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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅!

          重視汽車應(yīng)用市場 ST持續(xù)加速碳化硅擴產(chǎn)

          • 意法半導體(ST)是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導體公司,尤其汽車更是ST非常重視的市場之一。 意法半導體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開發(fā)負責人Luca SARICA指出,2022年車用和離散組件產(chǎn)品部(ADG)占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達到43.5億美元,而若與2022年相比,車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當顯著,達30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導體大部分的車用產(chǎn)品,非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應(yīng)用。 圖一 : ADG營運策略ADG
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          英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議

          • 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴展合作關(guān)系,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議,以補充并擴展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據(jù)合約內(nèi)容,Resonac將供應(yīng)英飛凌未來10年預估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓,并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓,英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財 (IP)。雙
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          碳化硅MOSFET尖峰的抑制

          • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比,SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是,由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化,器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視,導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格,那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中,針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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          安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

          • 2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上,安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員:一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供可靠、高能效的性能,并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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          轉(zhuǎn)型中的安森美:整合提升智能水平,打造價值導向解決方案

          • 安森美在過去的兩年間通過成功的轉(zhuǎn)型之旅,實現(xiàn)了業(yè)績和利潤的雙豐收。在轉(zhuǎn)型路上公司又有哪些關(guān)鍵技術(shù)和策略的調(diào)整呢?帶著這些問題本刊記者采訪了安森美CEO Hassane El-Khoury。兩大技術(shù)支柱的創(chuàng)新支持和打造可持續(xù)發(fā)展的生態(tài)系統(tǒng),這是驅(qū)動安森美投資的主要動力,也是企業(yè)職責所在。
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          10分鐘狂充80%電量!東風碳化硅功率模塊明年量產(chǎn)裝車

          • 近日消息,從東風汽車官方獲悉,東風碳化硅功率模塊項目課題已經(jīng)順利完成,將于2023年搭載東風自主新能源乘用車,實現(xiàn)量產(chǎn)。IGBT行業(yè)的門檻非常高,除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求,作為IGBT模塊的升級產(chǎn)品、第三代半導體,碳化硅功率模塊有著更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的特性。該模塊能推動新能源汽車電氣架構(gòu)從400V到800V的迭代,從而實現(xiàn)10分鐘充電80%,并進一步提升車輛續(xù)航里程,降低整車成本。同時,總投資2.8億元的功率模塊二期項
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          國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線:可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等

          • IT之家 12 月 12 日消息,國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術(shù),全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”,可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。面向儲能逆變器市場,國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能,提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率,降低了開關(guān)損耗和導通損耗,減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝,半橋拓撲
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          純電動捷豹 I-TYPE 6 賽車重磅發(fā)布,搭載先進 Wolfspeed 碳化硅技術(shù)

          • 2022年12月5日,英國倫敦、美國北卡羅來納州達勒姆市與中國上海市訊 — 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.(NYSE: WOLF)宣布為捷豹 TCS 車隊近日重磅發(fā)布的捷豹 I-TYPE 6 賽車提供功率半導體技術(shù)和產(chǎn)品的全方位支持。全新I-TYPE 6賽車專為 2023 年度 ABB 國際汽聯(lián)電動方程式世界錦標賽 Formula E(以下簡稱:Formula E)設(shè)計、研發(fā)打造,標志著 Formula E 賽事正式邁入第三代(Gen3)賽車新時代。  
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          日本電子巨頭羅姆將量產(chǎn)下一代半導體:提高用電效率、增加電動車續(xù)航里程

          • 據(jù)日本共同社日前報道, 日本電子零部件巨頭羅姆(ROHM)將于今年12月量產(chǎn)下一代功率半導體,以碳化硅(SiC)為原材料。據(jù)悉,羅姆花費約20年推進研發(fā)碳化硅半導體。新一代半導體可讓可提高機器運轉(zhuǎn)的用電效率, 若裝在純電動汽車上,續(xù)航里程可提升一成,電池體積也可更小。據(jù)悉,羅姆將在福岡縣筑后市工廠今年開設(shè)的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn),還計劃為增產(chǎn)投資最多2200億日元(約合人民幣114億元),并將2025年度的碳化硅銷售額上調(diào)至1100億日元。公開資料顯示, 碳化硅具備
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          以碳化硅技術(shù)牽引逆變器 延展電動車行駛里程

          • 目前影響著車輛運輸和半導體技術(shù)的未來有兩大因素。業(yè)界正在采用令人振奮的新方法,即以潔凈的能源驅(qū)動我們的汽車,同時重新設(shè)計支撐電動車(EV)子系統(tǒng)的半導體材料,大幅提升功效比,進而增加電動車的行駛里程。政府監(jiān)管機構(gòu)持續(xù)要求汽車OEM減少其車系的整體二氧化碳排放量,對于違規(guī)行為給予嚴厲的處罰,同時開始沿著道路和停車區(qū)域增設(shè)電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施。但是,盡管取得了這些進展,主流消費者仍然對電動車的行駛里程存有疑慮,使電動車的推廣受到阻力。更復雜的是,大尺寸的電動車電池雖然可以增加其行駛里程,緩解消費者關(guān)于行駛里程的
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          安森美的碳化硅技術(shù)賦能純電動汽車VISION EQXX單次充電續(xù)航更遠

          • 2022年11月16日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布梅賽德斯-奔馳在其主驅(qū)逆變器中采用安森美的碳化硅(以下簡稱“SiC”)技術(shù),這是兩家公司戰(zhàn)略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模塊提高了梅賽德斯-奔馳純電動汽車VISION EQXX主驅(qū)逆變器的能效并減輕了其重量,使電動汽車的續(xù)航里程增加10%。這款電動汽車完成了從德國斯圖加特到英國銀石的1,202公里(747英里)旅程,保持了單次充電后最遠的行駛距離記錄。VISION EQXX在電動車
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          碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

          • 本文分析了目前不間斷電源(UPS)在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用和發(fā)展趨勢。對目前熱門的碳化硅材料和英飛凌碳化硅技術(shù)做了介紹,并著重說明了碳化硅器件在UPS應(yīng)用中的優(yōu)勢。分析給出了目前UPS常用拓撲及方案,最后基于50 kW的逆變部分做了各方案的損耗分析。1.引 言互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center,IDC),是集中計算和存儲數(shù)據(jù)的場所,是為了滿足互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)以及信息服務(wù)需求而構(gòu)建的應(yīng)用基礎(chǔ)設(shè)施。受新基建、數(shù)字經(jīng)濟等國家政策影響以及新一代信息技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動,我國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模增長迅猛。隨著
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          AMP 創(chuàng)新型電動汽車充電解決方案:采用 Wolfspeed E-系列碳化硅器件

          • 2022年11月14日,美國北卡羅來納州達勒姆市、加利福尼亞州洛杉磯市與中國上海市訊 -- 全球碳化硅(SiC)技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,電動交通電池管理和充電技術(shù)的全球引領(lǐng)者 AMP 公司將在其電動交通能量管理單元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通過采用 Wolfspeed 創(chuàng)新型碳化硅技術(shù),將助力 AMP 優(yōu)化電池性能、充電和成本。   AMP 公司硬件工程副總裁 Jia
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          Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達成長期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

          • 中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布,雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導體供應(yīng)鏈的彈性,并更好地滿足汽車市場對先進碳化硅解決方案迅速增長的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案,該協(xié)議還會為他們提供更好的保護并增強其信心。SiC 器件
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          SEMICON China | 探討熱點與前沿技術(shù) ,功率及化合物半導體論壇2022圓滿舉辦

          • 11月1-2日,SEMICON China “功率及化合物半導體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括:開幕演講,化合物半導體與光電及通訊,寬禁帶半導體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示:“在大家的支持下,功率及化合物半導體國際論壇從2016年開始首辦,今年已經(jīng)是第七屆。在嚴格遵守防疫規(guī)定的前提下,希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風雨,怎么能
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          碳化硅!介紹

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