絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極型晶體管(igbt)技術(shù)社區(qū)
大功率IGBT驅(qū)動過流保護電路研究
- 摘要：針對IGBT驅(qū)動過流保護問題，提出了分離元件驅(qū)動過流保護電路和模塊驅(qū)動過流保護電路.文中給出了分離元件驅(qū)動過流保護電路和模塊驅(qū)動過流保護電路,并詳細分析了兩者的工作原理，指出了它們之間的優(yōu)缺點. 關(guān)鍵詞：IGBT；分離元件驅(qū)動過流保護電路；模塊驅(qū)動過流保護電路 IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點而成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件，但IGBT和晶閘管一樣，其抗過載能力不高[1-2].因此，如何設(shè)計IGBT的驅(qū)動過流保護電路，使之具有完善的驅(qū)動過流保護功能，是設(shè)計者必須考
- 關(guān)鍵字： IGBT 分離元件 驅(qū)動 過流保護電路
IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計方法
- 摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。 關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法 IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個老問題了。在試圖回答該問題時，工程師們通常會很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個兩難的位置上。過去，人們針對該問題提出了一些考慮統(tǒng)計因素的方法，但是到目前為止，仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時，超出器件限值的概率有多大。現(xiàn)在，英飛
- 關(guān)鍵字： IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法 蒙特卡羅方法 200809
IR 推出適合汽車應(yīng)用的堅固可靠600V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適合汽車應(yīng)用的高、中、低壓堅固600V單通道高壓端驅(qū)動IC AUIRS212xS系列，其應(yīng)用包括通用汽車驅(qū)動器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。 AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅(qū)動器符合AEC-Q100標準，可以提供10V至20V的柵極驅(qū)動電源電壓。輸出驅(qū)動器具有適用于最小驅(qū)動器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖過程，而浮動通道可用來驅(qū)動在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
- 關(guān)鍵字： IR 汽車 驅(qū)動器 IGBT
電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效 新型器件嶄露頭角
- 發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等多個領(lǐng)域充當了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。 電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計算機、消費電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通信
- 關(guān)鍵字： 電力電子 IGBT 新能源 節(jié)能
Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動器系列，用于開關(guān)電源和電機驅(qū)動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動器IC更快，有助于加快開關(guān)時間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
- 關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動器
- PSHI 3系列IGBT驅(qū)動器是基于具有自主知識產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動器，包括邏輯信號處理的ASIC PSD001，門極驅(qū)動的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號處理、故障鎖存及處理、短路保護、欠壓保護、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。 驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： 普爾盛 IGBT 驅(qū)動器
用于功率變換器的IGBT驅(qū)動核心電路
- 除了功率模塊以外，每個電力電子系統(tǒng)都還有另外一個關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當?shù)尿?qū)動電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時，驅(qū)動電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶接口友好性。 例如，在一個電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運行所需要的數(shù)字信號。IGBT驅(qū)動電路的功能就是將來自于微控制器的信號轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動信號，來保證IGBT安全地關(guān)斷與開通。另一方面，IGBT驅(qū)動電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
- 關(guān)鍵字： IGBT SKYPER
三菱電機第五代IGBT模塊將亮相于電子展
- 三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機采用最新開發(fā)的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長等優(yōu)點。分別針對不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
- 關(guān)鍵字： 三菱 IGBT 電子展 200802
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點
- 上世紀60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個發(fā)展階段。
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
- l 前言 絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。 有源電力濾波器設(shè)計中應(yīng)用4個IGBT作為開關(guān)，并用4個EXB84l組成驅(qū)動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號處理器(DSP
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場效應(yīng)晶體管 電源
IGBT的保護
- 將IGBT用于變換器時，應(yīng)采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有： ?。?） 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號，實現(xiàn)過電流保護； ?。?） 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt； （3） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳閘，實現(xiàn)過熱保護。 下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過電流及其保護措施。 前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過IGBT的電流過大時，會產(chǎn)生不可控的擎住效應(yīng)。實際應(yīng)用中應(yīng)使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小，開關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動功率大，開關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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