碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術(shù)社區(qū)
“助攻”電源設(shè)計：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！
- 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。 世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
- DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設(shè)備而言
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領(lǐng)先技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評?！ OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標準 近年來，全世
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？
- 2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設(shè)施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內(nèi)充換電站數(shù)量要達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。 充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
- 集LED照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的全球著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅(qū)動開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。 圖：CAS300M17BM2模塊外觀圖 世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
- 關(guān)鍵字： CREE SiC
性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應(yīng)用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： 世強 SiC
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
- SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導(dǎo)通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設(shè)計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
SiC功率模塊關(guān)鍵在價格，核心在技術(shù)
- 日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。 世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時
- 關(guān)鍵字： SiC SiC
EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場的調(diào)查結(jié)果。 ? 全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的推移變化和預(yù)測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點擊放大) 2013年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復(fù)、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 預(yù)計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
- 關(guān)鍵字： SiC 功率半導(dǎo)體
ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務(wù)報告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長 澤村諭，下稱"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績。 第一季度銷售額為949億2千萬日元(去年同比增長7.4%)，營業(yè)利潤為115億6千7百萬日元(去年同比增長24.7%)。 縱觀電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場方面，雖然智能手機和可穿戴設(shè)備等市場的行情仍然在持續(xù)走高，然而一直以來都保持持續(xù)增長的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個人電腦市場呈現(xiàn)低迷態(tài)勢。在AV相關(guān)市場方面，雖然4K電視(※1)等高附加
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
專利設(shè)計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導(dǎo)體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導(dǎo)通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設(shè)備的功率損耗。 羅姆半導(dǎo)體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC-MOSFET
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關(guān)為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
碳化硅（sic）電路
碳化硅（sic）相關(guān)帖子
碳化硅（sic）資料下載
碳化硅（sic）專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473