碳化硅！文章進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區(qū)

碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化電力電子產(chǎn)業(yè)迎來(lái)大革命

LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然
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國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?！　』景雽?dǎo)體董事長(zhǎng)汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國(guó)際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對(duì)公司發(fā)展情況的匯報(bào)。丁文武對(duì)基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵(lì)公司團(tuán)隊(duì)再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，不斷發(fā)展壯大，成為中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。　　國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體碳化硅功率芯片集成電路

SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個(gè)高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補(bǔ)其在價(jià)格方面的短板，尤其是在電動(dòng)車與再生能源越來(lái)越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來(lái)大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來(lái)所有的功率器件都會(huì)被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢(shì)的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長(zhǎng)，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅

重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動(dòng)。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對(duì)中國(guó)乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?！　】萍疾吭辈块L(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長(zhǎng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長(zhǎng)陳如桂，科技部高新司原司長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)副主任、深圳第三代半
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碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。c科技股份公司開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)洹Ｈ缃?，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控制事業(yè)部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達(dá)到轉(zhuǎn)折點(diǎn)，考慮到成本效益，它
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英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號(hào)

　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢(shì)。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會(huì)上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺(tái)和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控
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三菱電機(jī)攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展

　　三菱電機(jī)于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì))展會(huì)中，以十款新型功率器件強(qiáng)勢(shì)登場(chǎng)，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機(jī)展位號(hào)：E06)?！　∪怆姍C(jī)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?！　∽冾l家電市場(chǎng)　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機(jī)展出
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碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用

功率因數(shù)校正（PFC）市場(chǎng)主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場(chǎng)的基本規(guī)定之一，在英國(guó)、日本和中國(guó)也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費(fèi)類產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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氮化鎵/碳化硅技術(shù)真的能主導(dǎo)我們的生活方式？

伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。
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中國(guó)成功研制國(guó)產(chǎn)6英寸碳化硅晶片年產(chǎn)7萬(wàn)片

　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　不久前，中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱天科合達(dá))合作，解決了6英寸擴(kuò)徑技術(shù)和晶片加工技術(shù)，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。　　從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團(tuán)隊(duì)花了10多年時(shí)間，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。　　第三代半導(dǎo)體材料　　研究人員告訴記者，上世紀(jì)
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首批6英寸碳化硅外延晶片在廈門投產(chǎn)

　　5月29日，國(guó)內(nèi)首批產(chǎn)業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區(qū)的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產(chǎn)，并交付第一筆商業(yè)訂單產(chǎn)品，成為國(guó)內(nèi)首家提供商業(yè)化6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。　　據(jù)悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導(dǎo)體材料。碳化硅半導(dǎo)體儀器大禁帶寬度、高臨界場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。　　瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經(jīng)理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對(duì)于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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三菱電機(jī)攜六款新品亮相PCIM亞洲展2014

　　三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，攜帶六款全新產(chǎn)品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。　　今年展出的產(chǎn)品范圍跨越六大領(lǐng)域，包括：工業(yè)應(yīng)用、變頻家電應(yīng)用、可再生能源應(yīng)用、鐵路牽引和電力應(yīng)用、電動(dòng)汽車應(yīng)用以及碳化硅器件應(yīng)用?！　≡谛庐a(chǎn)品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應(yīng)用在工業(yè)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能發(fā)電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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