碳化硅（sic）文章進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

　　<概要>　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。　　本產(chǎn)品通過(guò)ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí))，這非常有助于應(yīng)
關(guān)鍵字： ROHM SiC

汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
關(guān)鍵字： SiC GaN

汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源相關(guān)芯片?！　∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，使用200毫米(和
關(guān)鍵字： SiC GaN

功率半導(dǎo)體：自主可控迫在眉睫產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

　　與市場(chǎng)的不同的觀點(diǎn):傳統(tǒng)觀點(diǎn)認(rèn)為功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局固定,技術(shù)升級(jí)步伐相對(duì)緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語(yǔ),中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對(duì)新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長(zhǎng)期低估,我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國(guó)半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC

電源設(shè)計(jì)控必須了解的2017三大趨勢(shì)

　　2017電源市場(chǎng)需求和技術(shù)趨勢(shì)風(fēng)向如何?來(lái)e星球，與超六萬(wàn)的專業(yè)人士一起把握潮流!　　需求往往是推動(dòng)創(chuàng)新的源泉，無(wú)論是時(shí)尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求，潛在的創(chuàng)新動(dòng)力才會(huì)被激發(fā)，也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點(diǎn)在哪?帶著疑問(wèn)與期盼請(qǐng)來(lái)亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過(guò)6萬(wàn)多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國(guó)際博覽中心，深度探討2017年中國(guó)電源市場(chǎng)需求與走勢(shì)，
關(guān)鍵字： SiC GaN

ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢(shì)待發(fā)

　　2017年3月14日(周二)~16日(周四)，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國(guó)際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時(shí)ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號(hào)：4100)，向與會(huì)觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來(lái)到現(xiàn)場(chǎng)還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹，期待您的到來(lái)?！　OHM展位信息　　"慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會(huì)。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商，&
關(guān)鍵字： ROHM SiC

新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

　　日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無(wú)定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption，KABRA)的專利和正在申請(qǐng)專利的激光材料加工技術(shù)，可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來(lái)的四倍，并且在提高產(chǎn)量的同時(shí)減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場(chǎng)中的滲透較慢，主要是因?yàn)槠洚a(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量，并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
關(guān)鍵字： SiC

“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？

　　如果說(shuō)中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來(lái)十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過(guò)程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。　　然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開(kāi)發(fā)綠色
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
關(guān)鍵字： GaN SiC

【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
關(guān)鍵字： GaN SiC

【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
關(guān)鍵字： GaN SiC

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
關(guān)鍵字：寬禁帶半導(dǎo)體 SiC

無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開(kāi)發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
關(guān)鍵字： SiC GaN

11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

　　ROHM新聞發(fā)布會(huì)上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器?！　OHM的德國(guó)發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
關(guān)鍵字： ROHM SiC

世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國(guó)的高度重視，從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開(kāi)全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SiC