絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體達(dá)成侵權(quán)訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。 通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請撤訴。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
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IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，電力半導(dǎo)體器件和集成電路在國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應(yīng)該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節(jié)省能源的王牌技術(shù)。當(dāng)今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導(dǎo)體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關(guān)元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導(dǎo)體器件的代表性器件，
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寧波比亞迪半導(dǎo)體虧損調(diào)查：生產(chǎn)線可稱老古董
- 這是一個結(jié)果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經(jīng)賭贏了，但是王傳福暫時還沒有。 初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經(jīng)濟(jì)通實(shí)時行情)寧波半導(dǎo)體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應(yīng)在寧波度過的第一個寒冷冬天。 這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
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功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔ⅲβ势骷t根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應(yīng)用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導(dǎo)體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。 AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術(shù)，大幅度降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實(shí)現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
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晶閘管及IGBT在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用
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中國南車建成大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
- 9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)。 為滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術(shù)基礎(chǔ)，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地的建設(shè)，歷經(jīng)22個月后實(shí)現(xiàn)正式投產(chǎn)。 位于湖南株洲的生產(chǎn)基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達(dá)到了100級，由于產(chǎn)品對生產(chǎn)環(huán)境的要求極其苛刻
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中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
- 中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。 大尺寸功率半導(dǎo)體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導(dǎo)體器件)是變流器的關(guān)鍵元件，被譽(yù)為電力電子產(chǎn)品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風(fēng)力發(fā)電)、化工、冶煉等領(lǐng)域。長期以來，國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口，價格昂貴，嚴(yán)重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
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基于雙IGBT的斬波式串級調(diào)速系統(tǒng)的研究
- 從普通串級調(diào)速原理入手，簡要分析影響串級調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調(diào)速、新型GTO串級調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調(diào)速控制方案。
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英飛凌再度稱雄功率電子市場
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 隨著汽車、消費(fèi)和工
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IGBT在客車DC600V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)
- 關(guān)鍵字： 絕緣柵雙極管(IGBT) 鐵路客車 DC 600 V 供電系統(tǒng) 應(yīng)用 保護(hù)
本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀
- 經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。 剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國際一流技術(shù);二是擁有
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絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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