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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

          2SD315A在驅(qū)動(dòng)大功率IGBT中的應(yīng)用

          •   引言   IGBT常用的驅(qū)動(dòng)模塊有TLP250,以及EXB841/840系列的驅(qū)動(dòng)模塊。但在燃料電池城市客車(chē)DC/DC變換器的研制過(guò)程中發(fā)現(xiàn),由于車(chē)載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中,而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流大,要求可靠性要高,使得傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)不能滿足其使用要求,經(jīng)過(guò)研究分析,選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動(dòng)和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專(zhuān)用集成驅(qū)動(dòng)模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動(dòng)器件,該驅(qū)動(dòng)器集成了智能驅(qū)動(dòng)、自檢、
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  IGBT  2SD315A  模擬IC  電源  

          IGBT集成驅(qū)動(dòng)模塊的研究

          •   引言   隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展,絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件,兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn):輸入阻抗高,驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降小,工作頻率高和動(dòng)態(tài)響應(yīng)快。目前,市場(chǎng)上500~3000V,800~l800A的IGBT,因其耐高壓、功率大的特性,已成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。   1 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的原則   由于是電壓控制型器件,因此只要控制IC
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IGBT  集成驅(qū)動(dòng)  嵌入式  

          以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計(jì)

          •   全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長(zhǎng),甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車(chē)領(lǐng)域。因此在過(guò)去幾年,市場(chǎng)對(duì)變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長(zhǎng)。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟,變頻器市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也日益激烈,對(duì)產(chǎn)品性價(jià)比的要求不斷提高。    標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動(dòng)變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來(lái)實(shí)現(xiàn)主電路中的6個(gè)開(kāi)關(guān),現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外,一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個(gè)采用絕緣封裝且經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)
          • 關(guān)鍵字: 選型  元器件  變頻器  IGBT  元件  制造  

          飛兆推電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS

          • 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測(cè)用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS,可以在應(yīng)用中省去用于檢測(cè)大電流的檢測(cè)電阻,從而將功耗降低30%并減少由此帶來(lái)的熱量。FGB3040CS具有電流檢測(cè)功能,能以小型的低電流檢測(cè)電阻替代高功率的檢測(cè)電阻,成功簡(jiǎn)化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計(jì),提供了高能量密度的點(diǎn)火IGBT。這項(xiàng)技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會(huì)影響性能。   &n
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  飛兆  電流檢測(cè)  IGBT  FGB3040CS  基礎(chǔ)儀器  

          Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

          • Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計(jì)用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場(chǎng)溝漕截止IGBT用于5~20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實(shí)現(xiàn)過(guò)熱保護(hù)。  快速NPT類(lèi)IGBT的電流等級(jí)分別為:30A~50A/600V、15~25A/1200V;場(chǎng)溝漕截止型IGBT的電流等級(jí)分別為:20A~75A/600V,25A
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Microsemi  IGBT  電源模塊  電源  

          通用光纖隔離驅(qū)動(dòng)在大功率IGBT中的應(yīng)用

          • 引言自MOSFET及IGBT問(wèn)世以來(lái),電壓控制型電力電子器件,特別是IGBT正經(jīng)歷一個(gè)飛速發(fā)展的過(guò)程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,電流越做越大。同時(shí),與之配套的驅(qū)動(dòng)器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越廣,電源設(shè)備變換功率越來(lái)越大,電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動(dòng)耐壓等級(jí)。于是,光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動(dòng)的幾種方式不同功率等級(jí)的IGBT,對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求不盡相同,表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動(dòng)方式的比較。     由表l可知,在大功率
          • 關(guān)鍵字: IGBT  大功率  光纖  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無(wú)線  

          智能功率IGBT和MOSFET讓汽車(chē)更加舒適環(huán)保

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  汽車(chē)  

          IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究

          • 通過(guò)對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討論,介紹了的一種可驅(qū)動(dòng)高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動(dòng)模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 電路  應(yīng)用  研究  保護(hù)  驅(qū)動(dòng)  高壓  大功率  IGBT  

          基于IGBT的電磁振蕩設(shè)計(jì)

          • IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開(kāi)關(guān)器件,電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn),因此在現(xiàn)實(shí)電力電子裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: IGBT  電磁振蕩    

          倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)

          • 在工件淬火和焊接等工藝中,由于各種原因會(huì)造成電源負(fù)載端突然短路。為了減小負(fù)載短路時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流對(duì)功率管的沖擊,采用降柵壓慢關(guān)斷技術(shù),增強(qiáng)功率器件的瞬時(shí)過(guò)流能力,同時(shí)選擇合適的Cd和/LT的值,可以在一定程度上減小浪涌電流的大小,從而更好地保護(hù)功率管和主電路。
          • 關(guān)鍵字: 負(fù)載  短路  保護(hù)  電源  加熱  高頻  感應(yīng)  IGBT  

          單電源供電的IGBT驅(qū)動(dòng)電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

          智能型電源模塊加速三相電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)發(fā)

          • 摘要: 目前隨著設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)進(jìn)程的加快,一些家電(高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器)要求用更先進(jìn)的設(shè)計(jì)方法來(lái)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。文中詳細(xì)地介紹了其中的智能型電源部分,以進(jìn)一步加速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā),從而減少產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)成本和時(shí)間。在文章的最后,給出了相關(guān)產(chǎn)品的演示板。 關(guān)鍵詞:智能型電源;電機(jī)驅(qū)動(dòng)器;高壓驅(qū)動(dòng)器;IGBT電器工程師需要一種設(shè)計(jì)方法,能夠簡(jiǎn)化高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器的三相變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)發(fā)過(guò)程。變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器采用電子線路來(lái)改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速,而不是舊式電器中所使用的較低可靠性機(jī)械變速法。而且,
          • 關(guān)鍵字: 智能型電源  高壓驅(qū)動(dòng)器  電機(jī)驅(qū)動(dòng)器  IGBT  模塊  

          “單正向”柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

          •   目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。   為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象,我們必須考慮跟
          • 關(guān)鍵字: IGBT  其他IC  制程  

          2005年5月12日,瑞薩推出手機(jī)相機(jī)用業(yè)界最小的閃光控制IGBT

          •   2005年5月12日,瑞薩推出用于手機(jī)相機(jī)的CY25CAH-8F(2.5V驅(qū)動(dòng))和CY25CAJ-8F(4.0V驅(qū)動(dòng))的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米,厚度(最大)0.95毫米,堪稱業(yè)界最小。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  IGBT  Renesas  
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
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