碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)
安森美韓國碳化硅工廠擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬片
- 安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠SiC半導體產(chǎn)量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來三年內(nèi)雇傭多達1000名當?shù)貑T工來填補大部分高
- 關鍵字： 安森美 韓國 碳化硅
安森美韓國富川碳化硅工廠擴建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產(chǎn)線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
- 關鍵字： 安森美 碳化硅
2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片，年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構的統(tǒng)計，此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球
- 關鍵字： 碳化硅 晶圓
瑞能半導體CEO:碳化硅驅動新能源汽車邁入“加速時代”
- 日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導體原廠和設備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導體領域高管和領袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來趨勢和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動技術進步。ISES通過推動整個微電子供應鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機會，為半導體制造業(yè)賦能，促進中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會以“寬禁帶功率半導體在汽車應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
- 關鍵字： 瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽車
2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國
- 2023年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬單位
- 關鍵字： SiC 碳化硅
SiC主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
- 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
- 關鍵字： 電動汽車 逆變器 SiC MOSFET
25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導體業(yè)務
- IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經(jīng)任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
- 關鍵字： 三星 SiC
英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導體供應長約
- 英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車和起亞汽車三方發(fā)布官方聲明稱，已達成戰(zhàn)略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議，以確保功率半導體的供應。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
- 關鍵字： 英飛凌 現(xiàn)代 起亞 碳化硅 硅功率模塊
SiC MOSFET 器件特性知多少？
- 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
- 關鍵字： SiC MOSFET IGBT WBG
三星人事變動，瞄準碳化硅！
- 10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監(jiān)督SiC功率半導體業(yè)務，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導體業(yè)務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學術界互動，進行市場和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業(yè)務的時候也曾提
- 關鍵字： 三星 碳化硅！
SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
- 關鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
- ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關鍵字： 202310 意法半導體 SiC GaN
攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用
- 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
- 關鍵字： 202310 SiC 安森美
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