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	碳化硅（sic）
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅（sic） 文章
                  進入碳化硅（sic）技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　ROHM新聞發(fā)布會上，首先宣布最新的第三代SiC技術，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個溫度范圍內減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。　　ROHM的德國發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況
          
                                                            
            
                    	
          • 技術創(chuàng)新是推動產業(yè)發(fā)展的永恒動力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國的高度重視，從國際競爭角度看，美、日、歐等發(fā)達國家已將第三代半導體材料列入國家計劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點。
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          • 關鍵字：
                        半導體  SiC                          
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          技術講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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          • 關鍵字：
                        SiC  講座  功率元件  氧化鎵                            
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          氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  碳化硅                          
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          GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
　　

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　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
　　不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          Zaptec公司采用意法半導體先進的功率技術，開發(fā)出獨具特色的便攜式電動汽車充電器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業(yè)界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創(chuàng)業(yè)公司Zaptec開發(fā)出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產業(yè)革命性的創(chuàng)新性初創(chuàng)公司。
　　作為市場首款內置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  SiC                          
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          SiC功率半導體市場將開始高速發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SiC功率半導體正進入多個應用領域
　　當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業(yè)都對SiC功率半導體的未來發(fā)展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現(xiàn)商業(yè)化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發(fā)展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規(guī)模約為2億美元，到2021年，其市場規(guī)模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示?！　?nbsp; 
 　　圖1：通訊電源機房　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：　　? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz　　? 輸出功率：2kw　　? 
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          • 關鍵字：
                        SiC  PFC                          
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          英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進一步擴大緊湊型門級驅動產品陣容
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅動IC產品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能?！　∪翴C的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅動高壓功率MOSFET和IGBT而設計。目標應用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設備及商用和農用車等。優(yōu)化的
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC-MOSFET                          
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          SiC使通訊電源PFC設計更高效、更簡單
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運行，通信電源系統(tǒng)在整個通信行業(yè)中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。
　　通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
　　

 
　　圖1：通訊電源機房
　　目前主流的通訊電源，其參數(shù)如下：
　　• 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz
　　• 輸出功率：2kw
　　• 輸出：最大電壓1
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          • 關鍵字：
                        世強  SiC                          
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          SiC耐壓更高，適合工控和EV
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。
　　相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應適應高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點。
　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          IEGT與SiC降低損耗
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　東芝在工業(yè)領域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關產品。這些產品可以廣泛用到電氣機車牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動汽車等工業(yè)領域，這些領域對減小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來越高?！　|芝是全球第一個商業(yè)化生產IGBT器件的廠家，率先導入了“門級注入增強”技術以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術注冊了東芝大功率IGBT的專用商標---“IEGT”?！　|芝電子(中國)公司副董事長野村尚司　　目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產品系列。通過使用高耐壓、高結溫的IEGT及SiC材料
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          • 關鍵字：
                        IEGT  SiC                          
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          SiC功率半導體接合部的自我修復現(xiàn)象，有望改善產品壽命
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　大阪大學和電裝2016年3月28日宣布，在日本新能源及產業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)的項目下，發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導體長期可靠性的接合材料自我修復現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn)，在高溫的設備工作環(huán)境下，用作接合材料的銀燒結材料自行修復了龜裂，這大大提高了SiC半導體在汽車等領域的應用可能性。
　　此次的SiC接合使用銀膏燒結粘接法，該方法使用微米級和亞微米級的混合銀顆粒膏，以250℃低溫在空氣環(huán)境實施30分鐘接合工藝，獲得了裸片粘接構造。與常見的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點，包
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          電源的六大酷領域及動向
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據中心電源，邀請部分領軍企業(yè)介紹了技術市場動向及新產品。
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          • 關鍵字：
                        SiC  IGBT  汽車  電池  USB Type-C  無線充電  能量收集  數(shù)據中心  201604                          
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          ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產品與技術吸引觀眾駐足
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球知名半導體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網)的發(fā)展做出貢獻的傳感器網絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！　?nbsp; 

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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          碳化硅（sic）介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();