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	碳化硅（sic）
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅（sic） 文章
                  進入碳化硅（sic）技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導體
          
                                                            
            
                    	
          • 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀，但它們的技術成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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          • 關鍵字：
                        新能源  氮化鎵  碳化硅                          
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          Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
          
                                                            
            
                    	
          • Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  三菱電機  SiC MOSFET                          
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          氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
          
                                                            
            
                    	
          • 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產品，詳細解釋了三類產品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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          • 關鍵字：
                        PI  氮化鎵  碳化硅                          
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          三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體
          
                                                            
            
                    	
          • 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
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          • 關鍵字：
                        三菱電機  安世  SiC                          
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          電裝5億美元入股這家SiC公司
          
                                                            
            
                    	
          • 11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關于本次投資，市場方面早有相關消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務感興趣，并且已經就收購Coherent的SiC業(yè)務少數股權進行過討論。分拆SiC業(yè)務能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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          • 關鍵字：
                        電裝  SiC                          
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          Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產650 V碳化硅整流二極管模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關系，共同生產新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關系。   制造商對下一代功率應用的關鍵需求是節(jié)省空間和減輕
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  KYOCERA  功率應用  650 V  碳化硅  整流二極管                          
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          2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應能微電子（深圳）有限公司
          
                                                            
            
                    	
          • 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷售的半導體技術公司。應能成立于2012年，其核心團隊來自美國硅谷，全產品線皆為自研產品，目前已有500多款產品，90%已上為量產狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應用。應能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關鍵性能指標上表現出色，硅基MOSFET產品
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          • 關鍵字：
                        應能微電子  接口保護器件  碳化硅                          
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          東風首批自主碳化硅功率模塊下線
          
                                                            
            
                    	
          • 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術的碳化硅模塊從智新半導體二期產線順利下線，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產
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          • 關鍵字：
                        IGBT  碳化硅  東風  智新半導體                          
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          應對汽車檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • _____近年來，在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。汽車電動化浪潮中，半導體增量主要來自于功率半導體，根據 Strategy Analytics，功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導體器件，業(yè)界已經建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發(fā)
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          • 關鍵字：
                        汽車檢測認證  泰克  SiC                          
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          滿足市場對下一代碳化硅器件的需求
          
                                                            
            
                    	
          • 一些新出現的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領域，目前電動汽車 (EV) 已經非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
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          • 關鍵字：
                        安森美  碳化硅                          
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          通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
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          • 關鍵字：
                        202310  碳化硅  SiC  電池儲能系統(tǒng)                          
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          良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產 8 英寸 SiC
          
                                                            
            
                    	
          • IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產碳化硅（SiC）晶圓的重重技術難關，已經將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
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                        晶圓廠  SiC                          
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          中芯集成正式設立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時代等現身股東榜
          
                                                            
            
                    	
          • 10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱，新設立合資公司芯聯(lián)動力科技（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)動力”）已完成了工商注冊登記手續(xù)，并取得紹興市越城區(qū)市場監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據中芯集成公告，芯聯(lián)動力將運營碳化硅（SiC）業(yè)務項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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                        中芯集成  碳化硅                          
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          安森美韓國碳化硅工廠擴建完工 年產能將超百萬片
          
                                                            
            
                    	
          • 安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經完工，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠SiC半導體產量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產200mm晶圓。為了支持SiC產能的提升，安森美計劃在未來三年內雇傭多達1000名當地員工來填補大部分高
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                        安森美  韓國  碳化硅                          
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          安森美韓國富川碳化硅工廠擴建正式落成
          
                                                            
            
                    	
          • 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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                        安森美  碳化硅                          
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          碳化硅（sic）介紹
          
      			
          
		      	
          
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