絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
我首條8英寸IGBT芯片線建成
- 我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。 與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設(shè)備中。 IGBT芯
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傳統(tǒng)IGBT可靠性測試急需變革
- 據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標。 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機
- 關(guān)鍵字： IGBT Mentor EV/HEV 201406
東芝推出4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器
- 東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅(qū)動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產(chǎn)生過流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開始量產(chǎn)出貨。 &l
- 關(guān)鍵字： 東芝 TLP5214 SO16L IGBT
新能源汽車成為大功率IGBT的主要驅(qū)動力
- 據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)。 可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標 EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴苛，例如汽車應(yīng)用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
- 關(guān)鍵字： IGBT Mentor MicReD
Mentor推出1500A功率循環(huán)測試設(shè)備
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)?！ 」β恃h(huán)和熱量導(dǎo)致與熱相關(guān)的器件老化降級，容易導(dǎo)致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設(shè)備對電力電子器件的可靠性進行評估。 傳統(tǒng)的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
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安森美半導(dǎo)體看好中國汽車市場
- 中國已成為全球最大的汽車生產(chǎn)國和消費市場，2013年中國整體汽車銷量增長14%至2,200萬輛，其中乘用車銷售約1,800萬輛(份額80%)，商用車約400萬輛(份額20%);2014年整體銷量可達2,300萬輛，乘用車銷量較2012年增長16%。汽車大趨勢正在推動半導(dǎo)體成分的升高：IHS公司預(yù)測，由于汽車安全與導(dǎo)航等系統(tǒng)的不斷采用，中國汽車半導(dǎo)體市場將在2014年增長11%，達到46億美元。而在未來三年會延續(xù)增長勢頭，到2017年，中國汽車芯片市場將達到62億美元。 面對巨大的需求，半導(dǎo)體廠商
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淺談CPLD在IGBT驅(qū)動設(shè)計中的應(yīng)用
- 隨著國民經(jīng)濟的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來越廣泛。如何打破國外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個嚴肅的課題擺在我國工程技術(shù)人員的面前。 在某型號大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)和散熱的條件，主控板上DSP產(chǎn)生的PWM信號需經(jīng)過較長的距離才能送到IGBT逆變單元中。為保證PWM信號傳輸?shù)臏蚀_性和可靠性，必須解決以下幾個問題：首先是抗干擾問題，變頻器工作時，IGBT的開關(guān)動作會產(chǎn)生高頻干擾信號;其次是如何保證PWM信號的前、后沿質(zhì)量，減少IGBT開關(guān)動作的過渡過程;最后是如何減少布線電感，盡可能
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Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?！ 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗的光電子
- 關(guān)鍵字： Vishay IGBT MOSFET VOW3120
英飛凌加入中國國際電動汽車示范城市伙伴組織，助力本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 英飛凌科技(中國)有限公司宣布正式加入“中國(上海)國際電動汽車示范城市伙伴組織”，該組織成員包括致力于推廣電動車產(chǎn)業(yè)的上下游企業(yè)。作為全球領(lǐng)先的汽車電子供應(yīng)商，英飛凌是首家加入的半導(dǎo)體科技公司。英飛凌將依托?“伙伴組織”框架機構(gòu)，加強與“伙伴組織”成員及其他伙伴企業(yè)的交流與合作，助力推進電動汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?！ ∽鳛槿蜃畲蟮腎GBT芯片及模塊供應(yīng)商，英飛凌可以為電動汽車的主要核心電子電器模塊提供完整的解決方案，包括電機驅(qū)動、電池管理、高壓輔助系統(tǒng)如DC/DC、車載充電器以及整車控制器。大量
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT IGBT 半導(dǎo)體
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
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