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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

          SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析;廠商談IGBT大缺貨

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí),受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源2全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估2022年全球車用MCU市場(chǎng)規(guī)模達(dá)82
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率半導(dǎo)體  IGBT  美光  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

          • 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止(FS7)IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,從而減少磁性元件的尺寸,提高功率密度
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT FS7  

          廠商談IGBT大缺貨:根本買不到!

          • 當(dāng)下半導(dǎo)體周期下行,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫(kù)存調(diào)整周期。然而,在電動(dòng)車與太陽(yáng)能光伏兩大主流應(yīng)用需求大增助推下,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價(jià)格連漲,業(yè)界更以“不是價(jià)格多高的問(wèn)題,而是根本買不到”來(lái)形容缺貨盛況。01IGBT供不應(yīng)求,代工價(jià)格喊漲自2020年汽車缺芯以來(lái),汽車芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車用MCU,成為影響汽車擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示,漢磊集團(tuán)于年初調(diào)漲IGBT產(chǎn)線代工價(jià)一成左右。據(jù)悉,漢
          • 關(guān)鍵字: IGBT  缺貨  

          安森美開發(fā)IGBT FS7開關(guān)平臺(tái),性能領(lǐng)先,應(yīng)用工業(yè)市場(chǎng)

          • 2023 年 3 月 21日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平,最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開關(guān)應(yīng)用能效,將主要用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車充電電源轉(zhuǎn)換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止(FS7)IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓,及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關(guān)損耗
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT FS7開關(guān)  

          吉利科技旗下晶能車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片

          • 近日,吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。吉利科技集團(tuán)消息顯示,該款I(lǐng)GBT芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗,功率密度增大約35%,綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。據(jù)悉,晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制
          • 關(guān)鍵字: 吉利科技  晶能  車規(guī)級(jí)  IGBT  

          吉利科技旗下晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片

          • IT之家 3 月 16 日消息,吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。晶能自主研發(fā) IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),通過(guò)優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過(guò) 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/
          • 關(guān)鍵字: 吉利  IGBT  

          [向?qū)捊麕а葸M(jìn)]:您能跟上寬禁帶測(cè)試要求的步伐嗎?

          • _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來(lái)越高。在電氣方面,這些物質(zhì)比硅和其他典型半導(dǎo)體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性,而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料,所以會(huì)引發(fā)不良的導(dǎo)電性泄漏,且會(huì)隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導(dǎo)電率,相當(dāng)于半導(dǎo)體運(yùn)行失效。在這兩種寬禁帶材料中,GaN主要適合中低檔功率實(shí)現(xiàn)方案,大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個(gè)顯著增長(zhǎng)領(lǐng)域是它在LED照明中的應(yīng)用,而且在汽車
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  

          基于Infineon TC233LP+AIKW40N65DF5的3.3KW OBC方案

          • 隨著全球?qū)Νh(huán)保問(wèn)題的重視,在汽車領(lǐng)域,新能源汽車肩負(fù)著構(gòu)建良好生態(tài)環(huán)境的目的和使命走在了前沿,汽車產(chǎn)業(yè)從不同技術(shù)路線探索環(huán)保之道。電動(dòng)汽車是新能源汽車的主要技術(shù)路線之一,其核心部件車載充電機(jī)(OBC)經(jīng)過(guò)幾年的發(fā)展技術(shù)日益成熟。但高效可靠,易于控制,高性價(jià)比一直是各家方案商以及零部件供應(yīng)商持續(xù)追求的目標(biāo)。本方案是品佳集團(tuán)聯(lián)合國(guó)內(nèi)高校共同設(shè)計(jì),基于Infineon AURIX系列MCU開發(fā)的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運(yùn)算任務(wù),功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
          • 關(guān)鍵字: Infineon  TC233LP  AIKW40N65DF5  OBC  Aurix  IGBT  

          如何通過(guò)改進(jìn)IGBT模塊布局來(lái)克服芯片縮小帶來(lái)的熱性能挑戰(zhàn)

          • 尺寸和功率往往看起來(lái)像是硬幣的兩面。當(dāng)你縮小尺寸時(shí)--這是我們行業(yè)中不斷強(qiáng)調(diào)的目標(biāo)之一--你不可避免地會(huì)降低功率。但情況一定是這樣嗎?如果將我們的思維從芯片轉(zhuǎn)移到模塊設(shè)計(jì)上,就不需要拋硬幣了。在IGBT模塊中,芯片面積減小導(dǎo)致了熱阻抗的增加,進(jìn)而影響性能。但是,由于較小的芯片在基板上釋放了更多的空間,因此有可能利用這些新的可用空間來(lái)優(yōu)化模塊的布局。在這篇文章中,我們將探討如何調(diào)整模塊設(shè)計(jì)來(lái)改善熱性能。下篇將探討如何改善電氣性能。作為參考,我們將使用采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術(shù)的新型1200
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

          • 與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度,有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓?fù)浜凸ぷ鳁l件,兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì)有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導(dǎo)通損耗和開關(guān)(開通和關(guān)斷)損耗,而二極管損耗
          • 關(guān)鍵字: 安森美  IGBT  

          為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路

          • 對(duì)于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、加熱、通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)以及熱泵。理論上,在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,通過(guò)IGBT反向續(xù)流永遠(yuǎn)不會(huì)發(fā)生。然而,在輕負(fù)載或瞬態(tài)條件下,由于升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振,會(huì)有反向電流流過(guò)。這個(gè)諧振電流,iQN(t)是由以下公式給出的。諧振期間IGBT兩端的電壓(VCE)可以得出:當(dāng)輸入電壓Vin低于輸出電壓的一半時(shí)(Vin&l
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  CCM模式  

          如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗

          • 現(xiàn)今隨著高端測(cè)試儀器和仿真軟件的普及,大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成,節(jié)省了不少精力,不得不說(shuō)這對(duì)工程師來(lái)說(shuō)是一種解放,但是這些工具就像黑盒子,好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過(guò)的基本高等數(shù)學(xué)知識(shí)。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。我們先來(lái)看一個(gè)IGBT的完整工作波形:IGBT的損耗可以分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,其中開關(guān)損耗又分為開通和關(guān)斷兩部分,下面我分別來(lái)看一下各部分的計(jì)算推導(dǎo)過(guò)程。開關(guān)損耗-開通部分我們先來(lái)看一下理想的
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  IGBT  

          功率器件:新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

          • 功率半導(dǎo)體器件,也稱為電力電子器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變(直流轉(zhuǎn)換成交流)、整流(交流轉(zhuǎn)換成直流)、斬波(直流升降壓)、變頻(交流之間轉(zhuǎn)換)是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來(lái)源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件,功率器件下游應(yīng)用十分廣泛,包括新能源(風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車)、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等,根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  IGBT  MOSFET  國(guó)產(chǎn)替代  

          瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄?lái)自MCU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  柵極驅(qū)動(dòng)IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

          IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

          • 針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析,著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán),分析結(jié)果可知,活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板,剝離強(qiáng)度25 MPa,(-40 ~150)℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次,能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次,滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  AlN陶瓷基板  金屬化  可靠性應(yīng)用  202212  
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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