絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

了解這些就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個(gè)器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機(jī)控制和感應(yīng)加熱。圖1. IGBT 電路圖符號(hào)01 IGBT特點(diǎn)IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個(gè)引腳。柵極與MOSF
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EV charger、焊機(jī)等應(yīng)用進(jìn)行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和豐富的產(chǎn)品系列，H7單管正在成為光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用的新星。產(chǎn)品特點(diǎn)● 按照應(yīng)用需求去定義產(chǎn)品，去掉短路能力從而獲得更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲(chǔ)等應(yīng)用。● 1200V
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針對(duì)電動(dòng)馬達(dá)控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時(shí)的考慮

針對(duì)所有的應(yīng)用，人們?cè)絹碓阶⒁怆妱?dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率；因此，對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用中的能耗；因此，為電動(dòng)馬達(dá)及其的驅(qū)動(dòng)指定高效率的設(shè)計(jì)，以適合每項(xiàng)特定應(yīng)用變得更加重要。面對(duì)今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，廣為人知且被廣泛使用的開關(guān)組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項(xiàng)絕佳的選擇。因?yàn)槎鄶?shù)馬達(dá)在較低頻率運(yùn)作，要求可靠的安全工作區(qū)（SOA）和短路額定值，且需要將效率
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵(lì)措施，電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢(shì)。低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場(chǎng)也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì)，全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)規(guī)模將從 2
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
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IGBT模塊是如何失效的？

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金屬散熱板（
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相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車的能效和性能？

隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 和混動(dòng)汽車 (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的電機(jī)需要高千瓦時(shí)電源來驅(qū)動(dòng)，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級(jí)的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場(chǎng)已經(jīng)在推動(dòng)向更高電壓電池的轉(zhuǎn)變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槭褂酶叩碾妷阂馕吨到y(tǒng)可以在更低的電流下運(yùn)行，同時(shí)實(shí)現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點(diǎn)是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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Power Integrations推出具有溫度讀數(shù)功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動(dòng)器

德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅(qū)動(dòng)器。新款門極驅(qū)動(dòng)器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以內(nèi)的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅(qū)動(dòng)器可提供負(fù)溫度系數(shù)
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快速開關(guān)TRENCHSTOP 5 IGBT

緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。現(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo)：保持高功率因數(shù)(PF)。特別是空調(diào)，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設(shè)備之一。在這里，功率因數(shù)校正(PFC)是強(qiáng)制性的，對(duì)于PFC，設(shè)計(jì)者認(rèn)為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價(jià)比的開關(guān)器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)?，F(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個(gè)目標(biāo)：保持高功率因數(shù)(PF)
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功率半導(dǎo)體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

4月24日，東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報(bào)道，東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設(shè)備+外
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賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
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“一芯難求”？IGBT 憑啥這么搶手？

今天要聊的這個(gè)或許不僅是“供不應(yīng)求”，在媒體報(bào)道中更被稱為是“一芯難求”！用報(bào)道的話來說，“不是價(jià)格多高的問題，而是根本買不到”。TA就是簡稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”，聰明的你應(yīng)該就能get到其中的投資機(jī)會(huì)，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機(jī)呢？01 什么是IGBT？作為新能源領(lǐng)域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷梢院唵卫斫鉃橐环N功率開關(guān)元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動(dòng)到身體的各個(gè)器官，為身體補(bǔ)充充足的血液和
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設(shè)備廠商訂單量大增；4個(gè)IGBT項(xiàng)目開工

2022年，盡管全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)局勢(shì)復(fù)雜，但中國本土半導(dǎo)體似乎依然保持著朝陽勢(shì)頭，發(fā)展火熱。尤其是半導(dǎo)體設(shè)備廠商，在國產(chǎn)化浪潮進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)下，去年大部分國產(chǎn)設(shè)備廠商在營收及訂單方面表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的增長態(tài)勢(shì)。2023年以來，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報(bào)告。其中，2022年度，至純科技實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入30.5億元，同比增長46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長30.62%；；中微公司實(shí)現(xiàn)營收47.4億元，同比增長52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實(shí)現(xiàn)
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高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來的關(guān)鍵

隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負(fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動(dòng)汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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車用/工用等IGBT供不應(yīng)求，缺貨問題至少在2024年中前難以解決？

隨著車用、工業(yè)應(yīng)用所需用量大增，IGBT市場(chǎng)陷入供不應(yīng)求，此前有消息指出，部分廠商IGBT產(chǎn)線代工價(jià)上漲10%。而根據(jù)行業(yè)媒體的最新消息，IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決。導(dǎo)致IGBT缺貨、漲價(jià)的原因主要有四點(diǎn)：其一，需求旺盛，車用、工業(yè)應(yīng)用所需IGBT用量大增；其二，供給不足，產(chǎn)能擴(kuò)增緩慢；其三，客戶認(rèn)證需要時(shí)間；其四，特斯拉大砍75%碳化硅用量，IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為電力電子裝置的“C
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