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	碳化硅！
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉(zhuǎn)折點，考慮到成本效益，它
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                        英飛凌  碳化硅                          
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          英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力。　　英飛凌工業(yè)功率控
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                        英飛凌  碳化硅                          
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          三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)?！　∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?！　∽冾l家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機展出
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                        三菱電機  碳化硅                          
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          碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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                        碳化硅  肖特基二極管  電源  DCM  PFC                          
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          氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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                        氮化鎵  碳化硅                          
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          中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
　　不久前，中國科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。
　　第三代半導(dǎo)體材料
　　研究人員告訴記者，上世紀
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          • 關(guān)鍵字：
                        碳化硅  晶片                          
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          首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　5月29日，國內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品， 成為國內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。

　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。

　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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          • 關(guān)鍵字：
                        碳化硅  外延晶片                          
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          三菱電機攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三菱電機今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相?！　〗衲暾钩龅漠a(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動和太陽能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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          • 關(guān)鍵字：
                        三菱電機  PCIM  碳化硅                          
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          東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產(chǎn)品陣容中增添一款10A產(chǎn)品。該產(chǎn)品將于即日起批量交付。
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          • 關(guān)鍵字：
                        東芝  碳化硅                          
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          Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業(yè)界首款在單個半電橋封裝中結(jié)合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產(chǎn)品。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Mouser  CAS100H12AM1  碳化硅                          
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          Microsemi推出新型SiC肖特基二極管
          
                                                            
            
                    	
          • 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
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          • 關(guān)鍵字：
                        美高森美  碳化硅  二極管                          
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          天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延片生產(chǎn)、研發(fā)和銷售的高科技企業(yè)。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        天域  半導(dǎo)體  碳化硅                          
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          科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片
          
                                                            
            
                    	
          • LED 領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  LED  碳化硅                          
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          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片 
          
                                                            
            
                    	
          • 　科銳材料產(chǎn)品經(jīng)理 Vijay Balakrishna博士表示：“科銳擁有在碳化硅領(lǐng)域100毫米外延片的強大量產(chǎn)能力。最新的150毫米技術(shù)將進一步提升碳化硅晶圓片的標準?？其J的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質(zhì)150毫米碳化硅外延片的完整解決方案，并為電力電子市場的領(lǐng)先企業(yè)提供穩(wěn)定的供貨保障。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  碳化硅  LED                          
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          科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片
          
                                                            
            
                    	
          • LED領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品質(zhì)、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科銳通過推出更大直徑的外延片，從而繼續(xù)引領(lǐng)碳化硅材料市場的發(fā)展。此項最新技術(shù)能夠降低設(shè)備成本，并能夠利用現(xiàn)有150毫米設(shè)備工藝線。新型150毫米外延片擁有高度均一的厚度為100微米的外延層，并已開始訂購。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  LED  碳化硅                          
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