碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片

11月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機(jī)械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴(kuò)建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計(jì)劃
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三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人

11 月 21 日消息，據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱(chēng)，理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專(zhuān)家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專(zhuān)家、SiC 功率模塊工藝專(zhuān)家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專(zhuān)家。報(bào)道還稱(chēng)，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
關(guān)鍵字：理想自研芯片新能源汽車(chē) 智能駕駛 AI 推理芯片驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 SiC 功率芯片。

Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導(dǎo)體

倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測(cè)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會(huì)產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測(cè)Omdia半導(dǎo)體元件高級(jí)分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(zhǎng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運(yùn)動(dòng)相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？

在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

三菱電機(jī)將與Nexperia（安世）合力開(kāi)發(fā)SiC芯片，通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大，并有助于推動(dòng)Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司

11月6日，株式會(huì)社電裝（Denso）宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱(chēng)，電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購(gòu)Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì)，同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國(guó)際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計(jì)的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(zhǎng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。制造商對(duì)下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅整流二極管

2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應(yīng)能微電子（深圳）有限公司

應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護(hù)器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)、制造和銷(xiāo)售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年，其核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自美國(guó)硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場(chǎng)包括快速增長(zhǎng)的消費(fèi)電子 (智能手機(jī)、計(jì)算機(jī)、平板電腦、高清電視、機(jī)頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車(chē)上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷(xiāo)售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測(cè)試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺(tái)，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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應(yīng)對(duì)汽車(chē)檢測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu)測(cè)試需求,泰克提供SiC性能評(píng)估整體測(cè)試解決方案

_____近年來(lái)，在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車(chē)行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車(chē)滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車(chē)電動(dòng)化浪潮中，半導(dǎo)體增量主要來(lái)自于功率半導(dǎo)體，根據(jù) Strategy Analytics，功率半導(dǎo)體在汽車(chē)半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車(chē)的21%提升至純電動(dòng)車(chē)的55%，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車(chē)用電子零部件一樣，車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體也須通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證規(guī)范所涵蓋的7大類(lèi)別41項(xiàng)測(cè)試要求。對(duì)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測(cè)試評(píng)估流程。而對(duì)于近兩年被普遍應(yīng)用于開(kāi)發(fā)
關(guān)鍵字：汽車(chē)檢測(cè)認(rèn)證泰克 SiC

滿足市場(chǎng)對(duì)下一代碳化硅器件的需求

一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來(lái)充滿了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設(shè)計(jì)人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔(dān)心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時(shí)間和續(xù)航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅(qū)逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)硅
關(guān)鍵字：安森美碳化硅

通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)

電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種，分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC

IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長(zhǎng)徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸，和國(guó)際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會(huì)在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長(zhǎng)，到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過(guò) 50%，而且有進(jìn)一步改善的空間，明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。IT之家從報(bào)道中
關(guān)鍵字：晶圓廠 SiC