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碳化硅
碳化硅 文章 進(jìn)入碳化硅技術(shù)社區(qū)
安森美韓國(guó)碳化硅工廠擴(kuò)建完工 年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片
- 安森美位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱(chēng)，其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工，目標(biāo)明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗(yàn)證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計(jì)劃在未來(lái)三年內(nèi)雇傭多達(dá)1000名當(dāng)?shù)貑T工來(lái)填補(bǔ)大部分高
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安森美韓國(guó)富川碳化硅工廠擴(kuò)建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴(kuò)建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗(yàn)
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2024年中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，中國(guó)尤其獲得國(guó)際 IDM 的認(rèn)可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)。此前中國(guó)碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2024 年中國(guó)碳化硅晶圓在全球的占比有望達(dá)到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國(guó)企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì) 2024 年月產(chǎn)能將達(dá)到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，此前天岳先進(jìn)、天科合達(dá)合計(jì)占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”
- 日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體高管峰會(huì)（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺(tái)，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機(jī)會(huì)，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì)以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車(chē)應(yīng)用中的機(jī)遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國(guó)
- 2023年，中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其得到國(guó)際IDM廠商的認(rèn)可，中國(guó)廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來(lái)自中國(guó)的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。 然而，到2024年，預(yù)計(jì)將搶占可觀的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國(guó)公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴(kuò)大了千倍。我國(guó)大約有四到五家從事SiC晶體生長(zhǎng)的龍頭企業(yè)，為測(cè)算我國(guó)SiC晶體生長(zhǎng)產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計(jì)約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計(jì)到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)單位
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英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署半導(dǎo)體供應(yīng)長(zhǎng)約
- 英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。據(jù)外媒，10月18日，英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已達(dá)成戰(zhàn)略合作，簽署一項(xiàng)多年期碳化硅和硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議，以確保功率半導(dǎo)體的供應(yīng)。根據(jù)戰(zhàn)略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代、起亞供應(yīng)碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現(xiàn)代、起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備，三方也計(jì)劃在提升電動(dòng)汽車(chē)的性能上緊密合作。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 現(xiàn)代 起亞 碳化硅 硅功率模塊
三星人事變動(dòng)，瞄準(zhǔn)碳化硅！
- 10月16日，根據(jù)韓媒ETNEWS的報(bào)道，三星電子近期聘請(qǐng)安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔(dān)任副總裁，負(fù)責(zé)監(jiān)督SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，并在其內(nèi)部組織了SiC功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導(dǎo)體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導(dǎo)體等全球主要功率半導(dǎo)體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團(tuán)隊(duì)成員，同時(shí)通過(guò)與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
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中國(guó)香港地區(qū)將建首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠
- 香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心。大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額約69億港元，計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬(wàn)片碳化硅晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)110億港元，并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地和
- 關(guān)鍵字： 晶圓 碳化硅 第三代半導(dǎo)體
杰平方半導(dǎo)體宣布啟動(dòng)香港首間碳化硅（SiC）先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目
- 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企業(yè)辦公室共同推動(dòng)，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體（上海）有限公司（杰平方半導(dǎo)體）簽署合作備忘錄，在科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開(kāi)設(shè)香港首間碳化硅（SiC）8寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠，共同推進(jìn)香港微電子生態(tài)圈及第三代半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍(lán)圖》中，明確指出應(yīng)加強(qiáng)支持具策略性的先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導(dǎo)體芯片，促進(jìn)香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導(dǎo)體進(jìn)出口市場(chǎng)之一，香港更是位處大
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Denso和三菱電機(jī)10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務(wù)
- Denso和三菱電機(jī)宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會(huì)社(Denso)和三菱電機(jī)宣布，將分別投資5億美元，入股美國(guó)半導(dǎo)體材料、網(wǎng)絡(luò)及激光供應(yīng)商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計(jì)取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來(lái)設(shè)立的SiC業(yè)務(wù)子公司。Denso與三菱電機(jī)將向該公司采購(gòu)
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一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理
- 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來(lái)越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、直流快速充電、儲(chǔ)能電站、不間斷電源和太陽(yáng)能發(fā)電。這些應(yīng)用有一點(diǎn)非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級(jí)解決方案。就汽車(chē)而言，輕量化是為了增加續(xù)航里程，而在太陽(yáng)能應(yīng)用中，這是為了限制太陽(yáng)能設(shè)備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動(dòng)力總成，其中顯示了逆變器半導(dǎo)體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導(dǎo)體器件（IGBT /
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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽(yáng)
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國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅加速布局！
- 近期，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱(chēng)，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會(huì)上有多家重要客戶(hù)在詳細(xì)詢(xún)問(wèn)三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認(rèn)采購(gòu)意向。圖：三安半導(dǎo)體湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安
- 關(guān)鍵字： 8英寸 碳化硅
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著新能源汽車(chē)和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)里，電能都將會(huì)是人類(lèi)社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì)對(duì)電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國(guó)，根據(jù)國(guó)家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長(zhǎng)3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車(chē)在整車(chē)制造方面，用電量大幅增長(zhǎng)71.1%。圖1：全社會(huì)用電量統(tǒng)計(jì)（圖源：貿(mào)澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個(gè)嚴(yán)峻的問(wèn)題，那就是節(jié)能。當(dāng)前，任何一種用電設(shè)備在設(shè)計(jì)之初，都會(huì)將高能效和低能
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡(jiǎn)單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現(xiàn)
愛(ài)德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。
性質(zhì)
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