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	碳化硅（sic）
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC  MOS                          
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          羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC                          
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          羅姆半導體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •  據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。


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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC  LED                          
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          采用碳化硅作為變頻器，節(jié)能潛力巨大
          
                                                            
            
                    	
          • 編者語：在現(xiàn)代工廠的機械設備中，電氣傳動系統(tǒng)所耗費的電能占到了60%~70%，采用節(jié)能傳動系統(tǒng)可以為機械設備降低...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        碳化硅  變頻器  節(jié)能                          
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          富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。
　　
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          • 關鍵字：
                        富士電機  SiC                          
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          SiC寬帶功率放大器模塊設計分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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          • 關鍵字：
                        設計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC                          
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          SiC寬帶功率放大器模塊設計
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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          • 關鍵字：
                        SiC  寬帶功率放大器  模塊設計  放大電路                          
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          LED碳化硅襯底基礎概要
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        LED  碳化硅                          
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          利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
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          • 關鍵字：
                        安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC                          
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          市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?！　?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Xilinx  Semico  SIC                          
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          英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。
　　獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  肖特基二極管  SiC                          
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          即將普及的碳化硅器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
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          • 關鍵字：
                        豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910                          
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          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究
          
                                                            
            
                    	
          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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          • 關鍵字：
                        MMIC  SiC  GaN  襯底                            
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          SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車更輕
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上，并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC，今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。
　　SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小，因此可
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          • 關鍵字：
                        二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)                          
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          探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù)，它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層，這樣就能構(gòu)成一套完全獨立的生物電信號采集方案。
　　
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          • 關鍵字：
                        SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC                          
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          碳化硅（sic）介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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