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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)
絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
2SD315A在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT中的應(yīng)用
- 引言 IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有TLP250,以及EXB841/840系列的驅(qū)動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車(chē)DC/DC變換器的研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn),由于車(chē)載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中,而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流大,要求可靠性要高,使得傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)不能滿足其使用要求,經(jīng)過(guò)研究分析,選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動(dòng)器件,該驅(qū)動(dòng)器集成了智能驅(qū)動(dòng)、自檢、
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IGBT 2SD315A 模擬IC 電源
IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊的研究
- 引言 隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展,絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件,兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降小,工作頻率高和動(dòng)態(tài)響應(yīng)快。目前,市場(chǎng)上500~3000V,800~l800A的IGBT,因其耐高壓、功率大的特性,已成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。 1 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的原則 由于是電壓控制型器件,因此只要控制IC
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IGBT 集成驅(qū)動(dòng) 嵌入式
以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計(jì)
- 全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長(zhǎng),甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車(chē)領(lǐng)域。因此在過(guò)去幾年,市場(chǎng)對(duì)變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長(zhǎng)。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟,變頻器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈,對(duì)產(chǎn)品性價(jià)比的要求不斷提高。 標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動(dòng)變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來(lái)實(shí)現(xiàn)主電路中的6個(gè)開(kāi)關(guān),現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外,一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個(gè)采用絕緣封裝且經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)
- 關(guān)鍵字: 選型 元器件 變頻器 IGBT 元件 制造
飛兆推電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS,可以在應(yīng)用中省去用于檢測(cè)大電流的檢測(cè)電阻,從而將功耗降低30%并減少由此帶來(lái)的熱量。FGB3040CS具有電流檢測(cè)功能,能以小型的低電流檢測(cè)電阻替代高功率的檢測(cè)電阻,成功簡(jiǎn)化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計(jì),提供了高能量密度的點(diǎn)火IGBT。這項(xiàng)技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會(huì)影響性能。 &n
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆 電流檢測(cè) IGBT FGB3040CS 基礎(chǔ)儀器
Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊
- Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5~20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。 快速NPT類(lèi)IGBT的電流等級(jí)分別為:30A~50A/600V、15~25A/1200V;場(chǎng)溝漕截止型IGBT的電流等級(jí)分別為:20A~75A/600V,25A
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Microsemi IGBT 電源模塊 電源
通用光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用
- 引言自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái),電壓控制型電力電子器件,特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,電流越做越大。同時(shí),與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣,電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大,電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí)。于是,光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式不同功率等級(jí)的IGBT,對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同,表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較。 由表l可知,在大功率
- 關(guān)鍵字: IGBT 大功率 光纖 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線
智能型電源模塊加速三相電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)發(fā)
- 摘要: 目前隨著設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)進(jìn)程的加快,一些家電(高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器)要求用更先進(jìn)的設(shè)計(jì)方法來(lái)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。文中詳細(xì)地介紹了其中的智能型電源部分,以進(jìn)一步加速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā),從而減少產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本和時(shí)間。在文章的最后,給出了相關(guān)產(chǎn)品的演示板。 關(guān)鍵詞:智能型電源;電機(jī)驅(qū)動(dòng)器;高壓驅(qū)動(dòng)器;IGBT電器工程師需要一種設(shè)計(jì)方法,能夠簡(jiǎn)化高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器的三相變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā)過(guò)程。變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器采用電子線路來(lái)改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速,而不是舊式電器中所使用的較低可靠性機(jī)械變速法。而且,
- 關(guān)鍵字: 智能型電源 高壓驅(qū)動(dòng)器 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IGBT 模塊
“單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路
- 目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。 為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象,我們必須考慮跟
- 關(guān)鍵字: IGBT 其他IC 制程
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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