絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng)，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類(lèi)型。這正是以低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率而著稱(chēng)的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶(hù)可以因不必改變其機(jī)械
關(guān)鍵字： IGBT 性能

大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

摘要：本文通過(guò)分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。敘詞：IGB
關(guān)鍵字：技術(shù) 保護(hù) IGBT 逆變電源大功率電源

IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算

摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開(kāi)關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。敘詞：IGBT，驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：計(jì)算性能輸出驅(qū)動(dòng)器 IGBT

英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

　　新聞事件：　　韓國(guó)LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響：　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開(kāi)始量產(chǎn)CIPOS模塊　　韓國(guó)LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷(xiāo)。　　合
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI

功率半導(dǎo)體：節(jié)能應(yīng)用顯身手中國(guó)市場(chǎng)現(xiàn)商機(jī)

　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會(huì)在上海光大會(huì)展中心落下帷幕。在展會(huì)期間，國(guó)內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會(huì)觀眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時(shí)，參展企業(yè)也紛紛表示對(duì)中國(guó)功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景充滿(mǎn)信心。　　新產(chǎn)品亮相PCIM展　　一年一度的PCIM展是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的盛會(huì)，同時(shí)也是業(yè)內(nèi)企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺(tái)。在今年的展會(huì)上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中，通常要在I
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混合動(dòng)力是新能源汽車(chē)切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心

　　目前，混合動(dòng)力汽車(chē)是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車(chē)的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車(chē)中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動(dòng)力汽車(chē)還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車(chē)在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國(guó)際汽車(chē)展上，多家汽車(chē)企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)，這預(yù)示著新能源汽車(chē)即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國(guó)對(duì)于新能源汽車(chē)的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期，今年2月，財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開(kāi)展節(jié)能與新能源汽車(chē)示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
關(guān)鍵字：新能源 IGBT F-RAM 混合動(dòng)力

英飛凌推出Smart系列IGBT模塊

　　在2009年紐倫堡PCIM展會(huì)上，英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動(dòng)壓接裝配工藝，僅需一個(gè)螺釘通過(guò)單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過(guò)提供高可靠性壓接技術(shù)，英飛凌滿(mǎn)足了功率高達(dá)55 kW逆變器的設(shè)計(jì)要求。Smart模塊能夠優(yōu)化功率變換器的解決方案，應(yīng)用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備、太陽(yáng)能逆變器及空調(diào)系統(tǒng)中。　　安全、簡(jiǎn)單的自動(dòng)壓接裝配　　壓接工藝結(jié)合自動(dòng)裝配技術(shù)的革命性創(chuàng)新簡(jiǎn)化了
關(guān)鍵字： infineon IGBT 壓接

使用柵極電阻控制IGBT的開(kāi)關(guān)

1 前言用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓（VG(
關(guān)鍵字： IGBT 柵極電阻開(kāi)關(guān)

飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IGBT

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的快速增長(zhǎng)之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國(guó)家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長(zhǎng)，今后兩年中國(guó)的市場(chǎng)需求整體也將繼續(xù)較快增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
關(guān)鍵字：電源管理節(jié)能 IGBT MOSFET 數(shù)字電源穩(wěn)壓器 200903

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

許多電子設(shè)計(jì)應(yīng)用要求的激勵(lì)源幅度超出了當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車(chē)電子系統(tǒng)和開(kāi)關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測(cè)器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號(hào)的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說(shuō)明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：泰克 MOSFET IGBT 200903

CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。

在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)
關(guān)鍵字： CPLD IGBT 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 中的應(yīng)用

STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

產(chǎn)品特性：耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu) 應(yīng)用范圍：太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器
關(guān)鍵字：意法 MOSFET IGBT

家電下鄉(xiāng)全國(guó)推廣半導(dǎo)體市場(chǎng)需求放大

　　經(jīng)過(guò)一年多的試點(diǎn)，我國(guó)家電下鄉(xiāng)工作已全面鋪開(kāi)，從2009年2月1日起，家電下鄉(xiāng)工作從12個(gè)省、自治區(qū)、直轄市向全國(guó)推廣。新形勢(shì)下，在全國(guó)范圍內(nèi)推廣家電下鄉(xiāng)對(duì)于擴(kuò)大內(nèi)需、保持經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快增長(zhǎng)具有重要意義。作為家電產(chǎn)品不可或缺的零部件，半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求也將同步放大，家電下鄉(xiāng)政策為我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。分立器件和低端IC首先獲益　　從2007年12月開(kāi)始，我國(guó)在山東、河南、四川三省進(jìn)行了家電下鄉(xiāng)試點(diǎn)工作，對(duì)彩電、冰箱(含冰柜)、手機(jī)三大類(lèi)產(chǎn)品給予產(chǎn)品銷(xiāo)售價(jià)格13%的財(cái)政資金直
關(guān)鍵字：家電下鄉(xiāng) 分立器件 IGBT 節(jié)能

英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

　　英飛凌科技股份公司在其位于德國(guó)慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開(kāi)始到2012年，公司將投資近1,700萬(wàn)歐元用于建造廠房和購(gòu)買(mǎi)制造設(shè)備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟(jì)部的代表簽訂了協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，匈牙利經(jīng)濟(jì)部將為該項(xiàng)目融資140萬(wàn)歐元。　　Cegléd工廠主要生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，這種功率模塊是風(fēng)輪機(jī)和光伏系統(tǒng)太陽(yáng)能逆變器以及機(jī)車(chē)驅(qū)動(dòng)裝置、有軌電車(chē)、制造工廠、扶梯和電梯使用
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體