碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統(tǒng)的效率

全球范圍內(nèi)正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據(jù)國(guó)際能源署的報(bào)告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長(zhǎng)量的大約 95%。太陽(yáng)能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠(yuǎn)大的清潔能源目標(biāo)和政府政策的驅(qū)動(dòng)下，太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源。可再生能源的逐漸普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用中部署功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了更多機(jī)會(huì)。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設(shè)計(jì)人員平衡四大性能指標(biāo)：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統(tǒng)基于 IGBT 的電源應(yīng)用在可再生能源系統(tǒng)中的優(yōu)
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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具有更高效率與優(yōu)勢(shì)的碳化硅技術(shù)

碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢(shì)與在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。大幅降低儲(chǔ)能系統(tǒng)成本與提升效率的SiC技術(shù)當(dāng)前的SiC技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，可以適用在從千瓦到兆瓦功率的工業(yè)應(yīng)用范圍中，影響了能源、工業(yè)和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。由于SiC器件運(yùn)作時(shí)的溫度較低，及較小的
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國(guó)內(nèi)8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展

近年來(lái)，汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng)，并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國(guó)內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來(lái)了新消息。6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
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使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)

最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們?cè)谖磥?lái)放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來(lái)替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競(jìng)爭(zhēng)力，反向恢復(fù)電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議

SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過(guò)1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作，是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車(chē)電力電子技術(shù)開(kāi)發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作，開(kāi)展了適用于電動(dòng)汽車(chē)的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車(chē)、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車(chē)、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)、5G 和物
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228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

三安光電與意法半導(dǎo)體 32 億美元合資建廠。
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意法半導(dǎo)體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠

·? ?意法半導(dǎo)體和三安光電將成立一家合資制造廠，進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規(guī)模量產(chǎn)·? ?該合資廠將有助于滿足中國(guó)汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用對(duì)意法半導(dǎo)體 SiC器件日益增長(zhǎng)的需求·? ?三安光電還將單獨(dú)建造一個(gè)8英寸 SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求?2023年6月7日，中國(guó) -- 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：ST
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中國(guó)小型 SiC 廠商，難過(guò) 2023

2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車(chē)中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車(chē)公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級(jí)下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開(kāi)關(guān)損耗降低了 75％。換算下來(lái)，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場(chǎng)特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過(guò)去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動(dòng)車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)減少使用 S
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第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？

“現(xiàn)在的新車(chē)，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車(chē)市場(chǎng)的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢(shì)成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅(jiān)定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭(zhēng)奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(zhǎng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
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如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē) (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車(chē)單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測(cè)和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車(chē)安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過(guò)向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長(zhǎng)·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案，加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

中國(guó)北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
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