìn)步和快充時(shí)代的到來(lái)，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場(chǎng)的風(fēng)口浪尖。繼2019年4月保時(shí)捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來(lái)了更高的功效，大幅提升功率，實(shí)現(xiàn)了15分鐘的快充補(bǔ)能。而構(gòu)建800V超充平臺(tái)的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺(tái)Si（硅）早已
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安森美的碳化硅技術(shù)將整合到寶馬集團(tuán)的下一代電動(dòng)汽車中
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團(tuán)（BMW）簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術(shù)用于這家德國(guó)高端汽車制造商的400?V直流母線電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個(gè)全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰(zhàn)略合作針對(duì)電動(dòng)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)和整合，使安森美能為特定應(yīng)用提供差異化的芯片方案，包括優(yōu)化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優(yōu)化的電氣和機(jī)械特性實(shí)現(xiàn)高效率和更低的整體損耗，同時(shí)提供極高的系
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特斯拉要削減碳化硅使用量，相關(guān)芯片制造商股價(jià)應(yīng)聲下跌
- 3 月 3 日消息，美國(guó)電動(dòng)汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動(dòng)上表示，計(jì)劃減少下一代電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中碳化硅晶體管的使用量，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四相關(guān)芯片制造商的股價(jià)紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動(dòng)討論的一個(gè)主要內(nèi)容是效率提升和成本控制。特斯拉動(dòng)力系統(tǒng)工程負(fù)責(zé)人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺(tái)展示了公司計(jì)劃如何在保持高性能和轉(zhuǎn)化效率的同時(shí)降低汽車動(dòng)力系統(tǒng)的成本?？藏悹柾嘎叮霸谖覀兊南乱淮鷦?dòng)力系統(tǒng)中，作為關(guān)鍵部件的碳化硅晶體管價(jià)格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
- 在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。由于漏電流更小且?guī)陡?，器件可以在更寬的溫度范圍?nèi)工作，而不會(huì)發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍，簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議
- 日前，英飛凌科技繼續(xù)擴(kuò)大了與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC材料，協(xié)議后期則會(huì)助力英飛凌向8英寸晶圓的過(guò)渡。合作過(guò)
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英飛凌與Resonac擴(kuò)大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國(guó)的半導(dǎo)體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來(lái)十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)
- Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢(shì)壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來(lái)碳化硅半導(dǎo)體項(xiàng)目
- ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國(guó)建立聯(lián)合研發(fā)中心，旨在進(jìn)一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進(jìn)、最大的碳化硅器件工廠的建設(shè)。全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。此次合作還包括采埃孚將向
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安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
- 關(guān)鍵字： 安森美 大眾汽車集團(tuán) 電動(dòng)汽車 碳化硅 SiC
碳化硅！介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條碳化硅！!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)碳化硅！的理解，并與今后在此搜索碳化硅！的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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