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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

          從國(guó)際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

          • 碳化硅(SiC)具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn),可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應(yīng)用需求,對(duì)我國(guó)“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義,是未來(lái)五年“中國(guó)芯”最好的突破口之一,當(dāng)下我國(guó)應(yīng)該集中優(yōu)勢(shì)資源重點(diǎn)發(fā)展。
          • 關(guān)鍵字: ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴(kuò)產(chǎn)  

          中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠

          • 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄,設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息,10月13日,香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體(上海)有限公司(杰平方半導(dǎo)體)簽署合作備忘錄,在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心,并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅(SiC)8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠,共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資額約69億港元,計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓,帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元,并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

          圖騰柱無(wú)橋PFC與SiC相結(jié)合,共同提高電源密度和效率

          • 效率和尺寸是電源設(shè)計(jì)的兩個(gè)主要考慮因素,而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來(lái)越重要。為了減少無(wú)功功率引起的電力線諧波含量和損耗,盡可能降低電源運(yùn)行時(shí)對(duì)交流電源基礎(chǔ)設(shè)施的影響,需要使用 PFC。但要設(shè)計(jì)出小尺寸、高效率電源(包括 PFC)仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過(guò)修改傳統(tǒng) PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級(jí)通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級(jí),由四個(gè)整流器二極管和一個(gè)升壓二極管組成。圖 1:橋式整流器后接單相 PFC 級(jí)圖騰柱無(wú)橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)還有一種提高
          • 關(guān)鍵字: 安森美  PFC  SiC  電源密度  

          采用SiC提高住宅太陽(yáng)能系統(tǒng)性能

          • 預(yù)計(jì)在未來(lái)五年,住宅太陽(yáng)能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長(zhǎng)。太陽(yáng)能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源,用于為家用電器供電,為電動(dòng)汽車充電,甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽(yáng)能系統(tǒng),即使發(fā)生電網(wǎng)故障,也不用擔(dān)心。本篇博客介紹了住宅太陽(yáng)能系統(tǒng)的主要組成部分,并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來(lái)提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢(shì)。住宅太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉(zhuǎn)換器使用“最大功率點(diǎn)跟蹤”(MPPT) 方法(根據(jù)陽(yáng)光的強(qiáng)度和方向優(yōu)化能量采集),將可
          • 關(guān)鍵字: SiC  太陽(yáng)能系統(tǒng)  

          杰平方半導(dǎo)體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅(SiC)先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目

          • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng),香港科技園公司(科技園公司)與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體(上海)有限公司(杰平方半導(dǎo)體)簽署合作備忘錄,在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心,并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅(SiC)8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠,共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中,明確指出應(yīng)加強(qiáng)支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展,譬如半導(dǎo)體芯片,促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場(chǎng)之一,香港更是位處大
          • 關(guān)鍵字: 香港科技園公司  杰平方半導(dǎo)體  碳化硅  SiC  垂直整合晶圓廠  

          新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過(guò)3,500種LTspice模型

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能,可以提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此,羅姆已經(jīng)提供超過(guò)3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型,這些模型從各產(chǎn)品頁(yè)面均可下載。目前,羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對(duì)應(yīng)的LTspice?模型覆蓋率
          • 關(guān)鍵字: SiC  IGBT模型  羅姆  LTspice模型  

          基于ST CCM PFC L4986A 設(shè)計(jì)的1KW 雙BOOST PFC電源方案

          • L4986簡(jiǎn)介:L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器,采用專有的乘法器“模擬器”,除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器,還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真(THD)性能。該器件引腳采用SO封裝,集成了800V 高壓?jiǎn)?dòng)功能,無(wú)需使用傳統(tǒng)的放電電阻??梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個(gè)版本:A為65 kHz,B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡(jiǎn)介:Double-boost 是無(wú)橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋,可以顯著提
          • 關(guān)鍵字: ST  SIC  第三代半導(dǎo)體  CCM PFC  4986  電動(dòng)工具  割草機(jī)  雙boost  double boost  無(wú)橋PFC  

          Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)

          • Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元,入股Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒,日本電裝株式會(huì)社(Denso)和三菱電機(jī)宣布,將分別投資5億美元,入股美國(guó)半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅(SiC)業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide,并分別取得12.5%股權(quán)(兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán))。據(jù)悉,Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造,是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購(gòu)
          • 關(guān)鍵字: 三菱電機(jī)  Denso  碳化硅  

          一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

          • 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、直流快速充電、儲(chǔ)能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應(yīng)用有一點(diǎn)非常相似,它們都需要逆變器(圖 1)。它們還需要緊湊且高能效的輕量級(jí)解決方案。就汽車而言,輕量化是為了增加續(xù)航里程,而在太陽(yáng)能應(yīng)用中,這是為了限制太陽(yáng)能設(shè)備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成,其中顯示了逆變器半導(dǎo)體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導(dǎo)體器件(IGBT /
          • 關(guān)鍵字: 安森美  碳化硅  

          保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

          • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件,比如 SiC,對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言,建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽(yáng)能光伏 (PV))應(yīng)用中,MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽(yáng)
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

          保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

          • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件,比如 SiC,對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言,建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽(yáng)能光伏 (PV))應(yīng)用中,MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽(yáng)
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  

          意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC,“上車”沃爾沃?

          • 近日,意法半導(dǎo)體官微宣布,將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢(shì),意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作,力爭(zhēng)讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配,最大限度提高逆變器性能,縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)總裁Marco Monti表示,意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  博格華納  SiC  沃爾沃  

          國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅加速布局!

          • 近期,三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱,公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外,三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示,展會(huì)上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問(wèn)三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后,表示已經(jīng)確認(rèn)采購(gòu)意向。圖:三安半導(dǎo)體湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司,主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及服務(wù),目前建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安
          • 關(guān)鍵字: 8英寸  碳化硅  

          基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

          • STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源,使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源,使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計(jì)包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級(jí)圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案,在230 VAC輸入時(shí),測(cè)量峰值效率為96.3%
          • 關(guān)鍵字: ST  第三代半導(dǎo)體  SIC  GNA  圖騰柱PFC  無(wú)橋PFC  全橋LLC  數(shù)字電源  

          意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)

          • ●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼:BWA)合作,為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
          • 關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體  SiC  博格華納  功率模塊  沃爾沃  電動(dòng)汽車  
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          碳化硅(sic)介紹

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