碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

2023 年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，中國(guó)尤其獲得國(guó)際 IDM 的認(rèn)可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)。此前中國(guó)碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2024 年中國(guó)碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”

日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺(tái)，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì)，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì)以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車(chē)應(yīng)用中的機(jī)遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國(guó)

2023年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其得到國(guó)際IDM廠商的認(rèn)可，中國(guó)廠商產(chǎn)能大幅提升。此前，來(lái)自中國(guó)的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。然而，到2024年，預(yù)計(jì)將搶占可觀的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國(guó)公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴(kuò)大了千倍。我國(guó)大約有四到五家從事SiC晶體生長(zhǎng)的龍頭企業(yè)，為測(cè)算我國(guó)SiC晶體生長(zhǎng)產(chǎn)能提供了依據(jù)。目前，他們的月產(chǎn)能合計(jì)約為60,000單位。隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)單位
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)5%里程的秘訣

不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長(zhǎng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長(zhǎng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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25 年資深專(zhuān)家?guī)ш?duì)，三星已布局推進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專(zhuān)家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗(yàn)，加入三星后，他負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項(xiàng)工作。洪錫俊負(fù)責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團(tuán)隊(duì)，同時(shí)積極與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)合作進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進(jìn)軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導(dǎo)體供應(yīng)長(zhǎng)約

英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已達(dá)成戰(zhàn)略合作，簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議，以確保功率半導(dǎo)體的供應(yīng)。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應(yīng)碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備，三方也計(jì)劃在提升電動(dòng)汽車(chē)的性能上緊密合作。
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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三星人事變動(dòng)，瞄準(zhǔn)碳化硅！

10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報(bào)道，三星電子近期聘請(qǐng)安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)督SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導(dǎo)體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導(dǎo)體等全球主要功率半導(dǎo)體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團(tuán)隊(duì)成員，同時(shí)通過(guò)與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
關(guān)鍵字：三星碳化硅！

SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車(chē)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車(chē)（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車(chē)，以提高效率、續(xù)航里程和整車(chē)性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車(chē)載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本?！? ?可再生能
關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導(dǎo)體

SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)

1 SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車(chē)牽引逆變器、車(chē)載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(zhǎng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN

東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新

1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級(jí)應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況

ST（意法半導(dǎo)體）關(guān)注電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進(jìn)在汽車(chē)和工業(yè)中的應(yīng)用

1 SiC的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FoM）和低反向恢復(fù)電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用，尤其是高壓大電流等應(yīng)用場(chǎng)景，主驅(qū)逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進(jìn)而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車(chē)載充電機(jī)）采用SiC，可實(shí)現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車(chē)市場(chǎng)向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢(shì)將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進(jìn)電源
關(guān)鍵字： 202310 SiC 安森美

從國(guó)際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅（SiC）具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可很好地滿足新能源汽車(chē)與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求，對(duì)我國(guó)“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來(lái)五年“中國(guó)芯”最好的突破口之一，當(dāng)下我國(guó)應(yīng)該集中優(yōu)勢(shì)資源重點(diǎn)發(fā)展。
關(guān)鍵字： ?202310 碳化硅 SiC 襯底 8英寸擴(kuò)產(chǎn)

中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
關(guān)鍵字：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體