碳化硅（sic） 文章 進入碳化硅（sic）技術社區(qū)
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達的可變速馬達驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進化。因為使用了以低電阻、高速開關為特點的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時測量，利用它們的差和比
- 關鍵字： SiC GaN 電流傳感器
一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質(zhì)，極大地提升了太陽能逆變器的電源轉(zhuǎn)換效率，拉長新能源汽車的可跑里程，應用在高頻轉(zhuǎn)換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據(jù)調(diào)查公司Yole developmet統(tǒng)計，SiC Mosfet現(xiàn)有市場容量為9000萬美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢： i. 低導通電阻RDS
- 關鍵字： SiC Mosfet DC-DC
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
SiC功率器件的技術市場走勢
- 摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。 近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。 各種功率器件的比較 功率元器件主要用于轉(zhuǎn)換電源，包括四大類：逆變器、轉(zhuǎn)換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉(zhuǎn)換器、矩陣
- 關鍵字： SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
中國成功研制國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片 年產(chǎn)7萬片
- 從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。 不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。 從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內(nèi)率先實現(xiàn)了碳化硅單晶襯底自主研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。 第三代半導體材料 研究人員告訴記者，上世紀
- 關鍵字： 碳化硅 晶片
SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結(jié)果。 全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。 預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
- 關鍵字： SiC 功率半導體
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
- 關鍵字： 東芝 SBD SiC
東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
- 關鍵字： 東芝 SBD SiC
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