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          意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)

          • ●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼:BWA)合作,為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  博格華納  功率模塊  沃爾沃  電動(dòng)汽車  

          從硅到碳化硅,更高能效是功率器件始終的追求

          • 隨著新能源汽車和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起,在可預(yù)見的未來(lái)里,電能都將會(huì)是人類社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而,隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升,每年全社會(huì)對(duì)電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國(guó),根據(jù)國(guó)家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù),2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí),同比增長(zhǎng)3.6%;其中,高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面,用電量大幅增長(zhǎng)71.1%。圖1:全社會(huì)用電量統(tǒng)計(jì)(圖源:貿(mào)澤電子)各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后,我們也必須要考慮到一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題,那就是節(jié)能。當(dāng)前,任何一種用電設(shè)備在設(shè)計(jì)之初,都會(huì)將高能效和低能
          • 關(guān)鍵字: Mouser  碳化硅  功率器件  

          自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試

          • _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資,特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車展望報(bào)告,到 2050 年,幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的,包括比硅器件更快
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶  SiC  GaN  雙脈沖測(cè)試  

          碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)?阿斯麥臉色不再重要!

          • 在科技領(lǐng)域中,碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星,逐漸嶄露頭角。隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展,芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中,碳化硅芯片憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資,人們開始紛紛關(guān)注,碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)?更高的溫度耐受性碳化硅芯片,作為一種新興的半導(dǎo)體材料,因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中,其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢(shì)之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體,
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅芯片  SiC  阿斯麥  

          東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

          • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
          • 關(guān)鍵字: 東芝  2200V  雙碳化硅  SiC  MOSFET模塊  

          大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)

          • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì),該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)(包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器)如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
          • 關(guān)鍵字: SiC  牽引逆變器  

          碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛 企業(yè)紛紛擴(kuò)張產(chǎn)能加速出貨

          • 隨著碳化硅(SiC)在電動(dòng)汽車、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。近期,一批碳化硅項(xiàng)目集中開工,部分公司接到批量訂單,推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng)始人由曦向《證券日?qǐng)?bào)》記者介紹,碳化硅的應(yīng)用場(chǎng)景主要包括電動(dòng)汽車、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來(lái),我國(guó)在碳化硅領(lǐng)域的研究和應(yīng)用取得快速發(fā)展,一些項(xiàng)目已經(jīng)落地實(shí)施。例如,在新能源汽車的高壓充電技術(shù)方面,碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料,其需求正日益增長(zhǎng)?!疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,具有耐高壓、導(dǎo)熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),是實(shí)現(xiàn)高壓快充技
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  新能源  

          適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

          • 隨著設(shè)備變得越來(lái)越小,電源也需要跟上步伐。因此,當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo):化單位體積的功率(W/mm 3)。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來(lái)提高性能和安全性,并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行額外的工作,但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗,同時(shí)限度地延長(zhǎng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          碳化硅熱度,只增不減

          • 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。隨著電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體價(jià)值量的提升,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢(shì)而上。需求殷切令各路廠商競(jìng)相投資擴(kuò)大產(chǎn)能,并且在未來(lái)的五年里,它的熱度只會(huì)增不會(huì)減。這一趨勢(shì)在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購(gòu)動(dòng)作中也可窺見一二。國(guó)內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機(jī)構(gòu)的青睞,相繼宣布完成融資,行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購(gòu)金額達(dá)到 21.32 億元,數(shù)量達(dá)到 15 起。2022 年也是碳化
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  

          全球SiC爭(zhēng)霸賽,誰(shuí)在豪擲千金?

          • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)獲得了1787萬(wàn)美元的資助,用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育,以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線,能夠讓美國(guó)大學(xué),企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  

          意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的?擅長(zhǎng)聯(lián)合,布局多重應(yīng)用,投資未來(lái)

          • 歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極,ST(意法半導(dǎo)體)、英飛凌、恩智浦(NXP)被稱為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車,也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應(yīng)用市場(chǎng),ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打,以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Garnter數(shù)據(jù),ST 2022年?duì)I收158.4億美元,年增長(zhǎng)率為25.6%,是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè),ST是如何顯露出真金本色,成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的?又是如何布局未來(lái)的?表1 202
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  MCU  SiC  

          安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元

          • 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代碼:ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner,紐約證交所股票代碼:BWA),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來(lái),雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作,其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
          • 關(guān)鍵字: 安森美  博格華納  碳化硅  

          汽車芯片,有兩大好賽道

          • 汽車的智能化和電動(dòng)化趨勢(shì),勢(shì)必帶動(dòng)車用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升,其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體,車規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車的重要組件,無(wú)論整車企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體,混合動(dòng)力汽車的功率器件占比增至 40%,純電動(dòng)汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片,模擬芯片在汽車各個(gè)部分均有應(yīng)用,包括車身、儀表、底盤、動(dòng)力總成及 ADAS,主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今,新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  GaN  模擬芯片  

          英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車芯片供貨協(xié)議

          • 英飛凌在近日表示,與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊,而逆變器用于電動(dòng)汽車的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議,賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示,目前IGBT缺貨基本在39周以上,供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上,市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌,其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過(guò)
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  賽米控  電動(dòng)汽車芯片  SiC  IGBT  

          羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能

          • 全球車用SiC功率組件市場(chǎng),目前主要由IDM大廠獨(dú)霸,根據(jù)統(tǒng)計(jì),全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中,羅姆計(jì)劃在2025年,將SiC功率半導(dǎo)體的營(yíng)收擴(kuò)大至1,000億日?qǐng)A以上,成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo),該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,并宣布買下日本一家太陽(yáng)能系統(tǒng)廠的舊工廠,未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi),預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng),將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo),羅姆將從日本的石油公
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  
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          碳化硅(sic)介紹

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