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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅

          全球加速碳化硅產(chǎn)能擴(kuò)充

          • 受惠于下游應(yīng)用市場的強(qiáng)勁需求,碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。近期,備受關(guān)注的碳化硅市場又有了新動(dòng)態(tài),涉及三菱電機(jī)、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機(jī)SiC工廠預(yù)計(jì)4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報(bào)道,三菱電機(jī)將于今年4月,在日本熊本縣開工建設(shè)新的8英寸SiC工廠,并計(jì)劃于2026年4月投入運(yùn)營。2023年3月,三菱電機(jī)宣布,計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元(折合人民幣約48.56億元)建設(shè)一個(gè)
          • 關(guān)鍵字: 新能源汽車  碳化硅  第三代半導(dǎo)體  

          芯動(dòng)半導(dǎo)體與與意法半導(dǎo)體達(dá)成SiC合作

          • 3月13日消息,日前,芯動(dòng)半導(dǎo)體官微宣布,已與意法半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開合作。此次與意法半導(dǎo)體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,也將進(jìn)一步推動(dòng)長城汽車垂直整合,穩(wěn)定供應(yīng)鏈發(fā)展。公開資料顯示,芯動(dòng)半導(dǎo)體于2022年11月成立于江蘇無錫,由長城汽車與穩(wěn)晟科技合資成立,以開發(fā)第三代功率半導(dǎo)體SiC模組及應(yīng)用解決方案為目標(biāo)。目前,芯動(dòng)半導(dǎo)體位于無錫的第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項(xiàng)目已完成建設(shè)。該項(xiàng)目總投資8億元,規(guī)劃車規(guī)級(jí)模組年產(chǎn)能為120萬套,預(yù)計(jì)本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外,芯動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: ST  芯動(dòng)  碳化硅  

          英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動(dòng)低碳化的高性能系統(tǒng)

          • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(biāo)(如能量和電荷儲(chǔ)量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢,通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

          晶盛機(jī)電披露碳化硅進(jìn)展

          • 近日,晶盛機(jī)電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,目前公司已基本實(shí)現(xiàn)8-12英寸大硅片設(shè)備的全覆蓋并批量銷售,6英寸碳化硅外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長,成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸,開發(fā)出了應(yīng)用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD設(shè)備、ALD設(shè)備等。晶盛機(jī)電自2017年開始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局,聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝,量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備  晶盛機(jī)電  碳化硅  

          瘋狂的碳化硅,國內(nèi)狂追!

          • 近幾日,英飛凌在碳化硅合作與汽車半導(dǎo)體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻,再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日,英飛凌與Wolfspeed宣布擴(kuò)大并延伸現(xiàn)有的長期150mm碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議(原先的協(xié)議簽定于2018年2月)。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,同時(shí)滿足汽車、太陽能、電動(dòng)汽車充電應(yīng)用、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)τ谔蓟璋雽?dǎo)體不斷增長的需求。據(jù)英飛凌科技首席執(zhí)行官 JochenHanebeck 消息,為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求,英飛凌正在落實(shí)一項(xiàng)多供應(yīng)商戰(zhàn)略,從而在
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  英飛凌  晶圓  

          臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

          • 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
          • 關(guān)鍵字: 功率模塊  碳化硅  SiC  

          英飛凌與Wolfspeed延長多年期碳化硅150mm晶圓供應(yīng)協(xié)議

          • 據(jù)外媒,1月23日,英飛凌與美國半導(dǎo)體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明,宣布擴(kuò)大并延長雙方2018年2月簽署的現(xiàn)有150mm碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)聲明,雙方延長的的合作關(guān)系中包括一項(xiàng)多年期產(chǎn)能預(yù)留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,同時(shí)滿足汽車、太陽能和電動(dòng)汽車應(yīng)用以及儲(chǔ)能系統(tǒng)對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長的需求。英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范圍內(nèi)保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長期供應(yīng)優(yōu)質(zhì)貨源。
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  晶圓  Wolfspeed  

          致瞻科技采用意法半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),提高新能源汽車電動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī)控制器能效

          • 2024年1月18日,中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,與聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作,為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處,以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車為例,續(xù)航里程可延長5到10公里,在夏冬
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          Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件,針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

          • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(TO-247-4L)的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻,并配有一個(gè)開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新
          • 關(guān)鍵字: Transphorm  高功率服務(wù)器  工業(yè)電力轉(zhuǎn)換  氮化鎵場效應(yīng)晶體管  碳化硅  SiC  

          英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 達(dá)成協(xié)議

          • 據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,近日,英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應(yīng)商 SK Siltron CSS 正式達(dá)成協(xié)議。據(jù)悉,SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓,支持SiC半導(dǎo)體的生產(chǎn)。在后續(xù)階段,SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據(jù)了解,英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示:“對于英飛凌來說,供應(yīng)鏈彈性意味著實(shí)施多供應(yīng)商戰(zhàn)略,并在逆境中蓬勃發(fā)展,創(chuàng)造新的增長機(jī)會(huì)并推
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  碳化硅  SK Siltron CSS  晶圓  

          安森美:緊握第三代半導(dǎo)體市場,助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

          • 1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,在汽車和工業(yè)市場增長的 推動(dòng)下,安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預(yù)期。 其中,第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎(chǔ)設(shè)施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%,在第 二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元,同比增長 35%,創(chuàng) 歷史新高,第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,安森美專注于 SiC,重點(diǎn)聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
          • 關(guān)鍵字: 安森美  第三代半導(dǎo)體  碳化硅  SiC  

          工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

          • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,在工業(yè)領(lǐng)域?yàn)樵O(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲(chǔ)能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比,工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜,對電源的穩(wěn)定性要求更高,需滿足一些特殊要求,如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性,同時(shí),它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類,電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源,是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造, 形成的一個(gè)結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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          電動(dòng)汽車市場催生碳化硅新前景

          • 第三代半導(dǎo)體材料是指以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度,更高的擊穿電場、熱導(dǎo)率以及電子飽和速率,并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件適用于高電壓、高頻率場景,并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運(yùn)行能力。因此,第三代半導(dǎo)體材料在5G基站、新能源車、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。其中,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在新能源汽車領(lǐng)域,
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  氮化鎵  新能源汽車  汽車電子  

          小米汽車發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),爭做冬季續(xù)航之王

          • 12月29日消息,昨日,在小米汽車技術(shù)發(fā)布會(huì)上,小米集團(tuán)董事長雷軍宣布,發(fā)布CTB一體化電池技術(shù),全球最高體積效率達(dá)77.8%,采用小米800V碳化硅高壓平臺(tái),最高電壓達(dá)871V,與寧德時(shí)代歷時(shí)兩年共同研發(fā)。據(jù)雷軍介紹,小米電池通過全球最嚴(yán)苛的熱失效安全標(biāo)準(zhǔn),采用17層高壓絕緣防護(hù),7.8m2同級(jí)最大冷卻面積,并使用165片氣凝膠隔熱。同時(shí),采用行業(yè)首創(chuàng)電芯倒置技術(shù),最大程度保證乘員艙安全。同時(shí),該項(xiàng)技術(shù)可以達(dá)到低溫環(huán)境下“續(xù)航保持率同級(jí)更高、空調(diào)升溫速度同級(jí)更快、充電速度同級(jí)更快”,雷軍表示,小米汽車立
          • 關(guān)鍵字: 小米汽車  碳化硅  寧德時(shí)代  

          全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長

          • 12月22日消息,據(jù)報(bào)道,Adroit Market Research預(yù)計(jì),全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長,到2032年將達(dá)到1530億美元,2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示,半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B,復(fù)合年增長率高達(dá)11.9%。目前的市場表明,到2022年,每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元,在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下,到2028年,該數(shù)字將增長至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  半導(dǎo)體  ADAS  碳化硅  DRAM  MCU  
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          碳化硅介紹

          碳化硅(SiC)為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物,碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中,以1600至2500°C高溫加熱。 發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物,并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐,至今此技術(shù)仍為眾人使用中。 性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細(xì) ]

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