碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設(shè)計工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計將于2019年動工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
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國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行調(diào)研基本半導(dǎo)體

　　4月9日上午，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導(dǎo)體考察調(diào)研?！　』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產(chǎn)品，包括性能達(dá)到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團(tuán)隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅(qū)動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。　　國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金是為促進(jìn)集
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ROHM炫動慕展，為汽車車載帶來一大波方案

　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置，以炫動的賽車和動感十足的汽車產(chǎn)品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?　　據(jù)悉，此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”，重點展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案?！　D：ROHM展臺設(shè)在展館入口處，動感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因為有SiC　　視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
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SiC將與IGBT或MOSFET共存

雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應(yīng)用中所表現(xiàn)出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來大量需求。氮化鎵技術(shù)能夠降低成本，又能夠保持半導(dǎo)體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應(yīng)用領(lǐng)域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認(rèn)為碳化硅和現(xiàn)存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領(lǐng)域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
關(guān)鍵字：瑞薩，碳化硅

SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
關(guān)鍵字：力特，SiC，GaN

新一代功率器件動向：SiC和GaN

更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
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重磅消息！深圳第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動

　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導(dǎo)體和南方科技大學(xué)等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導(dǎo)體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導(dǎo)體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC GaN 電源管理 201804

新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信

　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。　　來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個光子。研究人員進(jìn)一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。　　量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
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受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。　　　　此外，除了輕化車輛設(shè)計之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
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ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強(qiáng)勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外，為此
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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強(qiáng)

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相。　　憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。　　我們
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關(guān)頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計旨在提高設(shè)計可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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