絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
- 本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應(yīng)用工程師Marcel Morisse與高級技術(shù)市場經(jīng)理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求，我們必須確保清潔能源基礎(chǔ)設(shè)施的啟用，以減少碳排放對環(huán)境的負面影響。在這一至關(guān)重要的舉措中，風力發(fā)電技術(shù)扮演了關(guān)鍵角色，并已處于領(lǐng)先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發(fā)電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關(guān)。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內(nèi)元件數(shù)
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功率模塊選得好，逆變器高效又可靠
- 全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型，尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV)，都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯示，太陽能發(fā)電量首次超過風電，達到1300TWh。轉(zhuǎn)換能量需要用到逆變器和轉(zhuǎn)換器。太陽能光伏(PV)板產(chǎn)生直流電，而電網(wǎng)中運行的是交流電。電動汽車(EV)的情況類似，其主驅(qū)電池系統(tǒng)提供直流電，而發(fā)動機中的主驅(qū)電機需要交流電。在這兩種情況下，電力轉(zhuǎn)換過程的能效具有重要影響，因為任何能量損失都會轉(zhuǎn)化為熱量，這就需要風扇或散熱器等散熱措施，進而會擴大整體解決方案
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更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術(shù)并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
- 引言近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶?。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半?dǎo)體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或?qū)拵?SiC MOSFET功率半導(dǎo)體具有不同的性能特點，可以適合不同的目標應(yīng)用。單一性質(zhì)的IGBT器件或SiC器件在逆變器應(yīng)用中很難同時滿足高效和成本的要求。如今越來越多的設(shè)計人員希望以創(chuàng)造性的
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高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
- 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路，驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?！陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進入退飽和狀態(tài)？
- 如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流?？梢钥吹絀GBT工作狀態(tài)分為三個部分：1、關(guān)斷區(qū)：CE間電壓小于一個門檻電壓，即背面PN結(jié)的開啟電壓，IGBT背面PN結(jié)截止，無電流流動。2、飽和區(qū)：CE間電壓大于門檻電壓后，電流開始流動，CE間電壓隨著集電極電流上升而線性上升，這個區(qū)域稱為飽和區(qū)。因為IGBT飽和電壓較低，因此我們希望IGBT工作在飽和區(qū)域。3、線性區(qū)：隨著CE間電壓繼續(xù)上升，電流進一步增大。到一定臨界點后，CE電壓迅速增大，而集電極電流并不隨之增
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算，圖文結(jié)合+計算公式步驟
- 今天給大家分享的是：IGBT的損耗與結(jié)溫計算。與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下：如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)
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安森美第7代IGBT模塊協(xié)助再生能源簡化設(shè)計并降低成本
- 安森美(onsemi) 最新發(fā)布第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模塊，與其他同類產(chǎn)品相比，該模塊的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模塊基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)，帶來出色的效能表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡化設(shè)計。在用于 150 千瓦的逆變器中時，QDual3 模塊的損耗比同類競品少 200 瓦（W），從而大大縮減散熱器的尺寸。QDual3模塊專為在惡劣條件下工作而設(shè)計，非常適合用于大功率變流器
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一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時序，同時將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負柵極驅(qū)動偏置，以實現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動器
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Power Integrations推出適用于1.2kV至2.3kV“新型雙通道”IGBT模塊的單板即插即用型門極驅(qū)動器
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出SCALE-iFlex? XLT系列雙通道即插即用型門極驅(qū)動器，適配單個LV100（三菱）、XHPTM 2（英飛凌）、HPnC（富士電機）以及耐壓高達2300V的同等半導(dǎo)體功率模塊，該模塊適用于儲能系統(tǒng)以及風電和光伏可再生能源應(yīng)用。該款超緊湊單板驅(qū)動器可對逆變器模塊進行主動溫升管理，從而提高系統(tǒng)利用率，并簡化物料清單(BOM)以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性。Power Integrations產(chǎn)品營銷經(jīng)理Thors
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從零了解汽車電控IGBT模塊
- 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機驅(qū)動部分，則是電機驅(qū)動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了！根據(jù)乘聯(lián)會數(shù)據(jù)，2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%，并且2022年6月29日歐盟對外宣布，歐盟27個成員國已經(jīng)初步達成一致，歐洲
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車規(guī)級IGBT模塊,持續(xù)放量
- 3 月 28 日的發(fā)布會上，小米雷軍對外正式公布了小米 SU7 各版本的售價。同時，雷軍宣布特別推出 5000 臺小米 SU7 創(chuàng)始版。創(chuàng)始版除可選標準版及 Max 版基本配置外，還有專屬車標、配件等權(quán)益。由于提前生產(chǎn)，不可選配，故相關(guān)車型可最先交付，而非創(chuàng)始版的小米 SU7 標準版與 Max 版于 4 月底啟動交付，Pro 版在 5 月底啟動交付。幾天后的 4 月 3 日，小米汽車創(chuàng)始版迎來首批交付。在北京亦莊小米汽車工廠總裝車間的交付現(xiàn)場，雷軍親手將車交給車主并和車主合影留念，再揮手目送每位車主離開。
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析SiC和IGBT模塊的開關(guān)特性
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柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設(shè)置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來分析S
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解，并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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